三光子干涉对A型能级体系电磁感应透明的影响

在双光子探测、强耦合场驱动的A型能级体系中，我们在基态与低激发态之间加入一个驱动场，并应用密度矩阵方程理论研究了驱动场对双光子探测的电磁感应透明和Autler—Towns分裂的影响。     

热处理对DNA纤维影响的拉曼研究

热处理对ＤＮＡ纤维影响的拉曼研究柯惟中余多慰陈婉蓉缪丽萍（南京师范大学理化中心江苏省光电技术重点实验室南京２１００９７）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＨｅａｔＴｒｅａｔｍｅｎｔｏｎＤＮＡＫｅＷｅｉｚｈｏ...     

三光子干涉对Λ型能级体系电磁感应透明的影响

在双光子探测、强耦合场驱动的Λ型能级体系中,我们在基态与低激发态之间加入一个驱动场,并应用密度矩阵方程理论研究了驱动场对双光子探测的电磁感应透明和Autler-Towns 分裂的影响.     

淤泥质海床上波浪衰减研究

本文是国内外关于波浪在淤泥海床上的衰减研究的综述.介绍了各种模型,包括:粘性流体模型、粘弹性流体模型、多孔弹性体模型、非线性的宾汉流体模型及边带阻尼理论.与实验及野外观察结果进行了比较.评论了各种模型的现状、优缺点及发展趋势.     

高效液相色谱法同时检测4种金线莲黄酮苷元及其在提取工艺评价中的应用

基于高效液相色谱(HPLC)和提取离子流色谱-质谱(EIC-MS),建立了金线莲提取成分定性定量分析及提取效率评价新方法。方法采用20RBAX Ecipse XDB-C18色谱柱,以乙腈-0.03%乙酸水溶液为流动相,采用梯度洗脱,同时分离测定金线莲提取液中芦丁、山奈酚、异鼠李素和槲皮素4种黄酮苷元的含量,经EIC-MS验证,结果可靠。以黄酮提取率为指标,评价酶解-醇提、回流-醇提、搅拌-醇提、超声-醇提、超声-微波-醇提和煎煮6种提取工艺,结果显示,最佳提取工艺为回流-醇提法,提取时间短,醇用量少,总提取率最高,可达14.96mg/g。     

一种大面积 OLED模组均匀调光技术研究

针对大面积OLED模组中出现的颜色漂移、亮度不均匀等问题,本文从三基色白光OLED光源的电源管理和RGB三基色亮度系数配比调节两方面着手,研究一种改善OLED模组色温及亮度均匀性的控制方法。首先,通过电源管理改变OLED模组的工作电压,从而对OLED模组的亮度进行粗调。然后,采用调节RGB三基色亮度系数方式,改变R/G/B三基色的配比及大小,实现对OLED模组亮度进一步地细调以及色温的连续调控。实验结果表明,该方法较好地解决了OLED模组中各个OLED色块由于负载、工艺制作等原因造成的色温和亮度差异,使得各个OLED色块之间亮度及色温的偏差分别缩小到5cd/m2、100K范围内。有效提高了OLED模组发光的均匀性,实现了OLED光源照明的大面积化。     

白光LED用YAG∶Ce3+荧光粉的研究进展

白光LED技术对于合理利用能源、缓解能源危机和绿色照明具有重要意义.文章综述了近年来用于高效蓝光LED激发形成白光的 YAG∶Ce3+荧光粉合成工艺研究的新进展及国内外发展现状,对高温固相反应法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、共沉淀法等方法优缺点进行了综合比较,并探讨了YAG∶Ce3+荧光粉在应用方面有待于提高的地方.对影响荧光粉的发光效率和转换效率的后处理工艺、粒度分布、发光性能各种因素进行了分析,并对今后的发展研究趋势进行了展望.     

渠道火花烧蚀法制备In2O3:Mo透明导电薄膜

采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3:Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响.在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势.薄膜电阻率最小值是4.8×10-4Ω·cm,载流子浓度为7.1×1020 cm-3.载流子迁移率最高可达49.6cm2/(V·s).可见光区域平均透射率大于87%以上,由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV.X射线衍射分析表明,薄膜结晶性良好并在(222)晶面择优取向生长.原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm,峰谷最大差值为15.4nm.     

渠道火花烧蚀法制备In2O3:Mo透明导电薄膜

采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3:Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响.在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势.薄膜电阻率最小值是4.8×10-4Ω·cm,载流子浓度为7.1×1020 cm-3.载流子迁移率最高可达49.6cm2/(V·s).可见光区域平均透射率大于87%以上,由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV.X射线衍射分析表明,薄膜结晶性良好并在(222)晶面择优取向生长.原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm,峰谷最大差值为15.4nm.