复平面内用图形分析方法进行信号频谱分析

给出了一种在复平面内,用图形分析进行信号频谱分析的方法,详细地分析了数字频率与模拟频率之间的关系,同时准确地解释了频谱混叠现象。     

激光荧光光谱测量技术在癌症诊断中的应用

本文介绍用于恶性肿瘤研究的激光感生荧光光谱测量装置,为诊断癌症找到了一种简便的手段。已在临床应用中收到了良好效果。     

Cr~(3+)在Y_3Ga_5O_(12)晶体中的能级和光谱特性

本文报道用熔盐法生长的Y_3Ga_5O_(12):Cr~(3+)晶体的能级和光谱特性.在室温下;测得~4T_2和~2E能级的有效荧光寿命为205μs,荧光光谱中心波长为727nm.根据Tanabe-Sugano理论计算了晶场能级,并求得了晶场强度参数D_q、Bacah参数B和C以及参数△分别为1626、645、2950和538cm~(-1).     

胶束介质在速差动力学分析中的应用: 钴、镍的同时测定

研究溴化十六烷基三甲铵表面活性剂对钴(Ⅱ)、镍(Ⅱ)与二甲酚橙配位反应的影响, 测定了反应级数和表观活化能。由于胶束介质的存在, 钴(Ⅱ)、镍(Ⅱ)三元配合物的灵敏度比二元配合物分别提高了4.4和8.6倍, 并扩大了两组分的速率差别, 改善了反应的选择性。基于两组分反应速率的差别, 采用对数外推法计算机处理数据, 建立了速差动力学同时测定钴(Ⅱ)、镍(Ⅱ)的新方法。应用于钴精矿等几种实际样品中钴、镍的同时测定获得了满意结果, 其相对误差和标准偏差分别在4%和3%以内。     

乙撑双(2,2,5,5-四甲基-1-氮-2,5-二硅环戊烷)的合成及结构

2,2,5,5-四甲基-1-氮2,5-二硅环戊烷及双-(二乙氨基二甲基硅基)乙烷分别与乙二胺进行胺解反应均生成标题化合物,结构单晶经X射线分析确证.晶体属正交晶系,空间群为Pcab,晶胞参数a=11.043(3),b=12.811(2),c=16.090(4)A;V=2276A[3];Z=4;D0=1.01g.cm[-3],μ=2.53cm[-1].结构分析表明,分子具有对称中心,环系中的五个原子处于近乎同一平面内,氮原子系平面构型,因而使氮原子的未公用电子对所占P轨道与相连硅的3d轨道之间的作用更为有利;环中的Si-N-Si键角为114.5度.较相应开链类似物[(CH3)3Si]2NH中的Si-N-Si键角(131.3度)显著为小,这可能就是乙二胺中氮上的四个氢在胺解条件下能同时被四个硅基取代的原因.     

丙烷氧化脱氢不同硅基载体负载钒氧化物催化剂的TPSR表征

研究了钒负载不同氧化硅载体(Silica-gel,SBA-15,MCM-41,fumed-SiO2,Nano-SiO2)的丙烷氧化脱氢(ODH)催化剂的结构特征和催化性能,结合催化剂的程序升温表面反应(TPSR)的差热热重质谱(TG-DSC-MS)和原位紫外漫反射光谱(UV-vis DRS)等技术,研究钒在载体上的分散度和晶格氧的反应性。结果表明:负载型钒氧化物催化剂的活性取决于钒在不同硅基载体上的分散度,高度分散的隔离的四配位V5+是丙烷氧化脱氢的活性位。C3H6选择性主要与催化剂的平均孔径相关联,平均孔径越小,产物C3H6越易发生深度氧化。另外,不同氧化硅载体晶格氧与钒的结合强度对C3H6的选择性也产生影响,结合力较弱的V-O-Si中的晶格氧是丙烷氧化脱氢的燃烧位,且燃烧温度随晶格氧与钒、硅结合强度的减小而降低。而与钒结合力较强的V=O和V-O-V中的晶格氧是丙烷氧化脱氢的选择氧化位。硅基载体形貌和结构的不同导致负载型钒氧化物催化剂丙烷氧化脱氢活性和选择性发生差异。     

二(2-苯并咪唑亚甲基)胺配合物的合成、晶体结构、活性和量子 化学研究

合成了[二(2-苯并咪唑亚甲基)胺][咪唑]合Cu(II)Zn(II)Cu(II)高氯酸盐配合物C~5~7H~5~7N~2~1Cu~2Zn(ClO~4)~6.6[(CH~3)~2NCHO],并进行了元素分析、红外和紫外表征,用X射线衍射的方法测定了晶体结构,进行了生物活性测试和量子化学计算。     

双环笼状磷酸酯衍生物的研究 I: 1-氧代-4-取代-2,6,7-三氧杂-1-磷杂双环[2,2,2]辛烷衍生物的合成和反应研究

用浓硝酸与钒酸盐氧化1-氧代-4-羟甲基-2,6,7-三氧杂-1-磷杂双环-[2,2,2]辛烷(1)得羟酸2. 对应的酰氯3与一系列酚类或芳胺类反应得新化合物4a-4s. 3与苯二酚、氨基酚或苯二胺反应得化合物5a-5e. 研究了3的反应, 并发现4b在醋酸中经铁粉还原时产物发生O→N酰基重排, 通过元素分析、IB、^1H NMR及部分化合物的MS和X射线衍射分析确定了新化合物的结构. 生物初筛正在进行中.     

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .     

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.