一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器

设计并实现了一种基于65 nm CMOS工艺的低插入损耗大衰减范围的高频超宽带数字步进衰减器。采用桥T型和π型衰减网络的开关内嵌式衰减结构,该结构具有端口匹配好、衰减精度高的特点;采用恒定负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了高频超宽带性能;采用高匹配度的衰减位级联设计,实现了大衰减范围下的高精度衰减。经测试,在10 MHz~30 GHz频带范围内最大衰减量为31.5 dB,衰减步进为0.5 dB,参考态插入损耗<3.5 dB,衰减误差均方根值<0.45 dB。芯片总面积为2.30×1.20 mm^(2)。     

低太赫兹频段ITU大气吸收模型伪线谱的修正研究

针对ITU建议书ITU-R P.676大气吸收模型在太赫兹频段误差偏大的问题,基于分子响应理论的大气模型(atmosphere model,AM)提出了一条低误差的、符合ITU模型规范的新伪线谱(new pseudo-line,nPL).通过多目标粒子群算法对多参数进行拟合,设定多个目标函数,在尽可能不增大300 GH...     

NAT在网络中的应用

简单论述了NAT（网络地址翻译）在Internet网络中的应用,并通过实例给出了NAT在路由器应用中的三种具体方案。     

双柱切换色谱制备系统设计和实现

在模拟移动床色谱和循环色谱分离手性样品原理的基础上,设计了双柱切换系统及控制软件。该系统具有固定相的利用率高和溶剂的消耗量小的特点。为了验证分离原理的可行性。用该系统对华法令进行了连续制备。     

高温超导Bi2Sr1.6La0.6CuO6外延薄膜生长模式的AFM研究

利用ＡＦＭ对在（１００）和与（１００）有６°切偏角的ＳｒＴｉＯ３基片上用射频溅射方法制备的高温超导Ｂｉ２Ｓｒ１．６Ｌａ０．４ＣｕＯ６＋δ（Ｂｉ２２０１）薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片,实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于０．４°的（１００）ＳｒＴｉＯ３基片,本征的生长模式是梯田岛模式（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ模式）,每层的厚度为ｃ／２（１．２５ｎｍ）;在切偏角为６°的衬底上沉积的Ｂｉ２２０１薄膜则以台阶流模式（Ｓｔｅｐ－ｆｌｏｗｍｏｄｅ）生长。Ｂｉ系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。     

Hg_(1-x)Cd_xTe平面型In扩散及Hg扩散PN结的交流特性

Hg_(1-x)Cd_xTe材料是一种缺陷半导体,它既可通过控制缺陷成结,也可用掺杂方法成结。掺杂的方法又有扩散及离子注入两种。对不同形式的Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的性能进行研究,将有助于对Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的物理过程的理解。另一方面,平面工艺又是研制红外焦平     

机会总是留给有准备的人——童庆禧院士专访

童庆禧,遥感科学技术专家。中国遥感技术应用领域的最早开拓者之一,中国航空遥感的开拓者,高光谱遥感的倡导者。中国科学院遥感与数字地球研究所研究员;北京大学遥感与地理信息系统研究所所长;国家科学技术部国家遥感中心专家委员会主任;中国空间科学学会空间遥感专业委员会副主任委员;中国地理学会常务理事;中国遥感全国委员会秘书长;亚洲遥感协会理事;中国科学院院士;国际欧亚科学院院士;中国科学院遥感应用研究所前任所长;研究员;博士生导师;华南师范大学双聘院士。主编《中国典型地物波谱及其     

有机物结构诱导剂调控WO3晶体晶面的研究进展

太阳能半导体光催化技术由于其绿色无污染、可再生,有利于解决全球变暖问题等优点而受到国内外研究人员的广泛研究。由于半导体光催化剂的催化活性取决于其表面电子结构和原子结构,而这些结构又强烈地依赖于晶体层面,因此光催化剂的催化活性受到反应过程中暴露的晶面的显著影响。近年来,晶面调控工程已成为一种非常重要的半导体理化性质微调方法。三氧化钨(WO₃)半导体催化剂由于具有较好的光催化性能,常用作光电催化系统中的光阳极。本文针对目前国内外使用有机物(有机小分子及有机大分子)作为结构诱导剂对WO₃晶面调控的研究现状进行了综述,分析有机物对晶体晶面调控的规律和原理,寻找新的实验方向以及突破点,总结目前WO₃光电催化在实际生产生活中的应用,例如光电催化分解水、电致变色、气体传感器、有机污染物降解等,并对未来实验发展方向进行展望。     

高中低档数码相机性能比较

数码相机也叫数字式照相机,是一种光电一体化产品。它集成影像信息的转换、存储、传输等元件,具有数字化存取、与电脑交互处理和实时拍摄等功能。目前制造数字相机的不仅有柯达、富士、佳能、尼康、美能达、奥林巴斯、理光等著名胶卷和相机生产厂家,也有苹果、爱普生、索尼、卡西欧、松下等电脑或     

80MeV/u 16)O+Fe反应中靶碎片的产额研究

使用核化学技术测量了80MeV/u ¹⁶O离子和天然铁反应中25个靶碎片的生成截面.根据这些数据导出了电荷分布和质量分布.实验结果和以前发表的数据进行了比较,指出A=48质量链的电荷分布宽度参数σ_z和最可见电荷Zp随轰击能量增加而略微增加.根据高能核反应的极限碎裂和因子化概念讨论了靶碎片的质量产额分布.