肿瘤组织自体荧光光谱测量与分析

首先介绍了对人工培养鼠肿瘤组织的激光诱导荧光光谱的实验测量结果，并与同一机体正常组织的自体荧光光谱进行了比较，然后对肿瘤组织自体荧光的来源，与正常组织光谱特征差异的本质进行了详细分析，从而得出结论，生物组织自体荧光光谱能够反映肿瘤组织的特异性，可以作为组织诊断的依据。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定非贵金属齿科材料中痕量铍和镉

提出了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定非贵金属齿科材料镍铬合金、钴铬合金及钛合金中痕量镉和铍。用盐酸-硝酸-氢氟酸混合酸溶解试样,使用基体匹配法消除基体的干扰。镉和铍的质量浓度在1.0 mg·L-1以内均与其发射强度呈线性关系,检出限(3s)在0.000 6~0.014mg·L-1之间。方法用于非贵金属齿科材料样品的分析,加标回收率在97.0%~106%之间。     

反胶束固定化醇脱氢酶的制备及应用研究

研究十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)-辛烷-己醇反胶束体系固定化醇脱氢酶(ADH)的制备及应用。考察了含水量、CTAB和己醇用量对于ADH固定化的影响。对游离酶和固定化酶的催化动力学性质研究表明:酶促反应的最适pH值分别为8.2和8.8,最适温度分别为31℃和20℃,米氏常数分别为12mmol/L和7mmol/L。30℃时,游离酶存放150min后失活90%,固定化酶失活50%,表明反胶束固定化ADH有较好的热稳定性。应用此体系测定了试样中乙醇的含量。     

互联网+《高聚物合成工艺学》教学研究与实践

掌握高聚物合成工艺的过程与控制是高分子工程类专业学生必须具备的最基本技能。本校《高聚物合成工艺学》的课程教学以直观化、互动教学为基础,探索教学模式的革新,以培养学生的独立思考、工程实践能力并提高教学质量。随着"互联网+教学"的发展,微课、翻转课堂、慕课等教学形式给教师提供了很多可借鉴的手段,师生在课程教学活动中作用实现反转。基于原有教学方法及考核模式的研究,本文以《高聚物合成工艺学》的教学革新为目标,探索互联网+《高聚物合成工艺学》教学改革的一些教学思维和实践,仅供同行教师优化课程教学方法、提高教学质量参考。     

地方工科院校《功能高分子材料》课程教学内容的精选与实践

随着材料学的蓬勃发展,功能高分子材料的种类及用途日益繁多,因而《功能高分子材料》课程教学内容涵盖也不断延伸。针对地方工科院校高分子材料与工程专业人才培养的机制和目标,作者探索实践了如何以学生为本、以社会和行业的人才需求为导向,紧密联系地方经济与行业格局,因时因势对课程教学内容进行优化和完善。在此基础上,通过科学合理的教学实践,使学生既能牢固掌握功能高分子材料的基础知识,又能了解本领域最前沿的科学发展动态,拓宽学习思路,提高学习积极性,增强对专业的认可与对行业的期待。     

恒电流电解-BCO分光光度法测定纯铜中铜含量不确定度的评定

对采用恒电流电解-BC0分光光度法测定纯铜中铜含量的不确定度进行了评定.对测量重复性、电解重量法、光度法等影响测量结果的不确定度分量进行了分析和量化.当纯铜中铜的质量分数为99.93%时,扩展不确定度为0.01%,k=2.     

表面形貌对定向氧化锌阵列场致发射性能的影响

采用热蒸发的方法生长不同形貌的ZnO纳米材料。通过调节反应温度和氧气流量,生长了梳状ZnO ,ZnO纳米针和ZnO纳米柱状。场致发射测试结果表明一维纳米ZnO材料的表明形貌对其开启电场和发射电流有很大的影响。ZnO纳米柱阵列的开启电场最低,电流密度最大。这是由于它与衬底的良好接触以及较弱的场屏蔽效应。实验结果表明ZnO纳米柱阵列是一种优良的场致发射器件的冷阴极材料。     

TD-LTE终端芯片瓶颈期待突破

新闻背景全球移动设备供应商协会(GSA)近日发布的报告显示,截至目前,全球已有35家设备供应商提供大约100款LTE终端设备,包括最近在CeBIT展会与移动世界大会亮相并发布的产品。GSA报告中详细列出了每款LTE终端的制造商、型号、外型以及工作频率。大部分终端都支持现有多数移动通信技术,如HSPA、HSPA+、EV-DO与LTE的双模。从目前来看,     

考虑风电随机性的风-火-蓄机组组合模型研究

风电的随机性增加了风-火系统的发电成本.风电的随机性是风电自身特点决定的,单纯依靠其自身无法解决.为了减少风电随机性对风火机组的影响,给风-火系统配置抽水蓄能电站是有效方法之一.采用机会约束的方法来考虑风机的随机性,提出计及风电随机性的风-火-蓄机组组合模型.并通过验证证明其正确性.     

Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性

采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VIII型Ba8Ga16 xGexSn30(0 x 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.