基于空时域特征的视觉显著度图生成算法

本文提出了一种新的计算图像空时域显著图的方法,该算法首先用lucas-kanade金字塔算法求绝对运动矢量,用8参数透视模型计算背景运动矢量,再用二者的差值求时域显著图;然后利用颜色对比度和纹理信息计算空域显著图;最后,融合空时域并设置阈值得到总的图像显著图。实验结果表明,新算法能比已有算法更有效的提取视频图像的显著性区域。     

四种提高FMCW测距精度的方案及性能分析

针对调频连续波(FMCW)雷达在距离分辨率和测距精度上的设计需求,通过理论分析,找出影响FMCW雷达距离分辨率和测距精度的主要因素,指出可利用频谱细化方法来减少频率量化单元,提高系统测距精度。通过挑选工程设计中最具代表性的4个频率细化方案:采样序列补零法、基于复调制的ZFFT法、Chirp-Z变换法和FFT-DTFT结合法,进行了理论及性能分析,对4种方法在工程实现时所消耗的运算量和存储空间进行了横向对比,对算法的应用场合提出了使用建议。     

电子战用功率行波管

介绍了电子战装备中宽带行波管及微波功率模块的特点,概括了宽频带、小体积、高效率功率行波管的现状和发展趋势。分析了电子对抗用宽波束的单元功率特点,讨论了弹载、无人机等对高效率、大功率、耐高温行波管放大器的需求。详细介绍了国内外新一代超小型化行波管及模块的最新进展。     

基于覆盖条件下的GSM/WCDMA共址组网可行性分析

对于电信运营商而言,基站进小区选址的难度已远远大于2G建网之时,而有关运营商已有庞大的GSM网络,能否利用现有的2G站址和机房,实现机房、站址、传输资源共享,是电信运营商面临的主要现实问题之一。本文基于GSM／WCDMA技术特点,以密集城区为例通过2种方式对GSM和WCDMA网络的覆盖进行分析,探讨了海南联通GSM和WCDMA基站共址的可行性。     

非线性定标方法在炉渣成分分析中的应用

采用激光诱导击穿光谱技术对炉渣中的Ca、Mg含量进行了定量分析。由于炉渣成分复杂,建立的一元回归关系式往往得不到理想的结果,这时需要考虑多个自变量的回归分析问题。为了分析炉渣中Ca、Mg元素的含量,将炉渣中Mg、Ca、Fe、Si、Al的原子谱线强度以及Mg、Ca的离子谱线强度作为输入向量。由于不同谱线强度相差过大时,会使在计算出的权重系数中,不同谱线所占的比重大不相同。为了消除不同谱线强度差距过大的影响,对光谱强度进行标准化处理,把所有谱线强度的值放在了一个相似的范围。综合对比分析了非线性多元函数定标、BP神经网络定标以及径向基网络（RBF神经网络）定标在炉渣成分分析中的作用,并重点分析了RBF神经网络定标相对于传统非线性定标方法的优势。     

光控毫米波振荡器的新方法

本文提出了一种毫米波振荡器的光控新方法。与已有的方法不同,新的方法可给出正的光控频率变化。在我们的实验中,观察到了Ka波段Gunn氏振荡器150MHz的频率变化。     

CPDS联合EVLT治疗下肢静脉曲张的临床观察及护理

目的:回顾性分析应用冷冻点式剥脱联合EVLT治疗95例下肢静脉曲张的疗效及护理体会。方法:分别采用冷冻点式剥脱术及EVLT对95例下肢静脉曲张进行手术处理,术后观察患者恢复情况;结果:EVLT联合手术剥脱治疗患者35例,使用CPDS治疗患者60例,随访6月至23月,均无局部复发;结论:冷冻点式剥脱联合EVLT治疗下肢静脉曲张具有微创、安全、术后无复发的特点。     

使用方向参数的双三次图像内插方法

传统的双三次内插方法仅在水平和垂直方向估计丢失的像素,易在边缘或纹理区域产生抖动、振铃等现象。为了克服这种现象,提出一种新的使用方向参数的双三次图像内插方法。对待内插的像素,首先在其邻域计算水平、垂直、45°和135°四个方向的梯度,以提取图像局部边缘的强度和方向。对强边缘上的像素,直接沿边缘方向采用对应方向的双三次内插模型估计像素值;否则,先分别沿梯度较大的两个方向采用相应方向的双三次内插模型估计像素,然后采用适当的权系数对所得结果加权平均。此外,为减小计算复杂度,方法中还根据图像局部方差的大小,动态使用双线性内插方法。相比于双三次内插,提出的方法能有效地保存图像边缘和细节;同时,提出的方法还能够实现任意倍数的放大。实验结果表明,与现有的边缘导向的图像内插方法相比,提出的方法具有更好的主观和客观效果,同时计算复杂度并不高。      

螺旋线毫米波行波管及宽带毫米波功率模块的研制进展

本文介绍了中国电科12所K、Ka波段螺旋线行波管及毫米波功率模块研制进展情况,包括宽带行波管及毫米波功率模块,大功率通信/雷达用行波管、幅相一致行波管。目前已实现Ka波段小型化的宽带行波管及毫米波功率模块输出功率大于160 W;Ka波段幅相一致行波管相位一致性达到±25°;大功率毫米波行波管已形成系列化产品。     

一种新型高速嵌入式动态随机存储器

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器.该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成.MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元.写“0”操作通过正向偏置二极管实现,而写“1”操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现.由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用.