全文获取类型
收费全文 | 194篇 |
免费 | 25篇 |
国内免费 | 53篇 |
专业分类
化学 | 30篇 |
晶体学 | 6篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 3篇 |
物理学 | 46篇 |
无线电 | 185篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 21篇 |
2007年 | 22篇 |
2006年 | 20篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 12篇 |
2003年 | 10篇 |
2002年 | 13篇 |
2001年 | 13篇 |
2000年 | 26篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 2篇 |
1977年 | 1篇 |
1976年 | 2篇 |
1975年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
排序方式: 共有272条查询结果,搜索用时 461 毫秒
161.
介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构-OESCA(Odd-Even SnapshotCharge Amplifier)结构该结构像素电路非常简单,仅用三个NMOS管;采用两个低功耗设计的电荷放大器做列读出电路,分别用于奇偶行的读出,不但可有效消除列线寄生电容的影响,而且列读出电路的功耗可降低1 5%,因此OESCA新结构特别适于要求低功耗设计的大规模、小像素阵列焦平面读出电路采用OESCA结构和1.2μm双硅双铝标准CMOS工艺设计了一个64×64规模焦平面读出电路实验芯片,其像素尺寸为50μm×50μm,读出电路的电荷处理能力达10.37pC.详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的SPICE仿真结果和试验芯片的测试结果. 相似文献
162.
大气气溶胶不仅对全球的气候变化产生重大影响,其本身也是一种污染物,另外它在许多污染气体的化学反应中起重要作用。因此,实时监测大气气溶胶已成为环境领域的重要研究方向。差分吸收光谱技术是一种基于痕量气体“指纹”特性反演其浓度的光学遥感方法,同时该方法也可用于大气气溶胶消光系数的测量。文章介绍了利用闪烁差分吸收光谱系统监测大气气溶胶粒谱分布的方法,重点阐述了基于蒙特卡罗方法的粒谱分布反演算法,监测结果通过与PM10、能见度及Angstrom波长指数的对比证实了该方法的可行性,为近地面大气气溶胶监测提供了新的手段,同时也扩展了差分吸收光谱技术的应用范围,该方法对大气化学的研究有着重要的意义。 相似文献
163.
164.
给出了一种新颖的红外焦平面CMOS读出电路TDI功能的测试方法.该方法通过在电测试MOS场效应晶体管栅极施加不同波形的方波激励信号,观察输出电压波形的对应变化,验证TDI功能的信号延迟和累加操作是否正确.应用该方法实际测试了一款TDI型红外焦平面CMOS读出电路,各种激励模式下测试得到的输出波形均与预计的理想输出波形吻合,证明该测试方法可行,且简单、直观、有普适性. 相似文献
165.
铃木久男先生是日本知名珠算史专家,也是世界级珠算史研究大师。早在上个世纪八、九十年代,他率团二十余次来中国访问考察,为探求中国珠算史的真谛,踏遍中国很多省市,详细缜密地查阅相关历史资料,结识多位中国珠算史学者,曾与中国珠算史专家李培业共同主编《世界珠算通典》。1981年11月在陕西省户县作了题为"珠算是中国人发明的"学术报告,纠正了"中国珠算西来说"的说法。他以简要的文笔介绍了他对《算学宝鉴》的评价:《算学宝鉴》是中国最卓越的算书之一,是中国算书中关于算盘学术的有价值的三本文献之一;在中国的算书中,该书解说各种算法的详尽程度,亘古迄今从未见过,实在令人惊异不止。 相似文献
166.
167.
运用简单的模型,进行了数值计算和研究了可积量子系统的能谱涨落统计特征,揭示了其特征可能出现的低或高Poisson律行为。 相似文献
168.
采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅(a-Si∶H(Er))样品.进一步通过200—500℃温度递增的后退火处理,获得了不同的Si悬挂键(Si-DBs)密度,并在此基础上研究了Si-DBs密度改变对其Er光荧光(Er-PL)的影响.退火温度低于350℃时,Er-PL强度持续增加,但Si-DBs密度的变化显得较复杂;350℃以上时,Er-PL强度随Si-DBs密度的增加而减小.在200—250℃的退火温度范围内,Si-DBs是由于结构弛豫而减少;在250—500℃的退火温度范围内,可能由于Si—H键的断
关键词:
氢化非晶硅
铒掺杂
Si悬挂键
光荧光 相似文献
169.
皮秒时间相关单光子计数光谱仪的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
研制的皮秒时间相关单光子计数(TCSPC)光谱仪采用了具有分光时间弥散动态和静态补偿特性的光栅分光系统,利用多道谱分析仪开设时间窗口,测量时间分辨光谱。给出了光谱仪的原理和总体方案,介绍了系统的集成和工作流程。通过各种标准样品的试验数据分析和对比,得出系统具有最高的灵敏度单光子计数,时间分辨率达到8.8ps。 相似文献
170.
结合作者在这一领域近刊物的工作本文综述了能谱涨落统计研究的基本内容,评述了近年来这一领域的新近发展。/ 相似文献