集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型

本文系统地研究了多晶硅薄膜载流子迁移率与掺杂浓度的关系,发现不仅如前人所指出的那样,多晶硅载流子迁移率在中等掺杂区有一极小值,而且同时在高掺杂区存在一个极大值.本文将前人提出的杂质分凝模型、晶粒间界陷阱模型和杂质散射机构结合起来,从理论上计算了极大值及其相应的掺杂浓度与晶粒大小、晶粒间界界面态密度的关系,并与实验结果进行了比较.理论模型较好地说明了实验结果.     

新的硅外延生长法—两段外延生长技术

一、序言近年来,随着集成电路的发展和固体器件的高频化,要求硅外延片的生长层厚度要很薄,且在与基片的界面处杂质分布很徒。这样的片子,在高速变容二极管、双极集成电路、高频晶体管或以PIN二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管等为代表的微波二极管的制作中更是不可缺少。这些器件一般是在具有高浓度杂质的硅基片上或在掺杂了高浓度杂质的区域上生长具有低浓度杂质的硅外延层上制作的。一般,硅外延生长是利用调节掺杂气体的浓度或流量来控制杂质浓度。可是,在具有高浓度杂质的基片上生长具有低     

对拾音头用理想材料的追求

一、前言拾音头的特点之一是它在工作中受到机械力的作用而处于受迫振动状态,难以获得反馈用比较信号,只能以开环方式运用。因此,拾音头所采用的构件以及换能机制的性能直接在拾音头的各项性能中反映出来,研究和开发其     

Beta Decay of Neutron—Rich Nucleus ^208Hg

The β- decaying γ scheme of the neutron-rich nuclide 208Hg has been determined for the first time.The 208 Hg was produced in multi-nucleon transfer reaction taking place in the bombardment of 18O-beam on natural lead target,and the Hg-element products were sepaated with a gas-thermochromatography technique.The γ-ray single and γ-γ coincident spectra were measured.A partial 208 Hg γ scheme was proposed.Twenty-six γ rays were assigned to follow the β- decay of 208Hg.At the same time,a new level structure of the daughter nucleus 208 T1 was constructed,in which three new levels at 1.725MeV.1.652MeV,and 1.362MeV were affirmed.The experimental 208Tl level structure was compared with a shell-model calculation.     

ITU—R第一研究组研究情况介绍

ＩＴＵ—Ｒ第一研究组研究情况介绍国家无线电频管中心希玉久一、研究组概况国际电联无线通信局（ＩＴＵ—Ｒ）第１研究组（ＳＧＩ）即频谱管理研究组的工作领域是频谱管理，主要负责频谱管理技术的研究开发，无线电频谱有效利用的原则和应用，频率共用的原理和技术，以及...     

新型双环路电流型压控振荡器

基于电流环振结构,同时应用了负延迟前接机制,实现了一种新型的双环路电流型压控振荡器结构,不仅提高了压控振荡器的振荡频率,而且也优化了噪声特性.设计采用1.2μm上海贝岭Bsim CMOS工艺参数,利用Cadence Spectre工具仿真.仿真结果表明,新结构与其他结构相比在频率特性上有近200MHz的提高,噪声特性方面则有明显改进,偏移中心频率100kHz处的相位噪声为-75dbc/Hz.     

稀土(Ⅲ)-冠醚配位作用的热力学性质Ⅱ:臂式15-冠-5和臂式18-冠-6与稀土(Ⅲ)硝酸盐在无水乙腈溶液中配位的量热滴定

本文用量热滴定研究了N-苄基-单氮杂-15-冠-5与稀土(Ⅲ)硝酸盐(La,Ce,Pa,Nd,Sm,En,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb)和N-苄基-单氮杂-18-冠-6与稀土(Ⅲ)硝酸盐(La和Ce)在无水乙腈溶液中,298.15K时配位作用的热力学性质、化学计量法表明,所有稀土硝酸盐均与臂式冠醚形成1:1配合物.实验中,由联接的计算机直接算出了配合物 的稳定常数和配位反应的热焓,进而算出了配位自由能和配位熵.从热力学的观点,讨论了冠醚环的尺寸效应、空间构型等对配位稳定性的影响.     

掺杂的a-Si_(1-x)C_x:H膜的LESR研究

本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si_(1-x)C_x:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR 特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si_(1-x)C_x:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。     

高密度CMOS门阵列及其特性

由于功耗低并且在大规模集成时也能期望高速工作的CMOS大规模集成电路是各个系统中最适合的大规模集成电路,由它实现的门阵列对设计者来说是非常有吸引力的器件。因此,在电子仪器的各个领域,使用CMOS门阵列的装置业已开始进行开发竟争,如何巧妙地引入门阵列,成为胜败的重要关键。