Quantum Fluctuation of Mesoscopic Capacitance Coupled Circuit in a Thermal Vacuum State

The quantum fluctuations of mesoscopic capacitance-coupled circuit in thermal vacuum state are investigated by using the theory of thermal field dynamics on the basis of quantization of the mesoscopic circuit. It is shown that under a definite temperature, the fluctuations of electric charges and currents change with temperature. The higher the temperature, the more quantum noise the coupled circuit exhibits.     

半导体器件的加速试验方法

持续努力提高元器件及材料可靠性的结果，诞生了许多的高可靠性产品。由此减少了故障发生的机会，而具体作可靠性评价试验则需要很长时间。人们希望进行更短时间获得有效结果的评价试验，即加速试验。但是所谓加速试验并非单纯加强应力缩短时间即可，同时它也不是全能的试验。理解了这一     

同步光纤网路(SONET)的观念与测试技术(四)

前言在前期里,我们已经为读音介绍了SONET NEs各层级的维护信号(Maintenance Signal)、对维修人员有迫切需求的回路命令(Loopback),以及高速判断介面参数(Optical Interface Parameters)等三大重要测试项目。在本期中,我们将与读者共同来探讨DSn(n=1,3)信号的电介面参数,以及此介面的抖动(Jitter)参数的量测。     

CCD摄象器件[12]——图象传感器的特性

电荷耦合器件(CCD),作为固体图象传感器,已开拓了从强日光照直到低光强下应用的广阔应用领域。本文主要介绍CCD图象传感器的有关特性。一、分辨率图象传感器的重要特性是分辨率。如前所述,分辨率可用器件的调制转移函数(MTF)     

64K位NMOS动态RAM

MOS存储器的高集成度就产品的水平来讲仍然继续以4倍/3年的比例增长。从维持该局面的技术准备情况来看,预计目前这种发展趋势还将继续下去。众所周知,带动这种高集成化技术的牵引车是动态NMOS存储器。动态存储器产品研究重心已开始从16K转向64K。用户强烈希望64K能在IBM公司的新系列中得到应用。但长期以来,半导体厂家并没有满足用户们的这一愿望。其主要原因除了需要微细加工技术的制造工艺和软误差等问题外,还需要考虑所谓的电源电压问题。开始的     

CCD摄象器件—转移过程

光照射到CCD摄象器件的光敏面上将产生电子——空穴对,其中的少数载流子被时钟脉冲产生的势阱取样,然后聚集起来形成信号电荷包,进而在时钟脉冲驱动下由移位寄存器转移到输出端而取出。本文讨论信号电荷在CCD中的转移过程。在三相CCD中,信号电荷包存储在其中     

用光学显微术和X-射线衍射法研究焦炭结构

用X-射线衍射测定了具有各种不同光学组织(从各向同性到直径大于60μm 的广域)的24种焦炭。研究了光学组织指数(OTI)与微晶高度和面间距之间的关系。对于光学组织中大于中粒锒嵌(1.5—5.0μm)的焦炭,其OTI 值随X-射线衍射指数的变化很小。对于光学组织中结构很小的焦炭,则微晶高度急剧下降和面间距增加。这些结果可以解释为当生成中粒锒嵌焦炭时,流动中间相融并,消除了缺陷。而光学组织尺寸较小的焦炭则是未经融并,因此缺陷残存于焦炭中,从而降低了结晶化程度。     

制作高集成度动态RAM的各种单管单元结构的综合比较

大容量MOS动态RAM的进展显著。促进这种进展的基本技术之一是单管单元。存储单元的设计左右着存储器芯片的整个设计。根据字线和数据线(位线)的结构,可以将在16K位阶段中已成为主流的单管单元分为几种。作者通过综合性的评价,主张对高集成度动态RAM采用低阻材料的字线形成的折叠式数据线最为合适。 集成度一但从256K位提高到1M位以上,信号电荷量的减少就成为问题。为了改善这一点,作为单管单元介绍堆积型和开槽型结构。也要涉及到最近的CMOS化的倾向。作者认为,最重要的是成本,目前尚未见到能取代单管单元的实用单元。     

高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究

 在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下，从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO₃、单稀土氧化物Tb₄O₇、CeO₂和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO₂+Tb₄O₇等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa，温度高于600 ℃时发现了混合物CeO₂+Tb₄O₇、氧化物Tb₄O₇中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明，对应这一电阻变化，在结构上出现了变化。结果分析表明，这一变化与Tb⁴⁺→Tb³⁺的价态变化密切相联。