两亲性聚合物刷的合成和溶液自组装

结合可控自由基聚合和铜催化的叠氮-炔环加成(Cu AAC)反应,合成了一系列Ab BA型两亲性的聚合物刷.其中A段为亲水性的聚(N,N'-二甲基丙烯酰胺)(PAm);B段为高密度接枝的聚合物刷,其侧链为疏水性的聚苯乙烯(PS).通过核磁氢谱(1H-NMR),凝胶渗透色谱(GPC)表征了聚合物刷的组成及结构,其侧链接枝密度约为100%.研究了亲水链段含量不同的聚合物刷在多种条件下的溶液自组装行为,通过透射电子显微镜(TEM)表征了组装体的形貌.在相同的组装条件下,两亲性聚合物刷中亲水链段含量较高时(5%),组装体形貌为球形,而随着亲水链段含量降低,形貌向片层状胶束和囊泡转变.对聚合物刷PAm195-b-(PA-g-PS67)153-b-PAm195的自组装研究表明,提高初始浓度促使组装体形貌向片层和囊泡转变;采用与PS的溶度参数相近的良溶剂,可提高胶束核的活动性,组装体更容易形成囊泡(热力学稳定态);而采用与PS的溶度参数相差大的选择性溶剂时,组装体倾向于聚集形成大尺寸的囊泡.     

基于张量结构的快速三维稀疏贝叶斯学习STAP方法

当机载雷达处于非正侧视工作模式时,非平稳杂波会对运动目标检测造成严重干扰。传统三维空时自适应处理(3D-STAP)方法通过构造俯仰-方位-多普勒三维自适应滤波器,可有效抑制非平稳杂波,然而巨大的系统自由度导致其在非均匀杂波环境下训练样本严重不足。虽然稀疏恢复(SR)技术可有效改善样本需求,但庞大的运算开销又使得该技术难以应用于实际。针对上述问题,该文结合机载雷达回3阶张量结构提出一种新的快速三维稀疏贝叶斯学习STAP方法,通过采用运算开销更低的张量处理将大规模矩阵求解拆分为多个小规模矩阵计算,从而大幅降低运算复杂度。详尽的数值实验验证了所提张量基SR-STAP方法可在维持SR-STAP小样本处理性能不变的基础上,将运行时间直接降低数个量级,因此是一种更适用于实际工程的SR-STAP处理方式。      

与系统LSI相对应的80nmCMOS晶体管

<正> 目前,三菱电机公司通过开发、引进新的结构源、漏、低温氧化膜淀积技术已成功地开发出与系统LSI相对应的高性能80nm CMOS晶体管。 新开发的晶体管,其栅长可缩小到80nm,在n沟晶体管中实现了830μA/μm,P沟晶体管实现了405     

用于SDH网的微波接力系统的传输特性和性能指标

我刊１９９５年第１期上已刊出有关ＳＤＨ系统的第７５０号建议的译文，为配合“ＳＤＨ微波通信系统”的研究工作，现刊出第７５１号建议的译文，为便于对照，刊出译文的章节保持与原文一致。     

数字微波应用于SDH网的一些问题

本文论述了数字微波应用于ＳＤＨ网的一些问题以及ＳＤＨ数字微波通信系统的关键技术。     

CMOS电路的最大动态功耗计算和测试生成＊

本文首先提出,CMOS电路的最大动态功耗计算,可以通过计算在特定输入序列作用下电路中的不变门数的最小值来实现。本文提出的极性推导、赋值法可以快速求解不变门数的最小值,并生成相应的输入序列。该算法与电路的输入变量数无关。     

高功率因数,高效率电子镇流器控制器ML4831

ＭＬ４８３１是美国Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｎｅａｒ半导体公司生产的高集成度电子镇注器控制器。本文介绍这种电路的基本工作原理、特点及典型应用。     

韩国和台湾的DRAM行业半数以上转行加工线业务

<正> 据《Semiconductor World》Vol.20,№.2上载文报道,韩国和台湾的 DRAM 厂家为了规避风险,2001年,把半数生产线分配改作加工线业务和专用集成电路业务。这样一来,Winbond(华邦)、Nan-Ya(南亚)等台湾 DRAM 厂家和韩国的现代、三星电子等的加工线业务激增,年产量相当于480万枚的生产线全都投入到加工线市场。这说相当于 TSMC(台湾集成电路)的全部生产线和 UMC(联华电子)的一半生产线相加在一起的规模。台湾 DRAM 厂家中,VIS 积极地进入到加工线市场,把月产量为25000枚的生产线全部转为加工线来使用。