格子Boltzmann方法模拟融化相变过程

建立融化和自然对流耦合的格子Boltzmann双分布函数模型,采用焓法迭代求解相变非线性源项,并通过变松弛时间方法处理固液两相变热物性间题.热传导融化过程的计算值与分析解的对比分析说明该模型能够准确地模拟融化过程.自然对流条件下融化过程的模拟结果表明自然对流在一定程度上影响了融化传热及融化速率等,体现出与热传导融化不同...     

流动注射-化学发光法测定8-羟基喹啉-5-磺酸

<正>8-羟基喹啉是合成克泻痢宁、氯碘喹啉、扑喘息敏的原料,也是染料、农药中间体。8-羟基喹啉-5-磺酸是由8-羟基喹啉磺化而得,主要用作有机合成中间体、分析试剂和医药中间体,而且还是一种高铁试剂"试铁灵",测定铁的灵敏度比较高,一般用于实验室中的化学分析。目前有关8-羟基喹啉-5-磺酸的     

基于粒子群算法和航行规则的分步多船避碰路径规划

针对宽水域多船避碰过程中路径规划难与航行规则结合的问题,提出一种分步多船避碰路径规划算法。首先将障碍船视为静态障碍物,利用极坐标空间的粒子群路径规划算法结合船舶安全领域进行静态路径规划,得到船舶避碰转向点;然后利用航行规则对转向点的转向角度进行动态修正。通过对算法进行仿真验证,能够很好地解决多船避碰路径规划的问题,为解决多船避碰问题提供一种新的思路。     

对信号情报系统抽样调查

1 信号情报基础美国国防部的军用术语词典上把信号情报定义成“由通讯情报(COMINT)、电子情报(ELINT)和遥测情报组成的情报信息.”简单地说,信号情报包括电磁辐射的截获、表征、处理以及把这些数据转换成情报所进行的分类.2 信号情报系统硬件信号情报系统由三大部分组成:天线、接收机和处理器.天线可以由信号情报系统单独使用,也可以和其它系统共用.信号情报系统天线的某些指标参数之间相互有抵触.首先,由于事先并不知道辐射源的位置、频率、波形,必须使用全向和宽带天线来提高截获概率.但全     

应用埃尔米特插值作心电图基线漂移校正

消除心电图的基线漂移是个重要问题。本文采用分片三次埃尔米特插值来作基线漂移校正,提出了当心率变化引起插值区间信号长度变化时,插值基函数的线性变换规则。由此可以保持拟合的高精度,又减少计算量,有可能用于实时心电监护。如果监护仪中的CPU能力有限,本文还提出了一种计算埃尔米特插值函数的硬件电路,使每一点的计算时间缩短为12μS。     

马拉硫磷分子印迹聚合物的制备及其在固相萃取中的应用

以马拉硫磷为模板分子,采用原位逐步聚合法制备了具有良好识别性能的分子印迹聚合物(MIPs),考察了马拉硫磷、甲基对硫磷、对硫磷及甲胺磷在马拉硫磷聚合物的选择性分离富集特性。用聚合物固相萃取了蜂蜜、蔬菜和天然水中的马拉硫磷。结果表明,聚合物对模板分子产生了印迹效应,对马拉硫磷有明显的选择性。流速为1.0 mL/min,进...     

桑色素修饰的纳米TiO_2分离富集铬和铝

建立了在表面活性剂十二烷基硫酸钠(SLS)的活化作用下,桑色素修饰的纳米TiO2分离富集,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)测定Cr3+和A l3+的新方法。考察了溶液pH、洗脱条件和干扰离子等因素对分析物分离富集的影响。结果表明,在pH 3.0时,Cr3+和A l3+可被桑色素修饰的纳米TiO2定量富集,吸附的金属离子可用1.5 mL 0.50 mol/L HC l溶液完全洗脱。在优化的实验条件下,纳米TiO2-桑色素对Cr3+和A l3+的吸附容量分别为9.69 mg/g和12.76 mg/g。本法对Cr3+和A l3+的检出限(3σ)分别为:0.21和0.49 ng/mL,相对标准偏差(RSD)分别为2.2%和1.6%(n=11,C=50 ng/mL)。本法应用于藏药和扇贝标准样品(GBW 10024)中Cr3+和A l3+的测定,测定值与标准值基本吻合,分析结果满意。     

藻红-Cu(Ⅱ)配合物与牛血清白蛋白作用的共振光散射研究及其应用

研究了藻红-Cu(Ⅱ)配合物与牛血清白蛋白(BSA)相互作用的共振光散射光谱(RLS)和电子吸收光谱的特征,建立了利用金属配合物作为探针测定痕量蛋白质的分析方法.藻红与Cu(Ⅱ)形成的配合物导致RLS强度增大,同时引起电子吸收光谱强度减小.在pH 3.78的酸度条件下,藻红-Cu(Ⅱ)配合物与牛血清白蛋白(BSA)体系...     

锗单晶在酸性SiO2抛光液条件下的抛光机理及加工工艺

该文研究了化学机械抛光(CMP)条件下,锗单晶在含HNO₃的SiO₂抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间,分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明,在SiO₂抛光液pH值为1~2时,SiO₂抛光液中存在 Si—OH和 Si—O^-形式;锗单晶先与HNO₃反应生成Ge(NO₃)₄,而后Ge⁴⁺的含氧酸盐会剧烈水解生成Ge—OH,Ge—OH 继续反应并以Ge—OH₂⁺形式存在。由于表面电荷的吸引,Si—O^-和Ge—OH₂⁺在锗单晶表面生成Si—O—Ge软化层,从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。抛光时间为15~20 min时,机械抛光和侵蚀的法向速度处于平衡状态,CMP抛光后锗单晶表面粗糙度S_a≤0.8 nm,10倍显微镜下无划痕、麻点。