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141.
印制板生产过程中,基材不可避免会出现平面上的尺寸涨缩变形,业内一般对此种变形进行经验性或基于试制的结果进行反向预补偿,此种预补偿有一定概率达不到预期效果.文章提出通过分区抓取PCB板件的几何中心,并在模拟平面二维线性形变的基础上对PCB成品尺寸变形进行复合补偿,可以有效解决上述问题.  相似文献   
142.
包分类技术作为网络交换业务的核心技术,在保证网络的高带宽和低延迟方面发挥着重要作用。在核心网与承载网领域,高性能网络对交换、路由、QoS(Quality of Service)等业务提出了更高的要求。目前高端交换芯片的主流技术仍以基于硬件的包分类算法为主,其中又以TCAM技术的应用最为成熟。本文分析了当前TCAM算法应用现状和研究进展,系统性地介绍了TCAM中的范围匹配和多匹配两大核心问题及其解决方案,对比阐述了现有算法的优点和缺点,最后给出了未来TCAM包分类算法的研究趋势。  相似文献   
143.
片螺素[1](Lamel larin)及其类似生物碱是近年来自海洋生物中分离得到的一种海洋活性物质,迄今为止发现有39种[1][2]。所有的片螺素都具有一定的生物活性[3]。但由于海洋生物中片螺素具有含量低,分离困难等特点,因而其合成研究是十分有意义的。本课题组在国家自然基金资助下,设  相似文献   
144.
弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PIN-PT)相较于常用的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)具有更高的居里温度,在高稳定性、高性能的传感器、换能器方面具有应用前景。本工作采用谐振法研究了[001]方向极化的0.66PIN-0.34PT铁电单晶的全矩阵机电性能参数。0.66PIN-0.34PT 单晶的三方-四方相变温度(TRT)约为160 ℃,居里温度(TC)约为260 ℃,室温压电系数d33d31d15分别为1 340 pC/N、-780 pC/N、321 pC/N,介电常数εT33、εS33、εT11、εS11分别为2 700、905、2 210、1 927,机电耦合系数 k33k31k15kt分别为 87%、58%、38%、61%。其纵向压电常数(d33)和纵向机电耦合系数(k33)小于 PMN-PT 单晶,但是横向压电性能(d31)和剪切压电性能(d15)都略高于PMN-PT单晶。另外,研究了机电耦合性能随温度的变化趋势,发现0.66PIN-0.34PT单晶在150 ℃以下有较好的温度稳定性。  相似文献   
145.
近红外快速水份检测技术的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
近红外检测技术是目前发展最快和最具有前景的分析技术之一,简要介绍了近红外检测技术的发展、优点和原理.利用该技术设计了豆类产品的水份检测仪器.并对近红外技术在水果、蔬菜、奶制品、制药和化工等方面的应用前景做了展望.  相似文献   
146.
地面无线广播电视频率作为稀缺资源,高效合理公平的分配利用一直是国际电联研究的专门课题。国家广电总局广播电视规划院长期参与国际电联相关各研究组的对口研究工作。本文针对国际电联区域性规划会议(ITU RRC-06)以及欧洲地面电视规划组开展的数字地面电视频率规划工作进行分析研究,总结了国际电联会议(含欧洲)频率规划的需求、原则和方法,并对我国开展地面数字电视频率规划工作提出了具体的建议,供业界同仁参考。  相似文献   
147.
HFC网络设备管理系统标准与应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
日前,HFC网络设备管理系统国家标准已正式颁布实施,作者作为主要参加人参与了该标准的起草工作。本文阐述了规划建设统一、开放的HFC网络管理系统的必要性,介绍了国标与IEC国际标准的区别,并对国标在应用中需注意的关键技术问题进行了初步探讨。  相似文献   
148.
采用考虑颗粒脉动流动对气相湍流流动影响的大涡模拟(LES)研究气相湍流,采用直接模拟蒙特卡罗方法(DSMC)模拟颗粒间的碰撞。单颗粒运动满足牛顿第二定律,颗粒相和气相相间作用的双向耦合由牛顿第三定律确定,考虑超细颗粒间的van der Waals作用力。数值模拟垂直管内超细颗粒气固两相流动,对颗粒相速度、浓度以及团聚物流动过程进行分析。  相似文献   
149.
针对多目标复杂场景下装备协同引导信息处理流程复杂,计算量大,难以保证引导数据率要求的问题,本文提出了一种服务/应用分离的分布式并行计算软件架构。服务层软件侧重于引导消息生成及分发,在服务访问方面采用微服务架构以及主备机冗余设计均衡系统负载、提高系统稳定性,在信息处理方面采用多线程技术配合openMP并行计算库提高计算效率。应用层软件侧重于引导信息显示及控制,基于Qt实现了多进程插件式集成框架,提高了拓展性和安全性。本文验证了饱和攻击场景下不同软件架构引导信息生成的指标,本文提出的软件架构在平均耗时、数据率达成率、丢帧率、重帧率等指标上大为改善,具备很高的实用价值。  相似文献   
150.
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nm-KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀Si的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析。结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中Si各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性。  相似文献   
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