CORBA管理代理(CMA)在综合网管系统中的应用研究

本文首先分析了公用对象请求中介体系结构(CORBA)技术在网络管理系统中的优势,进而提出CORBA管理代理(CMA)。分析了CMA的优势,规范及参考实现。     

CDMA风头正旺 2006年将强势发展

C D M A发展组织C D G近日宣布,截至2005年年底,CDMA2000运营商数量已经达到143家,六大洲的67个国家已部署了该项技术。此外,2005年,CDMA20001xEV-DO(简称1xEV-DO)网络的数量也由16个增加到了29个,增长了近一倍,突出显示了该行业向先进宽带无线服务的快速转变。预计2006年,CDMA2000仍将保持强劲势头,将有30家新运营商部署CDMA2000商用网络(去年有20家),目前有21家运营商正在进行测试。未来几个月内,1xEV-DO网络的数量将达到70个,其版本A将进入商用阶段。CDMA2000是专为IMT-2000的新频段而设计的。c d m a O n e、TDMA、…     

多厂商环境下SDH网络管理系统的数据库访问模式

对多厂商设备组成的 SDH传输网子网管理系统 ( SNMS)使用的数据库结构进行研究。阐述了不依赖于单个数据库系统和技术的模式。并且实现子网域管理中对象的虚拟定址     

藻蓝蛋白原位还原Ag（Ⅰ）与纳米Ag（O）形成动态过程的谱学研究

在4℃避光条件下，将藻蓝蛋白（简称PC）与AgNO3作用，通过UV，FS，FTIR等谱学方法研究了PC与Ag（Ⅰ）原位还原与纳米Ag（0）粒子形成的动态过程。结果显示：PC在615nm的特征吸收峰强度明显减弱，并随Ag（Ⅰ）浓度增加和时间延长单调降低；PC的荧光发射峰和荧光激发峰也均呈现衰减趋势。同步荧光光谱观察到纳米Ag（0）粒子形成的动态过程。用TEM观察到所形成的Ag（0）分散于PC表面，形成PC为核，纳米银为壳部分包覆的生物缀合物，粒子呈球形，有较窄的分布尺寸，粒径在15～30nm之间。     

郑秀文《温柔》

郑秀文最近可谓是够红够紫,唱片一张接一张,先不说是否张张好听,单是这阵势就够那些新人们一身冷汗。 新专辑《温柔》魅力实在不可抵挡,重新造型的郑秀文多了点仙气,赋有创意的背景增加了整张专辑的神秘感。除了10首新歌外,还特意奉送“交换温柔”的MTV以供大家欣赏。为了让新专辑再创佳绩,10首歌均精挑细选,还收录了梁咏琪写的《跳伞》,整体来看制作比较     

低串扰大模场面积多芯光纤的设计与优化

当前光通信网络正朝着大规模、大容量的方向迅速发展,传输带宽所面临的巨大增长压力对通信光纤提出了更高的要求。在此背景下,基于空分复用的多芯光纤充分利用了空间维度,可以有效解决传统单模光纤的理论传输容量极限导致的容量紧缩问题,而大容量传输系统要求多芯光纤具有低串扰大模场面积的光学特性。通过采用光束传输法和有限元法模拟仿真了多芯光纤中各结构参量对芯间串扰和有效模场面积的影响,并利用两种不同参数的多芯光纤进行了实验验证,对芯间距、纤芯/沟道的尺寸和折射率进行了优化,在理论上完成了串扰小于-45dB、模场面积大于130μm2多芯光纤的设计。     

多厂商环境SDH网络管理系统数据库访问模式

对由多厂商设备组成的SDH传输网网络管理系统(SNMS)使用的数据库结构进行研究。数据库中存放SNMS的被管理对象的实例构成的管理信息树(MIT)，同时也要存储反映被管理对象状态变化的事件。管理者和代理应用程序以客户和服务器方式使用数据库。     

数值求解不可压缩流动的投影方法研究进展

在过去的20多年中, 投影方法通过速度和压力的解耦计算, 获得了比全耦合方法更高的计算效率, 这个显著优点使之得以广泛应用. 目前, 在计算非定常不可压缩流动的原始变量形式的数值方法中, 投影方法得到了越来越广泛的应用. 本文根据投影方法的构造思路,将众多的投影方法分成了3类, 即: Helmholtz-Hodge分解类投影方法、算子分裂类投影方法和局部连续投影方法, 并详细的介绍了3类投影方法的发展历程和求解步骤. 从投影方法的求解过程不难发现, 通过速度和压力的解耦计算, 提高了投影方法的计算效率, 但同时也给投影方法的时间精度分析带来了困难, 并长期成为大家争论的焦点. 普遍认为, 速度的时间精度比较容易达到高阶, 但是压力一般来说只有一阶精度. 但通过对3类投影的对比分析后, 我们认为, 局部连续投影方法将有助于澄清目前投影方法存在的相关争议, 并使得发展高阶精度的投影方法在理论上和技术上成为可能.      

Nanomorph Silicon Thin Films Prepared by Using an HW-MWECR CVD System

We have prepared hydrogenated nano-amorph silicon (na-Si:H) films by using a hot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance (HW-MWECR) chemical vapour deposition (CVD) system. The films are deposited in two steps: in the first 9rain, a hydrogenated amorphous silicon layer is deposited by using hydrogen-diluted silane with a concentration of SiH4/(SiH4 H2) = 20%, and then a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer is deposited by using various highly hydrogen-diluted silane. The Raman TO-like mode peak of the films was found in the range 497-508cm^-1. When the silane concentration used for preparation of the nc-Si layer is 14.3%, the film has a large crystalline volume fraction of 65.4%, a wide optical band gap of 1.89eV and a low hydrogen content of 9.5 at.%. Moreover, the na-Si:H films rather than nc-Si possess high photosensitivity of about 10^5.