一种基于局部间断Galerkin方法的IC互连线电容提取策略

求解椭圆方程的局部间断Galerkin(LDG)方法具有精度高、并行效率高的优点,且能适用于各种网格。文章提出采用LDG方法来求解IC版图中电势分布函数满足的Laplace方程,从而给出了一个提取互连线电容的新方法。该问题的求解区域需要在矩形区域内部去掉数量不等的导体区域,在这种特殊的计算区域上,通过数值测试验证了LDG方法能达到理论的收敛阶。随着芯片制造工艺的发展,导体尺寸和间距也越来越小,给数值模拟带来新的问题。文章采用倍增网格剖分方法,大幅减小了计算单元数。对包含不同数量和形状导体的七个电路版图,用新方法提取互连线电容,得到的结果与商业工具给出的结果非常接近,表明了新方法的有效性。     

新型多功能厘米波频率合成器设计

该文介绍了一种新型多功能厘米波频率合成器,利用锁相倍频的方式,首次将直接数字频率合成器(DDS)输出的连续波(步进1 MHz)、常规脉冲、重频抖动、重频参差、双脉冲、捷变频信号、组变信号、二相编码和线性调频等信号搬移至0.8~18 GHz频段,外形尺寸为76 mm×70 mm×10 mm,体积约为传统类似频率综合器项目的1/20,具有工作频带宽、频率高、体积小等优点。     

一阶不连续光学元件MRF流体动力学分析方法

一阶不连续光学元件的磁流变抛光问题是制约我国高精高效光学制造领域发展的难题之一,其涉及锥形、矩形等几何形貌元件的光学元件加工问题以及常见光学元件的边缘效应控制问题。提出了基于一阶不连续光学元件的磁流变抛光流体动力学方法,建立了该类元件抛光区域流体动力分析的理论方法和数值手段。首先,对磁流变抛光工况下的流场进行了合理假设,其次,从微元流体动力方程出发,建立了适用于一阶不连续面形的流场分析方法,最后,基于有限差分法和数值迭代方法建立了流场控制方程的数值计算方法。通过对切入距离为1~18 mm的抛光过程进行数值仿真,发现该方法所获取的一阶不连续面形的压力分布形态是正确的,产生的不连续压降与实验观测一致。     

高压下铌酸锌钶铁矿结构相变的原位拉曼光谱和X射线衍射研究

通过原位高压拉曼光谱和X射线衍射对ZnNb₂O₆晶体在29 GPa以下的结构转变进行了研究.拉曼光谱显示, 多数拉曼峰强度减弱, 且随着压力增加向高波数方向移动.压力频移曲线分别在10, 16 和20 GPa处形成了拐点.原位X射线衍射谱在10.6 GPa以上有旧峰消失和新峰出现.结果分析表明, ZnNb₂O₆钶铁矿结构压缩过程中发生了一个可逆压致相变, 此相变从10 GPa左右开始, 到16 GPa左右完成, 继续增加压力到20 GPa以上则形成无序状态.     

Novel high-K with low specific on-resistance high voltage lateral double-diffused MOSFET

A novel voltage-withstand substrate with high-K (HK, k>3.9, k is the relative permittivity) dielectric and low specific on-resistance (R_on,sp) bulk-silicon, high-voltage LDMOS (HKLR LDMOS) is proposed in this paper. The high-K dielectric and highly doped interface N⁺-layer are made in bulk silicon to reduce the surface field drift region. The high-K dielectric can fully assist in depleting the drift region to increase the drift doping concentration (N_d) and reshape the electric field distribution. The highly doped N⁺-layer under the high-K dielectric acts as a low resistance path to reduce the R_on,sp. The new device with the high breakdown voltage (BV), the low R_on,sp, and the excellent figure of merit (FOM=BV²/R_on,sp) is obtained. The BV of HKLR LDMOS is 534 V, R_on,sp is 70.6 mΩ·cm², and FOM is 4.039 MW·cm^-2.     

数据驱动梯度结构材料弹塑性本构

梯度结构材料因其优异的力学性能被广泛应用于工程结构中.论文整合塑性理论和人工神经网络技术,发展了一种构建梯度结构材料弹塑性本构模型的新方法.该方法基于梯度结构材料不同位置的微结构,构建不同代表性体积单元,进而生成应力应变数据,应用生成的数据训练人工神经网络,建立基于神经网络的材料本构模型.应用该方法,论文开展了针对实际...     

Non-Born-Oppenheimer study of the muonic molecule ion 4Heμ^+

Accurate non-Born-Oppenheimer variational calculations of all bound states of the positive muon molecular ion 4Heμ^+ have been performed using explicitly correlated Gaussian functions in conjunction with the global vectors.All the energies obtained are accurate in the order of 10-6 Hartree(1 Hartree=27.2114 eV).Compared with the binding energies obtained from calculations based on the Born-Oppenheimer potential with the mass-weighted adiabatic corrections(Chem.Phys.Lett.110487(1984)),the largest relative deviation is up to 15%.By analyzing the average interparticle distances and possibility distributions of interparticle distances of this system,it is confirmed that the Born-Oppenheimer approximation is reasonable for this system and that 4Heμ^+ can be regarded as a system of positive muon bound to a slightly distorted helium atom.     

阴离子型配体镍基正极材料在水系碱性电池中的储OH-性能

采用电沉积法制备了Ni(OH)₂、Ni₃N、Ni₃S₂ 3种不同阴离子型配体的镍基化合物,并对比了其在水系碱性电池中的储OH^-性能。研究发现,在循环过程中,Ni₃S₂表现出最高的初始放电容量(230 mAh/g),扫描200圈后为115 mAh/g;而Ni₃N表现出最高的库仑效率(98.5%)。分析其原因,典型的电池型Ni(OH)₂材料在OH^-脱嵌过程中伴随着晶体结构的坍塌,造成循环性能和离子迁移能力快速下降;而兼具赝电容特性的Ni₃S₂和Ni₃N因无定形的脱嵌过程缓解了结构的坍塌,从而获得较高的电化学储OH^-性能。     

InCn（n =1-10）团簇的结构和稳定性的理论研究

采用密度泛函理论的B3LYP方法,在LANL2DZ水平上对团簇InC_n(n=1-10)的结构、稳定性和电子性质进行了优化和计算.最终得到了InC_n团簇体系的最稳定结构,同时计算出了各基态结构相应的电子态、包含零点能在内的总能量、偶极距、自旋污染期望值、转动常数和振动频率等.通过分析得出：铟原子位于碳链一端的直线型结构是相应团簇的最稳定构型;InC团簇除外,直线型系列团簇的基态都是二重态.通过计算和分析增量结合能以及能量二阶差分可以看出,随着团簇尺寸n的增加,InC_n团簇的稳定性呈现出明显的奇弱偶强振荡规律.通过碎片能的计算,找到了失去杂质原子的离解通道就是该系列团簇的形成通道.     

一种最小误码率约束的动态地理协作路由算法

为了提高无线多跳通信的可靠性,提出一种联合物理层和网络层设计的动态地理协作路由(DGCR)算法,推导计算了单个协作单元协作中继节点的选择区域,在该区域内选择的协作中继节点可以满足误码率要求.最佳中继节点的位置会根据实际协作中继节点的位置和目的节点的位置动态选取.仿真计算表明,该算法相比非协作路由算法和传统地理协作路由算法具有更好的误码率性能,更适用于多径条件下的应用.