有双包层结构的楔变脊型光斑转换器的设计

为了提高硅基上单模波导器件与单模光纤的耦合效率和工艺容差,设计了一种实用新型光斑转换器,它由水平和垂直双向楔变的波导芯区和双内包层构成.分析了内包层折射率与其厚度对耦合效率的影响,发现通过优化内包层的参数可以加强对扩展光场的限制.针对在硅基上制作垂直楔变结构的波导还很困难的情况,提出了一种低成本、简单可行的制作方法     

由纳米管和纳米颗粒构成的TiO2膜的制备与机理研究

采用聚苯乙烯小球修饰Ti片表面,并进行阳极氧化,制备出一种由纳米颗粒和纳米管构成的TiO₂膜．通过数值模拟,分析了氧化表面附近的局部电场分布对TiO₂膜形貌的影响．结果表明,覆盖物增强了局部电场,从而加快了O^2-与Ti的反应速率,有利于TiO₂的生长;与此同时,[TiF₆]^6-的扩散受到阻碍,使得TiO₂的溶解速率减慢．可见,覆盖物打破了TiO₂纳米管形成的平衡条件,导致纳米颗粒的生成．此外,通过X射线衍射和Raman光谱的测试分析发现,所制备的TiO₂为锐钛矿结构.     

浅谈信息时代的领导讲话艺术——论据在领导讲话中的运用

领导讲话是领导对听众展示领导意图,发挥领导艺术的重要形式。一篇好的讲话可以振奋人心、鼓舞士气,让领导的讲话起到事半功倍的功效。相反,一篇平庸的讲话只会让人昏昏欲睡、不知所云,这样领导讲话的目的没法达到,对于工作的开展也帮助不大。写好领导讲话稿的要素很多,但最关键的要素是论点和论据。如果说论点是一篇讲话稿的骨骼,那么论据就是讲话稿的血肉。要如何才能让讲话稿显得有血有肉圆润饱满呢?     

1310nm/1550nm单模光纤波分复用器的研制

报道了熔锥型1310nm/1550nm波分复用器的设计和制作方法。运用光纤耦合器的耦合机理,从理论上得出了耦合功率和拉伸长度的关系,当拉伸长度大约为9.5mm时,可以实现1310nm/1550nm波分复用。采用熔融拉锥系统,制作了样品。测试表明,器件的隔离度大于21dB,附加损耗小于0.1dB,该器件的指标都达到了实用化的要求。     

超短激光脉冲在水中的非线性传输特性研究

基于扩展的非线性薛定谔方程及与其耦合的电子密度演化方程,理论研究了超短激光强脉冲在水中的非线性传输特性.理论模型综合考虑了衍射、正常群速度色散,多光子吸收、自聚焦及激光诱导产生的等离子体对光脉冲的自散焦效应.采用有限差分法模拟得到超短脉冲在传输过程中轴向上光功密度和等离子体密度的时空分布.系统分析了超短脉冲在水中传输的动力学过程,讨论了非线性自聚焦和等离子体自散焦效应在脉冲传输过程中的竞争关系.同时研究了不同入射激光能量,脉宽和聚焦条件对等离子体丝的时宅结构和脉冲能流横向分布的影响.该研究将有助于理解和推动超短光脉冲在激光医学、激光安全防护和水中激光加工中的应用.     

有双包层结构的楔变脊型光斑转换器的设计

为了提高硅基上单模波导器件与单模光纤的耦合效率和工艺容差,设计了一种实用新型光斑转换器,它由水平和垂直双向楔变的波导芯区和双内包层构成.分析了内包层折射率与其厚度对耦合效率的影响,发现通过优化内包层的参数可以加强对扩展光场的限制.针对在硅基上制作垂直楔变结构的波导还很困难的情况,提出了一种低成本、简单可行的制作方法.     

SOI材料在光电子学中的应用

SOI材料是应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。近年来随着SOI材料制备和加工技术的成熟,SOI基光波导器件的研究日益受到人们的重视。文章介绍了SOI材料在光电子学领域的一些具体应用,包括了在热光器件、电光器件、亚微米波导器件与光纤的耦合器以及光电子集成芯片等方面的最新研究进展。更小的波导截面尺寸是未来SOI光波导器件发展的必然趋势。     

Design of an ultra-compact 3 dB MMI coupler

The design of an ultra-compact SOI-based 1×2 3 dB multimode interference（MMI） coupler is proposed.The symmetric multimode interference structure and deeply-etched parabolically tapered multimode waveguide are used in the device.The length of the device is reduced by about 87% compared with general multimode interference straight couplers.Based on effective index method（EIM） and two dimensional beam propagation method（2D-BPM）,the structure parameters are optimized and the fabrication tolerances are analyzed.The results indicate that the performance of the coupler is deeply affected by the coupler＇s width,etching depth and photolithography alignment error in perpendicular direction.