天然橄榄石单晶的压缩性北大核心CSCD

采用金刚石对顶砧高压装置和同步辐射X射线衍射技术,在常温下对两种天然橄榄石单晶(含铁的铁镁橄榄石(Mg_(1.83)Fe_(0.17))SiO_4和不含铁的纯镁橄榄石Mg_2SiO_4)进行了高压结构行为研究。实验结果表明,两种天然橄榄石单晶在最高压力为9.9GPa的条件下没有发生相变。采用二阶Birch-Murnaghan状态方程描述压力-晶胞体积(p-V)关系,获得了铁镁橄榄石和纯镁橄榄石在零压下的晶胞体积(0.292 9(3)、0.289 9(1)nm^3)和体积模量(140(3)、151(2)GPa)。两种镁橄榄石呈高度各向异性,轴压缩性表现为:b轴的压缩率最大,c轴次之,a轴的压缩率最小。随着铁组分的加入,橄榄石的体波速减小,两种橄榄石的体波速相差5.2%,该结果对于研究上地幔的物质构成和弹性波速具有一定的意义。     

水平轴风力机专用翼型族设计

本文采用正问题方法设计了适用于我国风况的风力机专用翼型族CAS-W1-XXX系列。包括最大相对厚度为15%～60%的11个不同厚度,适用于叶片根部到叶尖所有部分,设计雷诺数为3000000。设计中选择NUMECA软件中的AUTOBLADE模块进行翼型的几何造型,使用XFOIL进行翼型的气动持性和几何持性分析。通过XFOIL对设计结果进行分析得出CAS-W1-XXX翼型族具有良好的气动持性,前缘粗糙不敏感性以及良好的几何兼容性。     

NO与C2H2的康普顿轮廓研究

基于第三代同步辐射光源, 在20 keV的入射X射线能量下测量了NO与C₂H₂分子的康普顿轮廓. 考虑到本次实验结果在p_z ≈ 0附近的统计精度达到了0.2%, 本文报道的NO和C₂H₂的康普顿轮廓可以作为严格检验理论的实验基准. 除此之外, 还分别采用HF方法及密度泛函方法选用不同的基组计算了NO 与C₂H₂康普顿轮廓. 通过对比实验结果与理论计算, 发现对于NO分子, 加入弥散函数基组理论计算结果与实验符合更好, 说明NO分子基态的电子分布较为弥散. 对于C₂H₂分子, HF方法理论计算的结果与实验符合较好.     

离子液体中Yb(OTf)_3催化下喹唑啉酮衍生物的绿色合成

以邻氨基苯甲酰胺和芳醛为原料,离子液体[BMIm]Br为溶剂,Yb(OTf)3为催化剂室温下合成了一系列的2-芳基-2,3-二氢化喹唑啉-4-(1H)-酮衍生物.和其他方法相比,该方法具有反应条件温和、产率高(85%～96%)、环境友好等优点.产物的结构通过熔点,IR,1H NMR和高分辨质谱分析确证.     

Synthesis and Crystal Structure of exo-4-（3,4-Dichlorophenyl）-8-ethyl-3,3a,4,5,8, 12d-hexahydro-2H-furo[3,2-c]indolo[3,2-f]quinoline

The title compound exo-4-(3,4-dichlorophenyl)-8-ethyl-3,3a,4,5,8,12d-hexahydro-2H-furo[3,2-c]indolo[3,2-f]quinoline (C25H22Cl2N2O, Mr = 437.35) was synthesized and crystallized. The crystal belongs to tetragonal, space group I4(1)/a with a = 17.4903(3), b = 17.4903(3), c = 28.3403(5) , Z = 16, V = 8669.6(3) 3, Dc = 1.340 g·cm-3, μ(MoKɑ) = 0.319 mm-1, F(000) = 3648, R = 0.0429 and wR = 0.711 for 2714 observed reflections I > 2σ(I). X-ray analysis reveals that atoms C(1), C(2), C(3), C(4), C(5) and N(1) on the new pyridine ring are slightly distorted, forming a distorted boat conformation.     

A 1kHz Fe:ZnSe Laser Gain-Switched by a ZnGeP_2 Optical Parametric Oscillator at 77 K

We demonstrate a Fe:ZnSe laser gain-switched by a 2.9 m ZnGeP_2 optical parametric oscillator under pulse repetition frequency of 1 kHz at liquid nitrogen temperature of 77 K. The maximum output power is 63 m W with pulse duration of 34.4 ns. The wavelength covers 3686.6–4088.6 nm and centers at 3897.7 nm. The output power decreases with increasing the temperature of the crystal in 77–222 K.     

化学刻蚀过程中熔石英表面沉积物的形成及其对激光损伤的影响

化学刻蚀是提升熔石英光学元件抗激光损伤性能的重要后处理技术之一,但刻蚀后熔石英表面附着的沉积物对其表面质量、透射性能和抗激光损伤性能有很大影响。使用光学显微镜和原子力显微镜表征了化学刻蚀后附着于熔石英表面的沉积物的微观形貌,并分析了其形成机理;X射线能谱分析表明化学刻蚀后熔石英表面沉积物主要由Fe,Ni,Al等元素的金属盐组成。损伤阈值测试结果表明熔石英表面高密度沉积物区域的损伤阈值明显低于非沉积物区域,沉积物对熔石英光学元件的抗激光损伤性能产生严重影响,它们是诱导熔石英激光损伤的前驱体。     

背压对缩放型流道涡轮动叶激波结构的影响

本文采用数值模拟的方法对具有缩放型流道动叶的涡轮级中的激波结构进行了数值研究.在近设计工况下,随叶高的不同,缩放型流道动叶尾缘的相对马赫数分布不同,尾缘燕尾型激波的强弱及其在相邻叶片吸力面的反射波也不同.由于叶片吸力面60%轴向弦长处为一内凹壁面,在该处将会产生一束较强的微弱压缩波,在叶片顶部,该微弱压缩波在通过燕尾波后不远处即发展为一较强的斜激波.随背压增加,动叶尾缘燕尾形激波及其在相邻叶片吸力面上反射波的强度会发生变化,一般来说会减弱,但叶顶由于微弱压缩波所形成的激波会得到强化.     

叶片弯曲对改善1+1/2对转涡轮高低压涡轮出功比的数值研究

本文基于NuMECA软件的全三维优化设计平台Design3D,通过改变末排动叶的弯曲规律的方法,对1+1／2对转涡轮模型级设计点进行降低出功比的优化设计。结果表明,末排低压动叶通过采用正弯叶片造型,可以在保证效率保持不变的前提条件下,使得高低压涡轮出功比降低2．6％。     

Spherical accretion flow onto general parameterized spherically symmetric black hole spacetimes

The transonic phenomenon of black hole accretion and the existence of the photon sphere characterize strong gravitational fields near a black hole horizon.Here,we study the spherical accretion flow onto general parametrized spherically symmetric black hole spacetimes.We analyze the accretion process for various perfect fluids,such as the isothermal fluids of ultra-stiff,ultra-relativistic,and sub-relativistic types,and the polytropic fluid.The influences of additional parameters,beyond the Schwarzschild black hole in the framework of general parameterized spherically symmetric black holes,on the flow behavior of the above-mentioned test fluids are studied in detail.In addition,by studying the accretion of the ideal photon gas,we further discuss the correspondence between the sonic radius of the accreting photon gas and the photon sphere for general parameterized spherically symmetric black holes.Possible extensions of our analysis are also discussed.