有机材料激光器研究的进展

从谐振腔结构和材料两方面,对有机材料激光器的研究进展和发展方向作了综述与分析。     

超薄层在白色有机电致发光器件中的应用

以DCJTB为掺杂剂, 以BCP为空穴阻挡层, 研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3:DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3:DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱. 实验结果显示, 在结构A器件的电致发光光谱中, 绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小; 而在结构B器件的电致发光光谱中, BCP层与掺杂层(Alq3:DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著, 用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射. 进一步改变器件结构, 利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50 nm)/BCP(3 nm)/Alq3(3 nm)/Alq3:DCJTB(1%(w))(5 nm)/Alq3(7 nm)/Al. 随着电压的增加(14-18 V), 该器件的色坐标基本保持在(0.33, 0.37)处不动; 在432 mA·cm-2的电流密度下, 该器件的发光亮度可达11521 cd·m-2.     

基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器

并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数, 被广泛应用于光敏(电)晶体管中. 垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级, 能有效提高器件的性能和工作频率, 同时降低能耗. 本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D). 实验发现, 在工作电压低至-3 V时, 并五苯光电探测器ITO/Pentacene (80 nm)/Al(15 nm)/ Pentacene(80 nm)/Au 的阈值电压为-0.9 V, “开/关”电流比为10⁴, 表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能. 在350-750 nm的不同波长单色光照射下, 器件的“明/暗”电流比和响应度随入射波长而变化; 在350 nm单色光照射下, 该光电探测器的“明/暗”电流比的最大值达到308, 其对应的响应度为219 mA·W^-1, 大于标准硅基探测器在350 nm 单色光照射下的探测率. 这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.     

可溶性PPV衍生物电致发光器件

研究了ＭＮ－ＰＰＶ薄的光致发光和电致发光特性。结果表明,单层器件中的电至于和发光峰值位置与所加电压无关;在双层哗啦结构（ＩＴＯ／ＭＮ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ）中,当Ａｌｑ３很薄Ｆ（小于或等于１０ｍｉｎ）时,仅看到ＭＮ－ＰＰＶ的发光;当Ａｌｑ３的厚度为２０ｎｍ时,可看到Ａｌｑ３的特征发光,但Ａｌｑ３的发光谱值强度 与ＭＮ－ＰＰＶ的发光峰值强度之比随电压增大而下降;当Ａｌｑ３的厚度为３０ｎｍ时,Ａｌｑ     

Eu-TTA复合体系荧光发光与电致发光性能研究

本文合成了Ｅｕ－ＴＴＡ复合体系了其性能,该材料有大的应用前景。     

双棒串接单级与双级Nd:YAG激光器的分析

从理论上，通过计算基模模体积的大小，探讨两根Nd：YAG棒串接单级与双级泵浦的利弊，从而得出大功率激光器设计的最佳途径。     

White organic light-emitting diodes based on a combined electromer and monomer emission in doubly-doped polymers

We report on white organic light-emitting diodes(WOLEDs) based on polyvinylcarbazole(PVK) doped with 1,1-bis((di-4-tolylamino)phenyl)cyclohexane(TAPC) and perylene,and investigate the luminescence mechanism of the devices.The chromaticity of light emission can be tuned by adjusting the concentration of the dopants.White light with the Commission Internationale de L’Eclairage(CIE) coordinates of(0.33,0.34) is achieved by mixing the yellow electromer emission of TAPC and the blue monomer emission of perylene from the device ITO/PVK:TAPC:perylene(100:9:1 in wt.)(100 nm)/tris-(8-hydroxyquinoline aluminum(Alq 3)(10 nm)/Al.The device exhibits a maximal luminance of 3727 cd/m2 and a current efficiency of 2cd/A.     

溶液法制备全有机P3HT光电探测器

基于场效应晶体管(FET)结构的光电探测器能通过栅压抑制噪声信号并具有光电信号放大的功能。有机半导体材料已经被广泛应用到光敏晶体管中,全有机探测器对于实现大面积器件制备、降低成本及柔性器件具有十分重大的意义。然而,多层有机聚合物的成膜,必须避免在溶液制备过程中的溶剂腐蚀问题。实验中,采用顶栅底接触(TGBC)FET结构及正交溶剂(orthogonal solvent)的方法,以乙酸丁酯作为聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)的溶剂,避免对聚(3-己基噻吩)(P3HT)有源层的破坏,成功制备了性能优良的全有机光电探测器Au(源漏极)/P3HT(150 nm)/PMMA(800 nm)/Al(栅极),其开/关电流比达到103,迁移率达810-3 cm2V-1s-1。该器件对350~650 nm的光照均有响应,在0.1 mW/cm2光照下其明/暗电流比达75。在600 nm光照下,其最大响应度达到0.28 A/W,其响应度变化趋势与P3HT的吸收光谱情况相似。     

基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究

通过将有机空穴阻挡材料BCP薄层插入垂直构型有机发光晶体管器件ITO/NPB（40nm）/Al（30nm）/NPB（20nm）/Alq₃（55nm）/Al中的不同位置对器件光电特性的影响来研究器件漏电流较大的原因以及器件中具体的载流子过程.充分证明了栅极注入的空穴对沟道中的电流有贡献.进而通过用LiF薄层修饰漏极来增强电子的注入并减小漏电流,得到了相对稳定的发光晶体管器件,其发光强度有很大提高并可很好地由栅极电压来进行调控.更换发光材料层容易得到不同颜色的发光晶体管. 关键词： 垂直构型有机发光晶体管（VOLET） 静电感应晶体管（SIT） N')" href="#">NPB （N N′-diphenyl-N')" href="#">N′-diphenyl-N N′-bis（1-naphtyl）-1')" href="#">N′-bis（1-naphtyl）-1 1′-biphenyl-4     

场发射显示技术研究进展

介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题。着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括发光材料的改进、器件寿命的提高、器件结构的改进以及样机的试制工作等。进而分析了场发射显示技术的发展前景