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<正> 光电耦合器是一种由发光器件和光敏器件组合构成的通用光电器件。它以光为媒介,完成电—光—电信号的变换及传输,把输入信号耦合到输出端。该器件具有体积小、无机械触头、抗干扰能力强、工作寿命长、输入及输出之间绝缘、能传输模拟信号及数字信号的特点,广泛地用于隔离电路、开关电路、电源电路、逻辑电路、电平转换电路、过流保护电路等。 相似文献
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利用绝热扰动法研究了色散缓变光纤中Raman孤子自频移效应,得到了色散缓变光纤中Raman孤子自频移的表达式。结果表明:光纤色散变化率存在一个可以有效抑制孤子自频移的阈值,当光纤色散变化率大于这个阈值时,色散缓变光纤可以抑制孤子自频移,而当光纤色散变化率小于这个阈值时,色散缓变光纤不仅不能抑制孤子自频移,反而加剧孤子自频移。 相似文献
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高功率宽带单片放大器具有内在的性能限制,为了确保最佳性能和高的成品率,要求特殊的制备工艺和设计方法。本文介绍了“单胞群匹配”的设计方法,解决了功率宽带问题,并且详细讨论了实现这些设计所采用的高成品率的制备工艺。特别详细地讨论了采用“单胞群匹配法”做成的3W、8~12GHz放大器,并报导了初步的测量结果。 相似文献
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用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。 相似文献
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本文重要介绍用于电气运行人员培训的动态仿真专家系统的设计思想、实现方法及其应用效果。 相似文献
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