1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器

帧转移电荷耦合器件(FTCCD)主要应用于可见光信号探测,其在强光应用场合容易出现光晕现象。针对该问题,研制了帧转移纵向抗晕CCD图像传感器,该器件阵列规模为1 024×1 024元,像素尺寸为12μm×12μm。为了实现纵向抗晕功能,采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底结构,纵向抗晕倍数为200倍,器件满阱电子数为大于等于200 ke^-,读出噪声小于等于80 e^-,动态范围大于等于2 000∶1。     

超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究

基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N⁺型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸与压缩弯曲使NMOS的阈值电压最大漂移0.46 mV,使PMOS阈值电压最大漂移0.33 mV。漏极电流随变形量线性变化,NMOS压缩时系数为-0.132 95,NMOS拉伸时系数为0.006 01。PMOS拉伸时系数为-0.104 47,PMOS压缩时系数为-0.110 7。电阻阻值随变形量呈线性变化,当掺杂浓度分别为1×10¹⁹,2×10¹⁹,3×10¹⁹,4×10¹⁹,5×10¹⁹时,系数分别为247,498,766,1 016,1 301。电容最大变化值和初始值不超过0.5%,结论归纳为无失配影响。这些结果与实验吻合,验证了模型的正确性,为研制降低退化的柔性硅基集成电路打下基础。     

ICF微靶数字化制造设计与实现

惯性约束聚变(ICF)微靶(靶丸)是惯性约束聚变物理设计思想的直接体现,其制备过程有着非常明显的特点：精确度要求高;工件尺度小且跨度大;面向的材料范围广;靶型多,批量小,且数量多;结构形状复杂且多种多样;传统方式制备工艺繁琐且制备周期长。利用先进信息技术建立完备的数字化微靶制备能力,解决关键工艺数据流程和精确度控制技术问题,是提高微靶质量和效率的重要手段。本文通过描述数字化靶制备系统的设计目标和思想,重点阐述了系统的制造过程和体系结构设计、技术特点、实现方法以及实施和部署方式,并在此基础上,展示了系统成功实施后的部分运行效果与良好的应用前景。     

一类带有非线性接触率的SIR传染病模型的稳定性

分析传染病模型的稳定性,并考虑到已感染者对易感染者的作用是非线性的.文中首先研究了传染病模型解的正性和最终有界性.在此基础上,当基本再生数满足一定条件时,构造一个满足条件的Lyapunov函数,证明了无病平衡点的全局稳定性.     

局域网安全技术在企业网络安全管理中的应用

进入21世纪，信息资源已成为企业的重要资产．股份公司更是把信息资源提到战略性资源的高度．而计算机网络系统安全管理做得好．就可以在技术层面最大限度地避免由于网络系统而对信息安全带来的危害。近年来．随着信息技术的飞速发展．信息安全事件对攻击者的技术要求越来越简单．实施攻击的成本越来越低，企业所面临的信息安全威胁越来越大。     

高精度光学平台调焦控制系统

针对经纬仪、量子通信望远镜等光电跟踪控制系统光学平台调焦的需要,在保证跟踪控制性能和可靠性的基础上,设计了一种低成本、小体积的高精度光学调焦控制系统,以先进精简指令集计算机处理器和现场可编程门阵列为核心组成比例-积分-微分光学控制平台来实现调焦控制。分析如何提升光学平台调焦精度,利用基于缓冲运放进行信号扩展的方法提升光学平台调焦控制反馈偏差信号精度,提出3种反馈信号补偿方法并进行对比和分析,选择等分中值补偿方法对电位器反馈信号进行补偿,在不影响调焦时间的基础上简化了软硬件设计,提升了调焦精度和效率,具有低功耗、实现简单、成本低、体积小等优点。在实验中,对获取的调焦图像采用主观分析和客观评价标准相结合的方法进行调焦效果验证,证明了该设计的优势。该设计已用于某光电跟踪探测项目,在1μm级调焦精度时全程调焦时间约为3s,反应快速,性能稳定可靠。     

贵重信息设备防盗及追踪系统设计

提出一种基于WebGIS技术,并结合无线传感网络和GPS实现设备的防盗监控、失窃后的定位追踪和可视化管理的防盗及追踪系统的设计方案,解决政府、军工单位、学校等场合的贵重信息设备的防盗问题。     

一类具时滞SIR传染病模型的动力行为

分析传染病模型的稳定性,并考虑到已感染者对易感染者的作用的时滞影响.文中首先在R_01时,构造一个Lyapunov泛函,证明了无病平衡点的全局渐近稳定性.当R_01时,证明了正平衡点的局部渐近稳定性和持久性.     

一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析

运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在(2.5~5.5)×1016 cm-3,结深应控制在5.5~6.5μm的结论。