Arrayed-Waveguide Layout for AWG Design

Ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｄｉｖｉｓｉｏｎｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ（ＷＤＭ）ｎｅｔｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍｉｓｖｅｒｙａｔｔｒａｃ－ｔｉｖｅｉｎｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｃａｐａｃｉｔｙａ...     

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

掺铒硅光致发光激子传递能量机制

铒离子在硅中呈现弱施主特性,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级.氧杂质与铒离子形成复合体,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道.提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型,建立了发光动力学速率方程,并进行了详细推导.发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关.指出铒离子-束缚激子复合体的热离化和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因.拟合PL测量实验结果表明：它们对应的激活能分别为6.6meV和47.4meV.     

掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光

本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长,室温下离子注入铒,经过８００℃,５ｍｉｎ的退火,在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温度升高而下降,其温度猝灭激活能为１４．３ｍｅＶ．发光谱表明富硅氧化硅中Ｅｒ－Ｏ发光中心仍具有Ｔｄ对称性．     

(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析. 关键词：     

快速退火对SiGe／Si多量子阱p—i—n光电二极管的影响

利用光电流谱,结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散,退火后的二极管的截止波长有显的减小。但是,在750－850℃范围内,波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢,而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强,这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的。     

硅基二氧化硅阵列波导光栅的研究进展

阵列波导光栅（ Ａ Ｗ Ｇ） 是（ 密集） 波分复用技术的关键器件之一。提高 Ａ Ｗ Ｇ 器件的性能和拓展 Ａ Ｗ Ｇ 器件的功能是 Ａ Ｗ Ｇ 器件发展的两大方向。综述了 Ａ Ｗ Ｇ 的串扰、波长响应展宽和偏振特性的优化措施,以及以 Ａ Ｗ Ｇ 为基本器件构成的多种功能模块,如１６ 路上路／ 下路复用器、多波长环形激光器等     

采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围,且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大,边沿薄,其厚度相对变化不超过±1.5％（51mm衬底).利用TEOS源PECVD,并结合退火技术,摸索出厚膜氧化硅生长工艺,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜,可用于制备氧化硅平面波导器件.     

不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响

本文对ＧＳ－ＭＢＥ生长的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构用快速热退火（ＲＴＡ）方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光（ＰＬ）特性．发现存在一个最佳退火温度范围，使得ＰＬ谱的发光得到改善．随着退火温度的继续提高，ＰＬ谱线发生兰移，发光强度下降．认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致．辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论     

MBE生长应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

根据MBE实际生长条件，采用在应变Si1-xGex／SiMQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si1-xGex／SiMQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW的畸变．