《理论力学》学习中常见错误分析之一──动量矩定理的应用

《理论力学》学习中常见错误分析之一──动量矩定理的应用谢正桐，杨海兴（上海交通大学，上海２０００３０）本文根据一道具体习题的求解过程，指出动量矩定理应用中一个应注意的问题：不论是对定点还是对动点，应用动量矩定理必须取一般点而不能取特殊点。习题质量为ｍ...     

高功率振荡器锁相的粒子模拟

用粒子(PIC,Particle-in-Cell)模拟方法研究了当前颇感兴趣的高功率振荡器的锁相问题。给出了模拟计算结果。讨论了锁相(Phase Locking)、Priming和InjectionSeeding等概念的区别。     

嵌段共聚物ET-EO纳米晶体的电镜研究

聚合物单链凝聚态是高分子物理基本问题的一个重要研究前沿，近年来，我国在单链单晶的研究上取得了一些突破性进展，证实聚合物可以形成单分子聚集态。目前，对高分子量聚氧乙烯［１］、等规聚苯乙烯［２］、顺１，４－聚丁二烯［３］及古塔胶［４］的单分子链单晶的研究...     

高压陡脉冲信号测量系统的补偿

本文针对高压陡脉冲测量过程中由于对地电容引起的波形畸变,介绍了一种电感补偿方法,这种补偿回路简便、可靠,可使测量系统的方波响应得到明显的改善。     

一类非牛顿渗流方程爆破界的估计

本文利用拟线性常微分方程解的非存在性定理得到了一类拟线性反应扩散方程(非牛顿渗流方程)爆破界的估计,从而推广了半线性反应扩散方程(牛顿渗流方程)相应结果.     

实用法拉第磁光隔离器的设计制作

法拉第磁光隔离器只允许光束单向通过,可有效地消除光学反馈,在稳频激光、激光通讯和激光信息处理等系统中得到广泛应用。目前商品法拉第磁光隔离器的价格相当昂贵,使用者往往希望能自行设计制作简易的隔离器。本文介绍了法拉第磁光隔离器的工     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜

为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束（ICB）法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1：1,成膜质量好.     

Evolution of Shower Parton Distributions in a Jet from Quark Recombination Model

The evolution of shower parton distributions in a jet is investigated in the framework of a quark recombination model. The distributions are parameterized and the Q^2 dependence of the parameters is given by polynomials of In Q^2 for a wide range of Q^2