光纤通信用的稳定单模激光二极管

高斯—沟道村底平面型激光器呈现出稳定的基横模和单纵模的CW工作。而且,实现了激光器与锥形单模光纤耦合,其耦合效率为35%。     

MOCVD生长低阈值AlGaAs可见光激光器

尽管金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术已经成功地用于生长各种各样的光电子学器件,例如太阳电池,双异质结激光器和量子阱激光器,但用一般的MOCVD生长AlGaAs DH激光器有时也出现光致发光效率较低的问题。MOCVD生长AlGaAs DH激光器的初始结果表明能够得到低的阈值电流密度,尽管这个值与LPE获得的最好结果相比仍然很高。在本文中,我们说明只要用心控制好常规的MOCVD的生长条件,就     

激光二极管特性分析

本文描述了激光二极管的模式分析,这种分析把可测量的激光器特性与器件基本参数相联系。它既适用于激射(阈值以上)又适用于非激射(阈值以下)这两种情况。根据这一模式,我们计算了谱宽与输出功率和光输出与电流的特征曲线,而这些关系都是激光器参数(如:波导类型即增益型或实数折射率型、端面反射率、几何尺寸和材料)的函数。并对增益导引激光器的多纵模输出与实数折射率导引激光器的单模工作之间的有关结果作了说明。     

高速CCD侦察照相机

去年九、十月间,在福罗里达的埃格林空军基地对CCD 机载电子摄象系统进行了飞行试验,当飞机飞越目标上空30秒后,CCD 电子摄象系统能及时提供拍摄的侦察照片。该系统是由莱特帕特森空军基地(Wrightpatterson AFB)的空军航空电子学实验室研制的,这部固态电子学广角摄象系统(ESSWACS)从飞机到基地胶片记录器采用了一种标准的宽带数据线路。     

1—14μmPV(光伏)HgCdTe阵列的性能

最近对HgCdTe外延生长技术和器件表面钝化的研究,使光伏型红外探测器主要性能得以改进。以CdTe为衬底,用液相外延法,能生长具有任何组分的薄层HgCdTe,用这种材料制作探测器,其峰值响应能在1至14μm波长内进行调整。本文介绍了形成结的两种方式,即注入同质结和双层异质结。还报导了探测度受背景辐射限制(BLIP)的情况。为了设计1-3、3-5和8-14μm波段的二极管,从理论上预测了R_0A~((*))、频率和结偏压与暗噪声电流的关系,并以5×10~(-15)A/Hz~(1(?)2)来表征。这表明可以根据产生-复合(G-R)电流和少数载流子扩散电流的机理,在所关心的波长和温度下,讨论器件的性能。     

光纤系统光源和探测器

本文对光纤通信的主要光源和探测器作了评述和比较。推出适于许多不同系统应用的大量器件,目前这些系统已由低成本、通信距离为几米扩展到100km以上、数传速率大于1Gbit/s的长距离通信系统。这些器件是从半导体光电子材料研究过程中发展而来的。文章指出这些器件在未来光纤系统中将产生巨大的影响。     

硅光电探测器

本文以典型器件为例,较详细地介绍了Si-PIN光电二极管和Si雪崩光电二极管,讨论了器件理论和器件结构、制作工艺等一些实际问题。介绍了典型器件参数。     

波长为680nm的室温CW工作的AlGaAs DH激光器

680—700nm波长范围的AlGaAs DH激光器实现了室温CW工作。为了获得这种激光器,我们研制成了一种新型结构,即无应力V形沟道衬底内部条型(SF-VSIS)激光器。这类激光器具有低的阈值电流(45～120mA),并以基横模和单纵模CW工作。1).阈值电流与波长的关系业已表明由于直接跃迁导带与间接跃迁导带的极小值之间的差值较小,波长小于700nm CW工作的AlGaAs DH激光器,其阈值电流(I_(th))就急剧增加,所以要制作这种波长的激光器是很困难的。事实上,AlGaAs