HL—1装置的电子回旋共振辅助击穿和电流启动

在ＨＬ－１装置上，我们对电子回旋共振（ＥＣＲＨ）辅助击穿和电流启动进行了研究，发现这时建立等离子体电流所需的环电压降低了约一半，等离子全电流的上升率增加了约３０％，放电初期所耗的伏秒数节省约１／３，约束得改善。     

CRM在电信企业中的应用探讨

本通过分析近年来CRM在我国电信领域的应用现状和出现的问题，说明了出现问题的原因，并为电信领域进一步有效应用CRM系统提出建议。     

0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.     

激光沉积大面积均匀薄膜数学模型与实验

由于激光烧蚀靶材产生的等离子体呈高斯分布,其中所包含粒子密度及性能的空间分布极不均匀,因此脉冲激光沉积法难以制备性能与膜厚均匀的大面积薄膜。提出并构建了衬底自转与一维变速平移机构,衬底匀速自转的同时,进行一维平移,越靠近等离子体中心平移速率越大、反之越小,达到均匀镀膜的目的;在此基础上建立了机构运动参数对膜厚影响的数学模型,通过仿真模拟分析关键参数对膜厚分布的影响;通过运动参数优化指导实验,最终获得了直径为200mm、不均匀性不超过±4%的大面积类金刚石膜,与仿真优化结果吻合。     

运营商面向移动互联网的产品用户体验研究

正引言随着移动互联网迅猛发展,产品的用户体验成为企业构建核心竞争力的要素,同时也成为驱动行业发展和产品创新的主动力。因此,在当前通信产业转型与变革的大环境下,运营商在重视规模发展的同时,必须加强关注用户体验。     

直扩信号PN码序列估计的神经网络方法

为了解决通信侦察中低信噪比下直扩信号PN码序列的盲估计问题,分析了神经网络算法。该算法基于直扩通信的基带信号模型,通过对输入信号的主分量进行分析和提取,获取神经网络学习后的突触权值,进而估计出PN码序列。理论分析与仿真数值结果都表明,该算法在较低信噪比背景环境中,能够准确地恢复出PN码序列。     

COS Activation by Zr~＋ in the Gas Phase：A Case of Two-state Reactivity Process

To elucidate the mechanisms of Zr + reacting with COS,both the quartet and doublet potential energy surfaces (PESs) for reactions of Zr + (4 F,2 D) with COS in the gas phase have been investigated in detail by means of density functional method (B3LYP).To obtain more accurate results,the coupled cluster single-point calculations (CCSD(T)) using B3LYP optimized geometries were performed.For the C-O bond activation,the calculated results indicate that both the quartet and doublet states proceed via an insertion-elimination mechanism.For the C-S bond activation,the quartet reaction has an insertion-elimination mechanism,but the doublet reaction is a direct abstraction of the sulfur atom by Zr +.The C-S bond activation is found to be energetically more favorable than the C-O bond activation.It is found that the reaction of the 4 F gound state of Zr + to yield ZrO + is spin-forbidden (Zr + (4 F) + COS (1 Σ) → ZrO + (2) + CS (1 Σ)) and the crossing points were approximately determined.All the results have been compared with the existing experimental and theoretical data.     

一种区分服务模型及其在三层交换机的实现

服务质量（QoS）是用来定义网络给不同形式的流量提供不同级别的服务保障的能力.当前服务质量的体系结构和模型有多种,本文参照RFC2474、RFC2475 标准,提出了一种新的服务质量-区分服务（Diffserv）应用模型,该模型包括：流量的分类器、计量器、标记（或重标记）器、丢弃器和调度器等模块, 其中对于核心模块-调度器, 提出基于最大延迟的加权轮转调度（WRR-MBD）算法,同时给出区分服务模型在3 层以太网交换机的实现方法.通过网络测试分析仪对3 层交换机QoS 性能进行测试,得出在WRR 调度策略下,不同优先级数据包的丢失率基本按所设置的权重比例进行分配,从而避免了严格优先级（SP）调度存在的低优先级队列“饥饿”的现象.     

空管导航与间隔的联系

随着越来越多的民用机场以及航路上导航设备的使用,飞行的准确性大大地提高了,同时间隔标准更为精确。文章主要将雷达和甚高频全向信标台(VOR)、测距仪(DME)、无向信标台(NDB)等导航设施和间隔标准结合在一起,通过对导航设施和间隔标准的联系来提高空域使用效率。     

22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究

利用计算机辅助设计技术数值仿真工具, 研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应, 系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响. 模拟结果表明, 掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小, 重离子入射产生大量电荷, 屏蔽了初始电荷分布的差异性. 单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关, 超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端. 当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时, 单粒子瞬态电流峰值从564 μA减小到509 μA, 收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC. 超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制, 但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关. 关键词： 超薄体全耗尽绝缘体上硅 单粒子瞬态效应 电荷收集 数值仿真