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快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2)是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光谱中有919.6cm^-1和1006cm^-1两个吸收峰伴随VO2(889cm^-1)出现,这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都会使(O-V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在10^19数量级,经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制. 相似文献
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快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400—450℃热处理后,空位_双氧复合体(VO2)是其 主要 的缺陷.在300—500℃热处理快中子辐照的CZ_Si后,IR光谱中有919.6cm-1和 1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1)出现,这两个IR吸收 峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个 间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都 会使(O -V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级,经400—450℃热处 理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制. 相似文献
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通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照 缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照,直拉硅样品 的导电类型由n型转变为p型.在450和600℃热处理出现两种受主中心,分别由V22O22,V22O,VO22,V-O-V及V44型缺 陷引起,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加;大于650℃热处理这些受主态 缺陷迅速消失,
关键词:
快中子辐照
空位型缺陷
受主
施主 相似文献
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浅谈大学物理实验教学改革 总被引:18,自引:3,他引:15
首先对大学物理实验教学的重要性以及教学实践中出现的问题作了阐述,然后从三个方面提出了对大学物理实验教学的改革思路:一方面在实验内容的安排以及实验时间上作适当的词整,另一方面通过加强网络资源建设提高预习效果,最后是定期开展大学物理实验操作技能大赛。 相似文献
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基于IEEE802.16d协议的定义,分析了Mesh网络拓扑结构的特点以及Mesh模式下的帧结构,同时结合标准BS项目的具体实现过程,分析了IEEE802.16d Mesh的调度机制。 相似文献
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We present a series of universal quantum cloning machines for two identical mixed qubits. Every machine is optimal in the sense that it achieves the optimal bound of the single copy shrinking factor. Unlike in the case of pure state cloning, the single copy shrinking factor does not uniquely determine the cloning map in the case of mixed state cloning. 相似文献
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为了突破2维或3维Hilbert空间限制,本文结合投票表决的实际需求,基于Shamir(t,n)门限思想,提出了一个d维三粒子纠缠态的量子投票表决方案.该方案由投票管理中心、投票群组、监票人和计票人四个实体共同完成投票工作.该方案使用d维量子纠缠态增强了适用性,使用单粒子作为投票载体提升了传输效率.该方案的正确性通过在IBM量子云平台上的模拟仿真得以证实.安全性分析表明,该方案在满足投票方案的安全性需求基础上,能抵抗截获-测量-重发、纠缠测量和伪造攻击.性能分析表明,随着参与人数的增多,该方案比其他相似的投票方案具有更高的量子比特效率. 相似文献