A Novel Fully Depleted Air AlN Silicon-on-Insulator Metal--Oxide--Semiconductor Field Effect Transistor

A novel fully depleted air A1N silicon-on-insulator （SOD metai-oxide-semiconductor field effect transistor （MOS- FET） is presented, which can eliminate the self-heating effect and solve the problem that the off-state current of SOI MOSFETs increases and the threshold voltage characteristics become worse when employing a high thermal conductivity material as a buried layer. The simulation results reveal that the lattice temperature in normal SOI devices is 75K higher than the atmosphere temperature, while the lattice temperature is just 4 K higher than the atmosphere temperature resulting in less severe self-heating effect in air A1N SOI MOSFETs and A1N SOI MOSFETs. The on-state current of air A1N SOI MOSFETs is similar to the A1N SOI structure, and improves 12.3% more than that of normal SOI MOSFETs. The off-state current of A1N SOI is 6. 7 times of normal SOI MOSFETs, while the counterpart of air A1N SOI MOSFETs is lower than that of SOI MOSFETs by two orders of magnitude. The threshold voltage change of air A1N SOl MOSFETs with different drain voltage is much less than that of A1N SOI devices, when the drain voltage is Mased at 0.8 V, this difference is 28mV, so the threshold voltage change induced by employing high thermal conductivity material is cured.     

Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes

This paper analyses the reverse recovery characteristics and mechanism of SiGeC p-i-n diodes. Based on the integrated systems engineering (ISE) data, the critical physical models of SiGeC diodes are proposed. Based on heterojunction band gap engineering, the softness factor increases over six times, reverse recovery time is over 30% short and there is a 20% decrease in peak reverse recovery current for SiGeC diodes with 20% of germanium and 0.5% of carbon, compared to Si diodes. Those advantages of SiGeC p-i-n diodes are more obvious at high temperature. Compared to lifetime control, SiGeC technique is more suitable for improving diode properties and the tradeoff between reverse recovery time and forward voltage drop can be easily achieved in SiGeC diodes. Furthermore, the high thermal-stability of SiGeC diodes reduces the costs of further process steps and offers more freedoms to device design.     

薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化

在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN-DSOI结构.结果显示,SOI CMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN-DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.     

共价三嗪骨架吸附剂-固相萃取-超高效液相色谱-串联质谱法测定牛奶中3种青霉素类残留

建立了固相萃取-超高效液相色谱-串联质谱法(SPE-UPLC-MS/MS)同时测定牛奶中苄青霉素、邻氯青霉素、氨苄青霉素3种青霉素残留的分析方法。以自制的共价三嗪骨架(CTFs)材料作为固相萃取吸附剂,对影响固相萃取柱效率的吸附剂填充量、洗脱剂种类和用量及上样速率等主要因素进行了优化;同时对样品的提取和净化条件进行了考察。在3 mL/min的样品流速下,采用60 mg CTFs吸附剂和6 mL纯乙腈洗涤液达到了最佳的萃取效果。以0.1%甲酸水溶液-乙腈作为流动相进行梯度洗脱,在Waters ACQUITY UPLC BEH C18色谱柱上分离,电喷雾正离子(ESI⁺)模式下以动态多反应监测(MRM)采集数据,外标法定量。3种目标分析物的线性回归方程相关系数均大于0.999,检出限(LOD)为0.05~0.10 μg/kg(信噪比S/N=3),定量限(LOQ)为0.1~0.4 μg/kg(S/N=10),加标回收率为84.9%~94.1%,相对标准偏差(RSD, n=5)为1.66%~3.27%。此外,共价三嗪骨架材料与目标物的作用机理研究表明,主客体分子间存在π-π相互作用和氢键作用等多重相互作用,使该吸附剂可成功用于牛奶中青霉素的富集和净化。该方法具有精密度较高、重复性较好、分离度高、分析时间短等优点,可适用于牛奶中青霉素定性定量测定。     

用于WCDMA系统的一种新型神经元MOS复数匹配滤波器

提出了一种新型神经元MOS复数匹配滤波器结构,用于实现WCDMA系统中复四相扩频调制信号的解扩运算.主要对关键电路进行了分析,与线性运算器件实现的复数匹配滤波器电路相比,具有结构简单的优点,大大降低了器件数目,HSPICE仿真结果验证了该电路结构的可行性.     

一种基于FPGA的多面阵雷达时序控制器设计

多面阵雷达是一种利用多个两维相扫阵面协同工作的相控阵雷达,具有复杂的时序控制需求。针对该需求,提出了一种时序控制器设计方案。该方案利用现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,,FPGA)的灵活性和时序准确性,结合参数化设计,实现了Peripheral Component Interconnect express(PCIe)总线接口、通用异步收发器(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter, UART)接口、时序产生等功能,很好地保证了复杂时序的统一调度。实际工程应用表明,该时序控制器设计合理,具有良好的稳定性和可测试性。     

钟控神经元MOS晶体管的改进HSPICE宏模型

为了解决传统钟控神经元MOSSPICE模型无法进行连续若干个周期瞬态分析的问题,提出了一种改进的钟控神经元MOSSPICE子电路宏模型,采用HSPICE对器件进行了建模,并对模型进行了验证。验证结果表明,改进的模型既适用于普通神经元MOS,可以进行直流特性扫描分析,也可以进行瞬态特性分析;由于模型具有自动"记忆"预充电阶段输入端电平的功能,因此即使在不同的周期输入端所接固定电平不同,也可以进行连续任意个周期的瞬态特性仿真,从而使改进的模型具有更大的灵活性和实用性。     

用神经元MOS结构实现的一种新型匹配滤波器

在神经元MOS基本工作原理的基础上,提出了一种新型的匹配滤波器结构,并对具体电路进行了分析.与传统的匹配滤波器相比,具有结构简单的优点,大大减少了器件数目.最后给出了测试芯片的结果,验证了电路的可行性     

一种基于梯度的语音识别主动学习询问策略

为了降低自动语音识别中深度学习的训练成本,提出了一种有效的基于梯度的主动学习询问策略.主动学习是通过一定算法查询出最"有用"的数据,并交给专家标记这些子集的过程,其关键是如何正确选择出"有价值"的样本集.根据预备实验结果,在理想状态下,真实的梯度长度可以最大程度地衡量样本信息量,提出了同时使用不确定性策略和期望梯度长度...     

学分制条件下半导体集成电路课程体系改革与实践

从半导体集成电路课程教学的现状出发,在教学内容、教学方法和实践环节等方面进行了课程体系的改革与探索,形成了学分制条件下“以学生为本、软硬兼施、强化实践、激发思维“的课程体系。在教学内容上充分考虑本课程的“集成性“,在强调基本知识的同时,注重各相关知识的交叉与集成;在教学方法上,用计算机技术弥补传统教学中的缺点,同时引入最新的研究动态,使学生在掌握基本知识点的同时,了解最先进的技术;在实践环节上“软硬“兼施,不仅设置“硬件“实验,而且开设“软件“设计仿真,强化动手能力。