一种新型SiGe-OI脊形光波导的模式分析及结构参数优化

The mode of a novel SiGe-OI optical waveguide is analyzed, and its single-mode conditions are derived. The Ge content and structure parameters of SiGe-OI optical waveguides are respectively optimized. Under an operation wavelength of 1300 nm, the structures of SiGe-OI rib optical waveguides are built and analyzed with Optiwave software, and the optical field and transmission losses of the SiGe-OI rib optical waveguides are analyzed. The optimization results show that when the structure parameters H, h, W are respectively 500 nm, 250 nm, 500 nm and the Ge content is 5%, the total power loss of SiGe-OI rib waveguides is 0.3683 dB/cm considering the loss of radiation outside the waveguides and materials, which is less than the traditional value of 0.5 dB/cm. The analytical technique for SiGe-OI optical waveguides and structure parameters computed by this paper are proved to be accurate and computationally efficient compared with the beam propagation method （BPM） and the experimental results.     

Improvement of High Temperature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon Incorporation

Temperature-dependent characteristics of SiGeC p-i-n diodes axe analysed and discussed. Based on the ISE data, the temperature-dependent physical models applicable for SiGeC/Si diodes are presented. Due to the addition of carbon into the SiGe system, the thermal stability of SiGeC diodes are improved remarkably. Compared to SiGe diodes, the reverse leakage current of SiGeC diodes is decreased by 97.1% at 400 K and its threshold voltage shift is reduced over 65.3% with an increasing temperature from 300 K to 400 K. Furthermore, the fast and soft reverse recovery characteristics are also obtained at 400 K for SiGeC diodes. As a result, the most remarkable feature of SiGeC diodes is the better high-temperature characteristics and this can be applied to high temperature up to 400 K.     

肌红蛋白与生物碱相互作用的光谱性质研究

用分子荧光光谱法和紫外可见分光光度法研究了肌红蛋白（myoglobin,Mb）与咖啡因、茶碱相互作用的光谱性质变化。据Stern-Volmer图得到猝灭常数,由紫外-可见吸收光谱判断均为静态猝灭,通过热力学常数得出其相互作用力为静电作用,依据Foerster偶极-偶极无辐射能量转移理论计算出Mb与生物碱间的距离,并用同步荧光光谱技术考察了生物碱对Mb构象的影响。     

指向核心素养的数学单元复习课教学设计研究北大核心

新课标指出要立足于培养学生核心素养,让学生学会:用数学的眼光观察现实世界,用数学的思维思考现实世界,用数学的语言表达现实世界.单元教学作为培养和发展学生核心素养的载体,成为广大研究者和一线教师关注的热点主题.学科核心素养是育人价值的集中体现,是学生通过学科学习而逐步形成的正确价值观、必备品格和关键能力[1].     

基于生物电容的视觉假体无线能量传输系统建模及效率优化

为了解决视觉假体无线能量传输系统设计过程中参数选取的问题,本文进行了基于生物电容的视觉假体无线能量传输系统精确建模,并在该模型的基础上对次级线圈回路进行了优化,使能量传输效率较传统谐振耦合方法有明显提高。文中采用大、小两组线圈进行比较分析和验证,所得实验数据和建模仿真数据吻合度高,验证了所建模型的准确性及优化方案的可行性,为视觉假体临床应用线圈的选取和无线能量传输系统的设计提供了理论参考。     

GPS基带芯片中存储器的可测性设计

GPS基带芯片中嵌入的存储器采用存储器内建自测试(Memory Built-in-Self-Test,MBIST)技术进行可测性设计,并利用一种改进型算法对存储器内建自测试电路的控制逻辑进行设计,结果表明整个芯片的测试覆盖率和测试效率均得到显著提高,电路性能达到用户要求,设计一次成功.     

超深亚微米CMOS工艺参数波动的测量电路

分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用"放大"的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电路采用较短的反相器链可以得到超深亚微米工艺下门延迟波动特性曲线.电路在90nm CMOS工艺下进行了流片制作,得到了90nm CMOS工艺下的单位门延迟波动特性曲线.测得延迟的波动范围为78.6%,动态功耗的波动范围为94.0%,漏电流功耗的波动范围为19.5倍,其中以漏电流功耗的波动性最为严重.     

大功率IGBT驱动保护方法研究进展综述

大功率IGBT广泛应用于电力电子行业,其驱动器也与之快速发展.现有的IGBT驱动器都集驱动与保护于一体,驱动功能趋于智能化,保护功能趋于完善可靠.过流保护是IGBT保护中最重要的一种保护功能,本文详细概括了目前过流检测、保护和驱动的主要方法,并对IGBT驱动的未来进行了展望.     

用于视觉假体的新型高动态范围图像传感器像素单元电路设计

针对于视觉假体的应用领域,本文提出了一种新型的高动态范围的CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)像素单元电路,该电路采用了列共用单元的条件溢出电容和多次积分技术,大大提高了图像传感器的动态范围,同时使其在低光照时保持较高的灵敏度和信噪比,采用了特许半导体公司的0.35μm CMOS工艺参数对该...     

四束激光光轴高精度稳定控制技术

介绍了压电陶瓷快速倾斜镜以及相应的反馈和控制系统研制过程,并对快速倾斜镜进行了详细的性能测试,包括响应速度、动态范围以及闭环分辨率等重要参数。在此基础上,完成了4束激光相干合成时光轴稳定闭环控制实验。实验结果表明:系统闭环控制时,4束激光光轴的均方根抖动均小于1.5μrad,与开环状态相比,光轴抖动量减小了80%。通过对开闭环控制结果的对比分析发现,远场光斑平均帧峰值提高了3.8倍。