van der Waals状态方程与溶液理论

阐明了van der Waals状态方程与溶液理论间的密切关系。由van der Waals状态方程中的内压力和自由体积简捷地导得Scatchard-Hildebrand正规溶液理论、无热溶液理论和Flory-Huggins聚合物溶液理论。表明这些理论都是建立在van der Waals流体的基础上,为进一步改进这些理论提供了一条切实可行的思路。     

一种新的双偶氮染料掺杂聚合物薄膜的光致双折射及偏振全息的研究

作为一种有可能作为永久信息存储的材料,合成出一种新的双偶氮材料(BA1)。当样品被波长为532nm的光激发时,几乎大部分BA1分子从反-反态转化到顺-顺态,产生了光致双折射。因此,研究了BA1分子掺杂的PMMA薄膜的光致双折射和透过信号与入射光强度的关系。实验结果表明:透过信号强度随着泵浦光的增强而增强。通过偏振态互相平行(SS)和垂直(SP)的两束偏振光用来研究偏振全息存储,结果表明SP光栅形成的衍射信号要比SS光栅的衍射信号强很多。     

锰卟啉/钒取代杂多酸配合物的合成、表征和性能研究

利用碘化四对(4-三甲氨基苯基)锰卟啉与钒取代杂多酸H5 PMo10 V2O40,在水溶液中,室温下反应合成了锰卟啉/钒取代杂多酸配合物,用红外和紫外光谱技术对其结构进行了表征,发现该配合物中包含着金属卟啉的环状结构与杂多酸的笼状结构,并且二者以化学键的形式键合在一起.以该化合物作为催化剂,以过氧化氢水溶液为氧化剂,在温和的条件下研究了锰卟啉/钒杂多酸配合物对苯的羟基化反应的影响,考察了催化剂的催化活性,探讨了催化剂对苯羟基化反应的活性中心.研究结果表明,杂多酸中的钒原子是其主要的催化活性中心,锰卟啉的存在可以有效地提高其催化活性.     

铁卟啉/钒取代杂多酸新型催化剂的合成、表征和性能研究

文章以水溶性碘化四对(4-三甲氨基苯基)铁卟啉和钒取代杂多酸H5PMo10V2O40为原料,采用离子交换方法在水溶液中合成了一种铁卟啉/钒取代杂多酸新型无机-有机复合催化剂,并使用红外和紫外光谱技术对其结构进行了表征,结果表明,这种新型复合催化剂仍然保持着卟啉的大环共轭结构和杂多酸的笼状多电子结构。同时研究了以30%过氧化氢水溶液为绿色氧化剂,初步探讨了这种铁卟啉杂多酸催化剂对苯的羟基化反应的的影响,考察了催化剂的催化活性。催化氧化实验表明,制备的铁卟啉/杂多酸配合物可用作苯直接氧化羟基化成苯酚的催化剂,并且表现出较高的催化活性。     

显示引发制播变革

在电视系统中，显示设备算不上重要设备，但是近年来这种周边设备却引起电视制播系统的不小变革，IT和AV的结合势在必行，多样化、多元化的技术将和严谨的视音频技术结合起来，使监看方式发生了不小的变化。     

对一个科学小实验的探讨

本文通过对高中物理实验课程现状和新课改下的要求的论述,就如何改进高中物理实验课程提出了几点建议。     

一种空时盲自适应RAKE接收机

多址干扰是直扩码分多址系统中的一个主要问题.多用户检测技术和阵列天线已成为解决这一问题的两种主要方法,将这两种方法结合起来的空时处理能大大提高系统的容量和性能.本文提出了一种空时盲自适应RAKE接收机.研究结果表明,该接收机具有较强的抑制多址干扰和克服"远-近"效应的能力,且能快速收敛.     

精细表面下细小缺陷的磁光涡流成像实时探测

磁光涡流成像检测装置可实现精细表面下细小缺陷探测。在该装置中，通过物体表面上方的交流激励线圈实现传统的涡流感应，涡流所感应的磁场由法拉第效应来检测。为了实现表面下缺陷的检测目标，激光穿过安放在激励线圈中的特殊的磁光晶体，激光偏振方向在晶体中的旋转大小取决于检测区域磁场的大小，缺陷将使检测区域磁场分量发生变化并使偏振光的旋转角发生相应变化，通过一光学装置转化成“明”或“暗”图像，该光学装置由传统的显微镜、照明系统、偏振器和CCD图像传感器组成。给出了初步的实验探测结果。     

双纵模激光拍频干涉仪的研究

介绍了一种可对大尺寸工件进行无导轨精密测量的系统。以有高稳定性和强抗干扰能力(室外可达10^-7)的双纵模热稳频He-Ne激光器为光源，其拍频约为790MHz，拍频波长约376μm；以节点为对准标志，最邻近节点到被测点的间距用组合于同一光路中的分系统激光干涉仪测量，分辨率为0．08μm。采用自适应滤波和小波运算大幅度地降低了光电信号噪声，并强化波形。测试表明，测量的不确定度优于30μm／10m，整个测量系统可在0～20m范围内工作。     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.