首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   132篇
  免费   16篇
  国内免费   18篇
化学   33篇
力学   3篇
数学   4篇
物理学   16篇
无线电   110篇
  2023年   2篇
  2022年   5篇
  2021年   3篇
  2020年   2篇
  2019年   6篇
  2018年   4篇
  2017年   3篇
  2016年   5篇
  2015年   6篇
  2014年   10篇
  2013年   7篇
  2012年   9篇
  2011年   9篇
  2010年   9篇
  2009年   11篇
  2008年   7篇
  2007年   4篇
  2006年   4篇
  2005年   7篇
  2004年   9篇
  2003年   6篇
  2002年   5篇
  2001年   7篇
  2000年   2篇
  1999年   7篇
  1998年   6篇
  1997年   3篇
  1996年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   1篇
  1989年   1篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有166条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
着数字化技术的迅猛发展,非线性编辑系统在广播电视后期制作中已经被大量采用,系统的功能也逐步走向成熟和多样化。从具有单一节目编辑功能,到有字幕机的功能,到具有强大的节目渲染包装能力,非线性设备走上了不断完善的历程,越来越多的影视制作也逐步摆脱了传统设备对想象力的束缚,走上了数字化处理的道路。高科技的发  相似文献   
102.
采用DFT/B3LYP方法对低聚物(p- P)2n、(m- P)2n、(m- P1)n和(m- P2)n(n=1~4)体系进行了全优化, 并用ZINDO, TD- DFT方法计算其吸收光谱性质. 分析了各系列HOMO- LUMO能隙、最大吸收波长随n递增的变化规律. 根据低聚物的上述结果外推得到聚合物的性质, 并由此计算了聚合物的有效共轭长度(ECL). 由于间位连接方式的影响, 削弱了间位聚苯及其衍生物的有效共轭程度, 与对位聚苯比较, 能带带隙变宽, 吸收光谱蓝移约130 nm.  相似文献   
103.
刘杰  杨兵 《电子世界》2014,(7):196-197
研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下,氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化,形成Al2O3薄氧化膜,提高肖特基势垒,从而降低GaN器件的阈值电压,提高器件导通电流。该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。  相似文献   
104.
以图像处理器(GPU)为基础,从中提取建立出单指令多线程调度模型,该模型独立于GPU,功能与其类似,但结构更简单,更易于理解和实现,方便向其他处理器结构中移植.并对该调度模型进行性能分析,分析结果揭示出该模型的特性,对该模型的使用和向其他处理器中移植以及优化提供重要参考.  相似文献   
105.
本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题,通过采用LDO与带隙基准的混合设计,并且采用BCD工艺,得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1.186 V输出电压在低频时PSR为-145 dB,在0~1 GHz频带内,最高PSR为-36 dB。在-50~150℃内,1.186 V基准的温漂为7.5 ppm/℃。  相似文献   
106.
运用Gaussian 03量子化学程序包, 采用密度泛函理论(DFT)B3LYP/LanL2DZ方法, 对重要的磷光材料金属铂配合物的结构与电子光谱进行了研究, 通过对基态结构前线分子轨道成分的分析, 指认与发光有关的低能吸收全部是金属到配体的电荷跃迁(MLCT)和配体到配体跃迁(LLCT)的混合跃迁. 在配体的苯环上引入F原子可使配合物的前线轨道能级降低, 其降低程度及对LUMO-HOMO能隙的影响与F所连的位置有关. 配体苯环的2位和4位引入F后, HOMO能级降低程度大, HOMO-LUMO能隙变大; 而F取代配体苯环3位和5位的氢使LUMO能级降低较多, 使能隙变小. 能隙的改变导致2位和4位的F取代配合物的吸收光谱和发射光谱均发生蓝移, 而于3位和5位F取代的配合物的吸收光谱和发射光谱均发生红移. 这就进一步证明通过改变取代基的种类和位置可以调控发光颜色.  相似文献   
107.
文章分析了一例采用金丝热超声键合电路在工艺监控过程中的键合强度检测合格,在高温稳定性烘焙后其引线抗拉强度同样符合MIL-STD-883G方法2011.7的要求,但电路在使用中出现第一顺序键合引脚开路现象。经分析是由于芯片键合区(压点)的材料、结构、键合工艺参数处于工艺下界,以及此类缺陷不能通过键合引线抗拉强度在线监测(包括125℃下的24h高温贮存后的检测)检测出而导致。最后针对缺陷所在,通过改进检测方法、键合工艺设置等消除了键合缺陷,并提高了键合可靠性。  相似文献   
108.
杨介信  杨兵 《物理实验》1996,16(6):267-269
新型恒定电场等势线描绘器杨介信(华东师范大学物理系)杨兵(上海电信技术研究所)彭新红(上海铁道学院物理室)静电场的模拟描绘方法较多,各有利弊.其中以电阻网络法精确度最高,但所需的等位点不能直接获得,需要相应点电位测定后再计算得到,最后画出某种电位的等...  相似文献   
109.
企业及运营商级WLAN的网络安全   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨兵 《电信技术》2003,(12):44-46
1概述IEEE802郾11系列标准协议公布以来,受到了通信界的广泛关注,且迅速在许多国家和地区得到应用。这一系列标准对WLAN的安全提供了一些保护措施,如有线等效协议(WEP)、SSID等。其中,IEEE802郾11b根据有线网络的静态密钥加密方案又有64位(等同于48位)、128位等不同的级别。目前,已经有802郾11a标准的商用产品采用152位密钥;802郾11b+标准则采用256位密钥。尽管如此,但是由于WEP采用的是静态密钥加密技术,因此很容易被黑客破解。目前在Internet中有现成的破解WEP密钥的程序可供下载,如运行在Linux环境下的Airsnort和WEPCrack,…  相似文献   
110.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号