规范上网行为提高竞争力

2006年是不同寻常的一年,互联网的发展更加迅速,中国的网民突破了1.2亿大关,互联网大大改变了我们的生活和工作方式。网络已经渐渐成为和手机一样必不可少的工具,成为生活的一部分。网络的飞速发展和应用是一个令人欣慰的事情,说明人们已经充分认识到互联网的优势,并且利用它来     

IPv6和PLC融合状况分析

一、欧盟的推动近日,有消息称欧盟执委会决定开放欧洲的电力线宽带上网市场。欧盟执委会为了使欧盟各会员国有更便利的网络环境,近来决定开放电力线通信(PLC)接入方式,以提供企业及一般民众更容易可得的宽带上网环境。根据欧盟执委会的定义,PLC(Power LineCommunication)乃是一     

CRM在电信企业中的应用探讨

本通过分析近年来CRM在我国电信领域的应用现状和出现的问题，说明了出现问题的原因，并为电信领域进一步有效应用CRM系统提出建议。     

固相微萃取结合气-质联用分析麻椒挥发性成分

以四川广元产的麻椒为原料,利用固相微萃取技术对麻椒中的挥发性成分进行提取,分别用装有HP-5ms和HP-INNOWAXms两种色谱柱的GC-MS进行分离与鉴定;采用质谱与保留指数进行定性,共鉴定出99种成分,其中烯烃类58种、醛类15种、醇类9种、酯类7种、酮类3种、其他烃类4种、其他化合物3种。采用面积归一化法确定了它们相对含量,含量较高的有芳樟醇、D-柠檬烯、β-崖柏烯、β-水芹烯、β-月桂烯、β-蒎烯、(-)-右旋吉玛烯、石竹烯、γ-萜品烯、3-崖柏烯、(Z)-β-罗勒烯、(1R)-(+)-α-蒎烯、(+)-3-蒈烯、(Z,Z,Z)-1,5,9,9四甲基-1,4,7环-十一碳三烯、萜品油烯。从鉴定出的挥发性成分的香气特征可知,烯烃类、醇类和醛类对麻椒的香气贡献较大。     

运营商面向移动互联网的产品用户体验研究

正引言随着移动互联网迅猛发展,产品的用户体验成为企业构建核心竞争力的要素,同时也成为驱动行业发展和产品创新的主动力。因此,在当前通信产业转型与变革的大环境下,运营商在重视规模发展的同时,必须加强关注用户体验。     

14.5～15GHz11W内匹配功率器件

介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路,并对封装管壳进行优化,有效提高了器件的微波特性。在带内频率14.5～15 GHz、漏源电压Vds为8 V时,器件输出功率大于40.4 dBm(11 W),线性功率增益为7 dB,功率附加效率大于23%。     

直扩信号PN码序列估计的神经网络方法

为了解决通信侦察中低信噪比下直扩信号PN码序列的盲估计问题,分析了神经网络算法。该算法基于直扩通信的基带信号模型,通过对输入信号的主分量进行分析和提取,获取神经网络学习后的突触权值,进而估计出PN码序列。理论分析与仿真数值结果都表明,该算法在较低信噪比背景环境中,能够准确地恢复出PN码序列。     

一种区分服务模型及其在三层交换机的实现

服务质量（QoS）是用来定义网络给不同形式的流量提供不同级别的服务保障的能力.当前服务质量的体系结构和模型有多种,本文参照RFC2474、RFC2475 标准,提出了一种新的服务质量-区分服务（Diffserv）应用模型,该模型包括：流量的分类器、计量器、标记（或重标记）器、丢弃器和调度器等模块, 其中对于核心模块-调度器, 提出基于最大延迟的加权轮转调度（WRR-MBD）算法,同时给出区分服务模型在3 层以太网交换机的实现方法.通过网络测试分析仪对3 层交换机QoS 性能进行测试,得出在WRR 调度策略下,不同优先级数据包的丢失率基本按所设置的权重比例进行分配,从而避免了严格优先级（SP）调度存在的低优先级队列“饥饿”的现象.     

空管导航与间隔的联系

随着越来越多的民用机场以及航路上导航设备的使用,飞行的准确性大大地提高了,同时间隔标准更为精确。文章主要将雷达和甚高频全向信标台(VOR)、测距仪(DME)、无向信标台(NDB)等导航设施和间隔标准结合在一起,通过对导航设施和间隔标准的联系来提高空域使用效率。     

22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究

利用计算机辅助设计技术数值仿真工具, 研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应, 系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响. 模拟结果表明, 掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小, 重离子入射产生大量电荷, 屏蔽了初始电荷分布的差异性. 单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关, 超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端. 当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时, 单粒子瞬态电流峰值从564 μA减小到509 μA, 收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC. 超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制, 但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关. 关键词： 超薄体全耗尽绝缘体上硅 单粒子瞬态效应 电荷收集 数值仿真