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131.
随着待加工工件的复杂度越来越高,编写NC代码的复杂性也越来越高,这样在NC代码编写过程中出错的概率也就随着增高。所以在切割零件程序之前经常需要对待加工NC代码进行预加工操作以验证代码编写的正确性。同时随着切割机处理工件能力的提高,经常需要编排大量的零件到板料中,此过程需要耗费大量的人力。在综合考虑上述问题的基础上,建立了切割机遥控操作仿真系统。其中,切割机遥控操作的基础功能部分采用匹配关键字码的方法实现了NC代码解析功能和DXF文件解析功能;采用基于轨迹线的临界多边形求解算法和模拟退火算法相结合实现了自动套料功能;最后结合vega图形技术实现了虚拟切割验证的功能. 相似文献
132.
在无线通信信道的研究中,协作分集是改善信道接收端的误比特率的基t,--t~t术,它可以使得系统获得额外的分集增益。经研究表明,不同的协作中继策略可以获得不同的性能。文章主要阐述了固定型放大转发(AF),选择型译码转发(SDF)和混合型放大译码转发方案(DAF)三种策略的基本原理和信道容量,简单介绍了编码协作(CC),最后描述了在不同信道下不同方案的性能分析,展望协作通信的发展方向。 相似文献
133.
在LTE-Advanced(LTE-A)系统中,针对目前多用户协作多点传输中常用的预编码算法不能在消除用户间的干扰和自身天线之间干扰的同时考虑系统噪声影响这一现象,提出两种优化的算法:一种是将BD算法与MMSE算法结合;另一种是在SLNR算法的基础上再次利用ZF算法.这两种优化算法都是在消除所有干扰的基础上同时考虑噪声影响的一种方案,仿真结果表明,这两种优化算法可以有效的降低系统误码率,提供了系统性能. 相似文献
134.
为改善用户自身天线间的干扰和信道噪声干扰对SLNR算法性能的影响,对SLNR算法进行了改进,包括两种改进算法:SLNR_ZF算法是利用ZF算法可以消除用户自身天线间干扰的作用将其引入到SLNR算法中;SLNR_MMSE算法是在SLNR_ZF算法的基础上引入规范化因子,消除噪声干扰。通过仿真结果表明,改进的两种优化算法可以有效地消除包括用户自身天线间干扰、用户间干扰和噪声干扰的多种干扰,提高小区边缘用户的吞吐量和误码率。 相似文献
135.
给出了改进的最佳摄动量法,并应用在双曲型方程参数反演问题的求解中.由遗传算法借助交叉和变异算子控制全局搜索来获得参数的初始迭代值,代入最佳摄动量法求解出稳定的高精度数值解. 相似文献
136.
根据铂电极上硫化物电催化氧化的反应机理,本文提取动力学模型并利用数值模拟研究了N型负微分阻抗(N-NDR)振荡区域的电极表面时空反应动力学.在均相体系模拟中观察到电流简单振荡和复杂振荡,其来源于双电层电势自催化与传质限制和毒化物种吸附负反馈的相互耦合.为了更接近于真实体系,在模型中考虑了平行和垂直于电极表面两个方向的传质过程.模拟结果发现了与实验现象具有相同演化行为的复杂斑图,如行波和闪烁波;同时在传质耦合体系模拟中观察到双电层电势双臂螺旋波.本研究工作促进对电化学体系时空斑图的理解和预测. 相似文献
137.
分析了近几年柔性显示技术的市场规模,并对未来市场做了展望及预测。全面地研究、分析、总结了主流的八种柔性显示技术(有机电致发光显示、电泳显示、TFT-LCD显示、无机电致发光显示、电子粉流体显示、干涉调制显示、电致变色显示、等离子管阵列显示等)的显示原理、研发现状、国内外主要研发机构及相关产品/样品模型,提出了对应柔性显示技术未来研发方向及思路。并对另外两种柔性显示技术(光子晶体显示及电润湿显示)做了技术原理、研发现状及研发方向等的研究与分析。最后对柔性显示技术研发中的共性焦点问题和未来关键研发思路及方向做了分析与论述。 相似文献
138.
Blob匹配法应用于多目标时,匹配速度会变慢,而Kalman滤波器可以预测运动目标在下一帧的位置。因此,文章考虑将kalman滤波结合Blob法对目标跟踪进行研究。 相似文献
139.
CDMA2000 1x EV-DV中具有功率控制的H-ARQ 总被引:1,自引:0,他引:1
在CDMA2000 1x EV DV中新应用的混合自动重传请求(Hybrid Automatic Repeat Request,H ARQ)技术在本质上与快速功率控制非常相似,二者都用于减小对其他用户的干扰。为了平衡H ARQ增益和分组时延,H ARQ定义了4种操作模式:正常模式(normal mode)、简约模式(reduction mode)、增强模式(boost mode)和增强简约模式(boost re-duction mode)。4种模式的定义是根据H ARQ操作中信道增益的设置方式来定义的。仿真的结果表明简约模式在分组差错率(Packet Error Rate,PER)和分组时延两个方面都有较好的性能。增强模式比非增强模式有更低的PER和分组时延,但是其代价是需要更多的能量。 相似文献
140.
用MOCVD方法生长GaInP及其掺杂材料,并对Si的掺杂行为进行了较详细的研究。采用低温度冲层技术可有效地控制高温(>700℃)生长GaInP及其掺杂材料的组分,从而使得GaInP掺Si的电子浓度达8×1018cm-3。在此基础上,进行了GaInP发光二极管材料的生长,所得器件具有良好的I-V曲线。 相似文献