基于Ba_xSr_(1-x)TiO_3薄膜电容的L波段可调滤波器

在蓝宝石基片上使用Ba_xSr_(1-x)TiO_3(BST)铁电薄膜电容作为可调元件制作出一种五阶梳状线可调带通滤波器。通过对BST平行板电容的材料特性(介电常数、损耗和可调率)的提取,其中40 V偏压下的可调率为43.1%,将这些特性运用于可调滤波器的制作。初步的实验结果分析表明,在20V直流偏置电压作用下,滤波器的中心频率从1.19GHz变化到1.31GHz(可调率为10.1%),带内插入损耗为13.5~13.7dB,回波损耗低于12dB。     

退火温度对Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜阻温特性的影响

采用传统陶瓷工艺制作溅射靶材,通过射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备了Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对不同退火温度下制备的NTC薄膜的结构和形貌进行表征。经过蒸发电极、内电极图形化、淀积二氧化硅钝化层等工艺,将薄膜制成0805规格NTC热敏电阻器。利用高低温试验箱等测试系统对其性能进行测试,研究了退火温度对薄膜阻温特性的影响。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大,当退火温度为950℃时,晶粒大小均匀,成相平整致密;材料常数B随着退火温度的升高而增大。     

LCD的通用驱动电路IP核设计

本文介绍了一种新型的LCD驱动电路IP核的总体设计,采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块,分别介绍各个模块的功能,用VHDL语言对其进行描述,用FPGA实现并通过了仿真验证。该IP核具有良好的移植性,可驱动不同规模的LCD电路。     

烧结温度对YBCO陶瓷常温物理性能的影响

采用固相烧结法制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)陶瓷,研究其在常温下电导率特性及烧结温度对电导率和热膨胀系数的影响。研究结果表明,YBa2Cu3O7-x相形成的温度为930℃、940℃烧结的YBCO陶瓷电导率最佳(达到9.742×105S/m),电导率具有随环境温度的变化呈正温度系数特点;烧结温度越高,电导率的环境热稳定性越好,烧结温度为950℃时,电导率基本不随环境温度变化而变化。不同烧结温度制备的YBCO陶瓷,热膨胀系数基本一致(为13.60~14.06μK-1),与铁素体不锈钢接近。     

Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的耐压特性研究

采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了基片、退火温度及膜厚对薄膜耐压特性的影响。结果显示,铝酸镧(LaAlO3)基片上制备的BST薄膜表面较平整,有较好的耐压;随着退火温度从750℃提高到850℃,BST薄膜晶粒长大,电击穿概率有所增加,750℃是一个较合理的退火温度。在优化的工艺条件下,BST薄膜耐压可达125V/μm。     

一种新偏压结构的BST电容梳状滤波器设计

介绍了一种五阶可调抽头式梳状线滤波器,设计采用共面方式接地,使用Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST)铁电薄膜平板电容作为可调部件,并分析了平板电容结构的影响.针对梳状电调滤波器需单阶加压和外接大电阻繁琐的情况,提出利用集成在衬底上的大容量BST电容作为隔离电容,将各阶谐振器的偏压线互连来简化加压过程.运用高频电磁仿真软件HFSS进行验证,设计出的滤波器中心频率可调范围为842～960 MHz(14％),3 dB带宽为9％～10％.     

BST薄膜的残余应力分析

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随晶化温度变化的趋势。结果表明:在550,650,700℃晶化后的BST薄膜宏观残余应力表现为压应力,且随着晶化温度的升高,呈线性变大。     

TiO_2(Ag)纳米半导体薄膜的制备及其光催化性能

对热解Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４＋ＡｇＮＯ３溶胶制备的ＴｉＯ２（Ａｇ）纳米半导体薄膜光催化特性与其结构的关系进行了研究。薄膜对二卡基砜的光催化降解结果表明,热解温度显著影响薄膜的光催化作用,这与ＴｉＯ２微粒的长大和晶相转变有关;适量的Ａｇ作活性剂可以显著改善薄膜的光催化性能。     

直接键合硅片的亲水处理及其表征

硅片直接键合技术的关键在于硅片表面的亲水处理,本文分析了亲水处理之微观机理,从界（表）面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法,并测量了常用清洗液的接触角大小。     

紫外光擦除信息的EPROM存储单元的工作与特性

具有可改写的不挥发特性的半导体存储单元是构成EPROM的关键。本文详细描述了两种已经在EPROM中实用的存储单元的结构与写入特性,并讨论了影响其写入特性的一些因素,为设计一个大规模集成的紫外光擦除型EPROM提供了实验结果。