Kinetic studies on vapor phase carbonylation of methanol to acetic acid over Rh/Ys catalyst

A novel catalyst Rh/Ys for the carbonylation of methanol to acetic acid with CH3I as the promoter shows excellent activity and selectivity.The reaction is kinetically controlled.The reaction rate is in proportion to the concentration of Rh and CH3I but has nothing to do with those of CH3OHH and CO.The surface active energy is Ea ~51.02 kJ/mol.A mechanism is also proposed.     

Pd（OAc）2／Cu（OTf）2在离子液体BMlmPF6中催化苯乙烯二聚反应的研究

在离子液体BMImPF6中，用不同的钯催化剂和Lewis酸三氟甲磺酸铜Cu（OTf）2共催化苯乙烯二聚反应，发现用Pd（OAc）2／Cu（OTf）2作催化剂，Pd／Cu物质的量之比为1～4时，可高产率高选择性地获得苯乙烯二聚产物1，3-二苯基．1-丁烯．BMImPF6对催化剂有较好的溶解性，可固定催化剂体系，使催化剂有效地与产品分离．同时，α-甲基苯乙烯的二聚反应表明，室温下不发生反应，提高温度有利于反应进行．     

2.4 GHz低相位误差低相位噪声CMOS QVCO设计

提出了一种新型的适用于锁相环频率合成器的正交压控振荡器(QVCO)结构,分析了QVCO的工作原理及其相位噪声性能.ADS仿真结果表明,电路工作在2.4 GHz、偏离中心频率600 kHz的情况下相位噪声为-115.4 dBc/Hz,在1.8 V电源下功耗仅为2.9 mW,输出信号的相位误差小于0.19°.结果还表明相对于目前流行的QVCO结构,提出的结构实现了低相位误差、低功耗、高FoM值.     

一种基于AND-LUT的混合FPGA结构

提出了一种混合FPGA新结构--新颖的AND-LUT阵列结构.其创新之处在于由可编程逻辑簇(Cluster)和相关的连接盒(CB)组成的可编程逻辑单元片(Tile)可以根据应用需要灵活地配置成PLA或LUT,前者较适合于高扇入逻辑,后者较适合于低扇入逻辑.因此,结合两者优点的新颖AND-LUT阵列结构在实现各种输入的用户逻辑时都能保持很好的逻辑利用率.MCNC电路测试结果进一步表明,同一逻辑电路在文中提出的混合FPGA新结构中实现与在基于LUT的对称FPGA结构中实现相比,面积平均可节省46%,因而大大提高了FPGA器件的逻辑利用率.     

1-芳基-4-吡唑-5-酰基氨基脲类化合物的合成及杀菌活性

为了寻求新的吡唑先导化合物, 用4-氯-1-甲基-3-乙基-5-吡唑甲酰肼与取代苯基异氰酸酯反应得到了14个新的1-吡唑酰基-4-芳基氨基脲类化合物. 经IR, 1H NMR, MS和元素分析对化合物的结构进行了表征. 初步生物活性实验结果表明, 在500 mg/mL浓度下, 化合物1-(4-氯-3-乙基-1-甲基-1H-吡唑-5-甲酰基)-4-(2-甲基苯基)氨基脲(4g), 1-(4-氯-3-乙基-1-甲基-1H-吡唑-5-甲酰基)-4-(2,4-二甲基苯基)氨基脲(4k)对小麦白粉病菌(Blumeria graminis)的抑制率分别达到90%和80%; 在25 mg/mL浓度下, 化合物1-(4-氯-3-乙基-1-甲基-1H-吡唑-5-甲酰基)-4-苯基氨基脲(4c)对黄瓜灰霉病菌(Botrytis cinerea)的抑制率达到70.1%; 化合物1-(4-氯-3-乙基-1-甲基-1H-吡唑-5-甲酰基)-4-苯基氨基脲(4c)和1-(4-氯-3-乙基-1-甲基-1H-吡唑-5-甲酰基)-4-(2-硝基苯基)氨基脲(4d)对稻瘟病菌(Pyricularia oryzae)的抑制率均达到51.3%.     

纤维素纳米晶模板法制备多级孔炭材料及其电化学性能

以纤维素纳米晶(CNC)为模板,酚醛树脂为碳源,KOH为活化剂,通过高温碳化制备了多级孔炭材料.采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)等手段对合成的一系列炭材料进行了表征.结果表明,前驱体中CNC的降解会形成与CNC直径相当的介孔,KOH活化则会导致炭材料产生大量的微孔和大孔,以及部分4 nm左右较小尺度的介孔,所制备炭材料呈现明显的多级孔特性,其比表面积达554.7 m²/g,总孔体积为0.323 cm³/g.以CNC为模板,KOH活化的炭材料作为电极材料时,在1.0 A/g电流密度下其比电容达202.8 F/g,当电流密度升高至40.0 A/g时,其电容保持率仍达69%,表明该炭材料具有优异的倍率性能;由该电极材料组装的超级电容器在10000次充放电循环后,电容保持率达95%以上,具有良好的循环稳定性.     

Synthesis of Si—H Functional Poly(phenylsilane) and Organosilane Copolymers: Low-valent Titanium Induced Polymerization of Organodichlorosilanes

在低价钛促进下,苯基二氯硅烷进行还原聚合反应生成Si-H官能化的聚苯基硅烷。应用此方法,在温和、中性反应条件下制备出Si-H官能团化的有机聚硅烷共聚物。     

7H-三呋咱并[3,4-b:3',4'-f:3',4'-d]氮杂环庚三烯及衍生物的合成与表征

以3,4-双(3'-氨基呋咱-4'-基)呋咱(BATF)为原料,经Caro’s acid氧化制备了3,4-双(3'-硝基呋咱-4'-基)呋咱(BNTF),收率为93%;基于BNTF分子中的NO2反应性,与水合肼、氨水等发生亲核取代、环化反应,合成了含能化合物7H-三呋咱并[3,4-b:3',4'-f:3',4'-d]氮杂环庚三烯(HTFAZ)和7-氨基-三呋咱并[3,4-b:3',4'-f:3',4'-d]氮杂环庚三烯(ATFAZ).在硝酸-醋酐体系中氧化HTFAZ得到新化合物7,7'-二(呋咱[3,4-b:3,4'-d:3',4'-f]氮杂环庚三烯)(BTFZ),采用红外光谱、核磁共振、元素分析和质谱等进行了结构表征.培养了HTFAZ单晶,X射线单晶衍射分析表明:HTFAZ晶体结构属单斜晶系,空间群为P2(1)/n,a=0.7252(15)nm,b=0.6458(14)nm,c=1.6814(4)nm,V=0.7781(3)nm3,Z=4,Dc=1.871 g·cm-3,F(000)=440,R1=0.0353,w R2=0.0895.开展了HTFAZ,ATFAZ和BTFZ的物化、爆轰性能和热性能研究,其中HTFAZ密度1.871 g·cm―3、生成焓733.7kJ·mol-1、熔点193.1℃、分解点345.1℃、爆速8416.5 m·s-1、爆压为32.9GPa;ATFAZ密度1.788 g·cm-3、生成焓831.2kJ·mol-1、熔点204~207℃、分解点323.7℃、爆速8300 m·s-1、爆压为30 GPa;BTFZ密度1.862 g·cm-3、生成焓1752.4kJ·mol-1、分解点280.2℃、爆速7924.5 m·s-1、爆压为28.42 GPa.     

高速芯片设计中时序的研究

高速芯片设计中所有时序的容差都非常小,而互连延迟在整个时序预算中所占的比例随着速度的升高而变大。因此为了满足其高速性能,一方面要精确地定位电路各部分的延迟模,另一方面必须把实际布图后互连延迟信息返标到逻辑综合环境。文章结合ＢＡＰ１０２４芯片的设计,对这方面进行了研究。     

QM-Y6型燃气敏传感器的可靠性

通过ＱＭ－Ｙ６型燃气敏旁热式气体传感器的工作寿命试验和试验数据的处理,获得了该型传感器的寿命分布和分布参数以及可靠性水平,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。