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131.
采用热注入法制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并形成高分散、稳定的"墨水",采用滴注方法形成CZTS前驱体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见光谱(UV-VIS)对CZTS纳米颗粒的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。Raman数据显示合成的纳米颗粒为纯的CZTS,不存在ZnS和Cu2SnS3等杂相。傅里叶红外光谱(FTIR)和UV-VIS表明合成的CZTS纳米颗粒表面被油胺(OLA)包覆,并且其带隙为1.52 eV。对CZTS前驱体薄膜在硫化氢气氛和固态硒气氛中退火处理,得到铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜。结果表明,经硫化氢处理后薄膜表面平整但CZTS晶粒并没长大,而经过固态硒处理后得到了结晶质量较好的CZTSSe薄膜。 相似文献
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配体的结合与解离过程在蛋白质实现其生物学功能方面非常关键,因此对这些高度动态过程的研究变得非常重要. 尽管已有实验方法可以确定蛋白质-配体复合物的三维结构,但一般仅可获得静态图片. 随着计算机算力的快速提高以及算法的优化,分子动力学模拟在探索配体的结合与解离过程方面具有诸多优势. 然而,当系统变得足够大时,分子动力学模拟的时间和空间尺度成为了巨大的挑战. 本工作提出了一种研究配体-蛋白质结合与解离的增强采样工具,它基于配体和蛋白质之间形成的接触数来引导迭代多组独立分子动力学模拟. 在腺苷酸激酶的模拟结果中,观测到配体的结合和解离过程,而使用传统分子动力学模拟在同一时间尺度下则无法实现这一过程. 相似文献
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134.
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明.低电流区GaAlAs IRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。 相似文献
135.
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139.
目前,高清在全世界的发展较快。从2006年至2010年全球高清数字家庭增加了3.38亿,数字电视普及率从18.9%上升到42.5%。2010年底,全球有2.03亿有线数字电视用户,1.39亿付费卫星数字直播用户,9700万免费卫星数字直播电视用户和3500万IPTV用户。 相似文献
140.
Theoretical Analysis of Interference Nanolithography of Surface Plasmon Polaritons without a Match Layer
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Interference nanolithography techniques based on long-range surface plasmon polaritons (LR-SPP) are hardly ever achieved by experiments at present. One key reason is that suitable liquid materials are difflcult to find as the match layer connects the metal film and the resist. We redesign a Kretschmann-Raether structure for interference lithography. A polymer layer is coated under the metal film, and an air layer is placed between the polymer layer and the resist layer. This design not only avoids the above-mentioned question of the match layer, but also can form a soft contact between the polymer layer and the resist layer and can protect the exposure pattern. Simulation results confirm that a device with an appropriately thick polymer layer can form high intensity and contrast interference fringes with a critical dimension of about λ/7 in the resist. In addition, the fabrication of the device is very easy. 相似文献