3COM三层交换机在城域网中的应用

介绍了3Com三层交换机Switch4900SX在城域网中的具体应用，包括用它进行路由交换、vlan划分等。     

镨、钕、钇、甘氨酸三元配合物的晶体结构

在水溶液中培养了镨、钕、钇与甘氨酸形成的三元配合物。元素分析和热分析表明，该配合物可用Ｐｒ_ｘＮｄ_ｙＹ_ｚ（Ｇｌｙ）_６（Ｈ_２Ｏ）_４（ＣｌＯ_４）_６·５Ｈ_２Ｏ（Ｘ＋ｙ＋ｚ＝２）表示其分子式。Ｘ射线衍射方法测定了其单晶结构，结果表明，该晶体属三斜晶系，空间群Ｐ１，化学式Ｐｒ_（０．７７５）Ｎｄ_（０．７００）Ｙ_（０．５２５）Ｃｌ_６Ｏ_（４５）Ｎ_６Ｃ_（１２）Ｈ_（４８），Ｍ_ｒ＝１４６６．０９，晶胞参数如下：ａ＝１１．５６４（１），ｂ＝１４．１１８（３），ｃ＝１５．６６８（２）Ａ，α＝９６．９９（１），β＝１０２．７２（１），γ＝１０５．３３（１）°，晶胞体积Ｖ＝２３６２（１）Ａ~３，Ｚ＝２，Ｄ_ｃ＝２．０６０ｇ／ｃｍ~３，结构偏离因子Ｒ＝０．０３２，Ｒ_ｗ＝０．０４８。晶胞中存在两个络合单元，每个单元可用Ｍ_１Ｍ２（Ｇｌｙ）_６（ＣｌＯ_４）_６（Ｈ_２Ｏ）_４．５Ｈ_２Ｏ表示，Ｍ_１＝０．４Ｐｒ＋０．３７５Ｎｄ＋０．２２５Ｙ，Ｍ２＝０．３７５Ｐｒ＋０．３２５Ｎｄ＋０．３０Ｙ。三种稀土元素按一定比例统计性地占有两个格位。羧基以桥式联结金属离子，形成一维链式聚合物结构。在络合单元中，一个稀土离子是９配位，其配位多面体为畸变?     

The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology

Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS.     

黑腔端置靶辐照不均匀性分析

提供一种解析方法来研究激光加热黑腔所产生的平面辐射场的不均匀度与平面靶大小和位置的关系,解析结果与数值模拟结果进行了比较,两者的曲线形状基本一致,辐照不均匀度最小值的位置也是一致的。并用此方法给出了能产生有最小辐照不均匀度的平面辐射场的腔靶尺寸的范围。     

利用1H NMR探究混合离子型/非离子型表面活性剂临界胶束浓度降低的实质

利用¹H NMR技术研究了离子/非离子表面活性剂形成的二元混合体系,结果显示表面活性剂的混合导致各组分的临界胶束浓度（CMC）均比各自纯溶液有所降低,用吸附平衡理论清楚地解释了这个现象.通过定量分析,发现不同的表面活性剂混合使得其组分CMC降低的程度各异,可以理解为它们吸附于界面单分子吸附层上的分子之间相互作用的不同（相吸或相斥）引起的.由此揭示了"协同效应"的实质,可以为选择适当的表面活性剂类型和混合比例以达到预期的性能提供有力的参考.     

光学微纳结构红外隐身技术研究进展(特邀)EI北大核心CSCD

随着红外探测技术手段的多样化发展,红外隐身技术的需求日益迫切。由于传统的红外隐身技术面临着多途径目标探测和多功能兼容的严峻挑战,因此研究光学微纳结构红外隐身技术有着十分重要的意义。基于局域共振机制的亚波长尺度的光学微纳结构,极大地丰富了人们对光的传输行为的调控。在红外隐身技术领域,光学微纳结构可以针对红外辐射特性进行材料和结构的精细化设计,从而满足理想红外隐身发射光谱的需求,为发展更加多光谱、多功能、自适应的红外隐身技术提供全新的解决方案。文中围绕红外隐身技术的相关研究,首先介绍了多层薄膜吸收体、金属表面等离子激元、基于相变材料薄膜可调吸收体、智能化设计光学微纳结构实现光谱响应的基本原理,在此基础上,重点回顾了近年来基于光学微纳结构的红外隐身技术新特点,包括多光谱红外隐身技术、多功能红外隐身技术、自适应红外隐身技术的发展现状。最后,梳理了光学微纳结构红外隐身技术所存在的不足及面临的困难并对未来的研究方向和发展趋势进行了展望。     

移动互联网中用户位置信息的分布及保护方式研究

本文对移动互联网环境下用户位置信息的分布状况进行了全面梳理,基于不同的类别对其保护方式进行研究,并提出了具体的保护方案建议。     

相对论电子束真实发射度在线磁扫描测量系统

介绍了清华大学研制的相对论电子束（４～１０ＭｅＶ）真实发射度的测量系统，利用该系统测量了４ＭｅＶ驻波电子直线加速器的真实发射度，并且研究了该系统的测量误差和测量范围，实践表明。     

氢离子辐照纯钒中形成的位错环

钒合金作为聚变堆候选材料, 其辐照损伤行为一直是关注的重点. 研究辐照时形成的位错环的性质, 其意义在于揭示纯钒中辐照空洞的长大机理. 这种机理表现为不同类型位错环对点缺陷吸收的偏压不同, 从而影响金属的辐照肿胀. 本文利用加速器对纯钒薄膜样品进行氢离子辐照, 然后, 利用透射电镜的inside-outside方法分析氢离子辐照所形成的位错环的类型. 结果表明, 在氢离子辐照纯钒中没有发现柏氏矢量b=<110>的位错环, 只有柏氏矢量b=1/2<111>和b=<110>的位错环, 这两种位错环的惯性面处于{110}-{112}之间. 能确定性质的位错环全部为间隙型位错环, 未发现空位型位错环.     

Modelling of Laser—Generated Guided Waves in Bonded Plates with a Weak Interface by the Two—Layer Normal Mode Expansion Method

The two-layer normal mode expansion method is employed to analyse the laser-generated elastic guided waves in bonded plates accounting for the adhesive bond layer in terms of a weak interface with the spring model.The sensitivity of dispersion and transient characteristics of the guided wave to the stiffness coefficients characterizing the cohesive quality is analysed in details.This Method provides a new prominsing way for the characterization of the cohesive quality in bonded plates.