低温共烧陶瓷工艺制备EBG定向天线

通过低温共烧陶瓷( LTCC)工艺制备出禁带位于超宽带(UWB)范围的电磁波禁带(EBG)天线陶瓷基板,其电磁波禁带位于4.0～5.5 GHz.在基板上制备了片式天线,在微波暗室中对天线方向性进行测试.结果发现,与没有EBG结构的片式天线相比,其在H面主瓣方向上的增益提高了约4dB,背瓣方向辐射强度平均降低了10 dB左右,证明EBG结构能够有效改善天线在空间辐射的方向性.     

Dielectric Properties of Fine-Grained BaTiO3 Ceramics under High Pressure

We investigate the temperature dependence of the dielectric constant of BaTiO3 ceramic with coarse to nanograin size under different hydrostatic high pressures up to 5000 bar in the range between room temperature and 200℃. The ferroelectric-to-paraelectric phase transition temperatures Tc are determined from the peak of dielectric constant versus temperature. The values of average grain-size are estimated from the SEM images. It is found that the magnitude of dTc/dp varies considerably from sample to sample depending on grain size. The Curie point Tc of the sample with small grain size decreases more sharply than that of samples with larger one.     

晶界杂质和缺陷行为与BaTiO_3基陶瓷的PTCR效应

钛酸钡陶瓷中，高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成，晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化，产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺陷和杂质，在晶粒中不能存在，而在晶界上以亚稳态形式存在。它们在铁电相变点跃迁 回低价稳态，产生电子陷阱，使材料电阻率迅速增大，形成ＰＴＣＲ效应。     

银迁移对PMZNT基独石电容器电性能的作用机理

研究了内电极中银的迁移对ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ（ＰＭＺＮＴ）基的多层陶瓷电容器电的作用机理。通过微量的银掺杂来探讨在共烧过程银元素由内电极渗透到陶瓷介质中对多层器件造成的影响。借助扫描电显微镜来观察烧成后电极和陶瓷界面处的显微结构。结果表明：银迁移到陶瓷介质中导致介电性能的变化，具体表现为居里点的移动，介电峰值的下降，但并不是简单的单调上升或下降的关系。此外，陶瓷介质的绝缘性能下降，利用缺陷化学方法