I-fuzzy拓扑空间的次分离公理

在I-fuzzy拓扑空间中引入次T1和次T2分离公理,新的分离公理具有预期好的性质,如:具有遗传性和可乘性,在次T2空间中分子网收敛唯一等。初步讨论次分离公理与其它分离公理的关系。     

铌酸钡钠晶体中与位错相关的铁电畴

本文报道了对原生态铌酸钡钠晶体中与位错相关的铁电畴的系统观测结果。除沿c轴直线延伸的位错线不存在相关铁电畴外,具有各种形态特征、不同柏格斯矢量、不同走向的所有位错线都存在与之相关的铁电畴。在由交锁带纹状铁电畴构成的“中性”区域内,位错相关铁电畴由分居位错线的c方向两侧、极性相反且极化方向背向位错线的两个铁电畴管道所构成。铁电畴管道的形状与位错线的走向有关,但不因位错线的柏格斯矢量的不同而有明显差异。在较大的单畴区内,只出现与基底铁电畴极性相反的一翼。位错线攀移路径的两侧也存在极性的类似变化。文中还对产生位错相关铁电畴的可能原因进行了分析。     

基于pignistic概率距离的冲突证据合成方法

Dempster Shafer证据理论在数据融合中有着广泛的应用.但当证据之间高度冲突时,应用DS证据合成公式往往会得出错误的结果.在现有的证据合成改进方法中,均使用冲突系数k来度量证据之间冲突的程度.最新的研究表明:影响证据冲突的因素不仅仅是冲突系数k,还和证据的pignistic概率距离等因素有关.在原有的冲突系数k之上,引入pignistic概率距离,提出了一种新的冲突证据合成方法.仿真结果表明:当证据之间的冲突小时,合成结果近似于D-S证据合成公式,当证据之间的冲突较大时,这种方法在公式模型上比其他方法完善,冲突证据的合成结果更加合理.     

α—PbO2型TiO2纳米晶微结构的HREM研究

TiO2是一种具有广泛应用前景的氧化物材料,其结构及相关的物理化学特性一直是实验和理论研究的焦点.常温常压下TiO2可以以四种形态存在,即锐钛矿、金红石、板钛矿和α-PbO2型.其中属四方晶系的金红石是最稳定的,其它几种形态在高温下都将转变成金红石.板钛矿和α-PbO2型TiO2都属正交晶系,但前者只是以亚稳相的形式存在,而后者则是一种高压淬火相.α-PbO2型TiO2可以在0.8到10.0GPa的压强下形成,其晶格参数为a=4.55、b=5.46、c=4.92[1].     

硅基多孔氧化铝薄膜的解理断裂特性

近年来,人工制备量子点、量子线等纳米结构材料引起了广泛关注。通常的制备方法有电子束刻蚀、离子束刻蚀、X射线刻蚀、电子全息成像刻蚀等。这类方法所能达到的最低尺度为≥10nm[1]。而阳极氧化多孔氧化铝的最小孔径可达1nm[2],其特征参数如孔径(1～300nm)、孔长(10～300nm)及孔密度(108～1011cm-2)都可以用选择不同腐蚀电压的方法来加以控制,而且孔的长度直径比可达1000以上,所以,作为模板,多孔氧化铝薄膜在纳米材料制备方面有其独到之处。但是,多孔氧化铝薄膜容易卷曲、断裂,这一缺点影响它在纳米工业中的应用。本文利用电镜研究阳极氧…     

薄栅氮化工艺技术研究

介绍一种薄栅氮化的工艺方法,可用于0.8-1.0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中.     

利用电子束浮区区熔法制备钼单晶体

本文简单介绍自制的1.5千瓦电子束浮区区熔装置及其工作情况。应用这种装置我们制备了直径4毫米、长2—5厘米的钼单晶体,并掌握了制备定向单晶体的实验技术。制备的钼单晶体没有择优取向;显微镜观察发现晶体表面有大量的台阶(高度在2.3×10^-5—6.3×10^-4厘米),初步推断为蒸发台阶。 关键词：     

用浸蚀法显示钼单晶中的位错线与网络

关键词：     

发光多孔硅高分辨电镜分析

高分辨率透射电子显微镜分析表明,发光多孔硅是由直径为20A左右的晶粒组成的珊瑚状多孔体。多孔硅仍保持原单晶硅衬底的晶体结构框架。     

DISLOCATION DISSOCIATION ON CLIMB PLANE IN TEXTURED YBa2Cu3O7-δ SUPERCONDUCTOR

Using high resolution electron microscopy, the structure of [100] tilt boundary with misorientation of 1.2° in YBa₂Cu₃O_7-δ has been determined. The boundary is shown to consist of an array of partial dis-locations, These partials result from the dissociation of a perfect dislocation with a Burgers vector [0, 0, c] on its climb plane according to the reaction, b→b₁+b₂+b₁+b₂+b₁+b₂. Here b=[00c], b₁=[O,b/2, c/6} (or [a/2, 0, c/6] ). b₂=[0, -b/2. c/6] (or[ -a/2, 0, c/6] ). The spacing between the perfect dislocations satisfies the Read-Shockley formula. There exist no amorphous phases in the boundary region.