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主要研究相互粒子系统中概率测度的负相关.我们得到判定概率测度是负相关的一个充分必要条件.最后证明了具有负相关的概率测度的线性组合及乘积测度仍是负相关的. 相似文献
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形成SOI结构的ELO技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm. 相似文献
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在师专物理专业中如何加强学生的实践性杨发权李武钢(广西梧州师专贺州542800)前言传统的普通师专物理教学从理论教学为主,加上主要用于验证物理理论为目的实验教学。所谓动手能力仅限于实验操作方面以及很小范围的技术应用方面。这一模式的教学显然已不能适应当... 相似文献
197.
高温超导材料钇钡铜氧制成的双孔单结射频超导量子干涉器件处于超导态时,环孔中的磁通是量子化的.超导器件吸取谐振回路能量的同时也影响谐振回路的输出电压.芽过环孔的外磁通变化时,回路输出电压呈现三角波特性曲线,其周期为磁通量子Φ_0。谐振回路电流变化时,曲线的幅度及位相变化,但周期不变. 相似文献
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阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献