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991.
文章设计了一种用于单片集成DC-DC变换器的高性能带隙基准电压电路。当温度从-40℃~125℃变化时,温度系数为23ppm/k,其电源抑制比(PSRR)为54dB。当输入电压在2.5V~6V变化时,基准电压的变化范围为±0.055mV。 相似文献
992.
首先对传统财务评价指标和经济附加值(EVA)的优缺点进行了对比研究,然后介绍了EVA的计算过程,最后通过实例详细讲解了EVA在通信企业财务评价中的应用。 相似文献
993.
994.
基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。 相似文献
995.
与交流电动机相比,直流电动机结构复杂,成本高,运行维护困难。但是直流电动机具有良好的调速性能、较大的起动转矩和过载能力强等许多优点,因此在许多行业中仍有应用。文章介绍了一种利用单片机控制的PWM调速装置实现小功率赢流电动机调速的方法,具体详述了电路的设计思想、电路的组成以及工作原理。 相似文献
996.
本文详细介绍了国际电联的ITU-RP.370和ITU-RP.1546两种电波预测传播模型,并对这两种进行了对比研究。 相似文献
997.
998.
999.
具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案. 相似文献
1000.
1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43.8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中. 相似文献