MIC多晶硅薄膜的光学与电学特性及其优化

制备了4种P型掺杂的多晶硅薄膜;固相品化(SPC)、金属诱导(MIC)、准分子激光晶化(ELA)和低压化学气象沉积(LPCVD)多晶硅薄膜,并且研究了它们的光学特性与电学特性.结果发现,MIC多品硅薄膜具有最小的可见光吸收率;ELA和MIC有较小的方块电阻,而SPC和LPCVD方块电阻较大.最后通过对MIC多晶硅薄膜厚度的优化表明,厚度为40 nm的MIC多晶硅薄膜最适合做有机电致发光器件的像素电极.     

2-叔丁基-4-氟-苯并氧杂卓并[3,4-b]喹啉并

以2-溴甲基-6,7-亚甲二氧基-3-喹啉酸乙酯(1) 为原料,经三步合成了2-叔丁基-4-氟-苯并氧杂卓并[3,4-b]喹啉并[9,11]二氧戊环-14(6H)-酮(4).其中,6-(2-氟-4-叔丁基-苯氧甲基)-[1,3]二氧戊环并[4,5-g]喹啉-7-羧酸是经一锅法合成的.它的分子内闭环反应是在Eaton's reagent(P2O5-CH3SO3H)的作用下,在较温和的条件下进行的.所得新化合物3和4的结构经IR、1H NMR和元素分析得以证实.     

快前沿直线脉冲变压器平台单丝电爆炸实验研究

基于前沿约100 ns、电流约100 kA的快前沿直线脉冲变压器（FLTD）平台,开展了单丝电爆炸相关实验研究。围绕FLTD平台搭建了激光探针和可见光分幅相机等离子体图像诊断系统,采用可见光PIN和XRD分别测量了单丝电爆炸的辐射特性。实验获得了不同时刻对应的W丝（15 m）和镀膜W丝（15 m W+2m 聚胺亚胺）电爆炸的物理图像,呈现了两种情况下金属丝融蚀过程以及等离子体不稳定性发展的过程。实验结果表明,镀膜能够增加电流初始阶段的能量馈入,进而改善金属丝的电爆炸特性。     

多间隙气体开关紫外光预电离结构

针对一种用于快前沿直线脉冲变压器驱动源的多间隙气体开关,设计了针式和孔式两种预电离触发结构,获得了两种预电离结构下开关的自击穿特性和触发特性。实验结果表明:增加预电离针后,开关静态特性没有明显变化,开关自击穿电压平均值变化幅度小于3%;开关触发特性明显改善,开关工作电压150 kV、触发电压60 kV时,触发抖动减小约20%,触发阈值降低5~10 kV。对于针式预电离结构,实验研究了不同触发电压、工作气压、电离间隙距离时紫外光强度的变化规律,结果表明在电离间隙距离1.5~3.0 mm时,开关触发抖动小于2.0 ns,预电离效果明显。     

小波边缘检测算法在平面丝阵Z箍缩图像1维诊断中的应用

选择尺度融合的小波边缘检测算子对平面丝阵Z箍缩条纹相机图像进行处理,分析了影响边缘检测效果的参数。处理结果显示：如果边缘像素比例取合适值（4%～7%）,若尺度取较大值时边缘定位不够精确,取较小值时受噪声影响较大;尺度融合的小波边缘检测算子则能精确判断图像边缘位置,同时受噪声影响较小;与直接判读方法相比,通过尺度融合的小波边缘检测算法判读的数据更稳定平滑,更能抵抗噪声的干扰。     

基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作

提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。     

多晶硅薄膜阳极微腔有机发光器件及其简化制备程的研究

介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MIC poly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的反射率与透射率和很小的吸收率,因此我们将它用作红光OLED的阳极.结果显示该器件的最大发光效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED效率提高了57%.这是由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的很高反射性能,使之形成了一定Q值的微腔效应所至.这样,可以实现发光强度较高、单色饱和性较好的单色显示器件.本研究的意义还在于,由于此MOLED的p型掺杂MIC多晶硅阳极是与其共面型驱动TFT有源层、源/漏两极同层材料制备,即是TFT漏极的延伸;这样,不仅形成了高性能的AMOLED单色显示,而且也大大简化了AMOLED工艺流程,从而形成了简化流程的4-mask AMOLED基板制备工艺.     

利用活性浸渍物质提高热阴极电流密度的实验研究和理论模型

通过发展新的活性物质成分系统及其制备方法以提升钪系阴极的电子发射性能,是当今热阴极特别是大电流密度阴极领域的研究重点。该文提出一种由多元金属氧化物构成的新型高活性浸渍物质,显著提升了钪在阴极中的添加比例,大幅提高了阴极的发射电流密度。将冷冻干燥法应用到该活性物质前驱体的制备过程中,有效解决了传统固相合成方法在机械式破碎、研磨和混合等工序中存在的不可控、不均匀等问题。采用了新的成分系统与新的制备方法制得活性物质的阴极,在真空二极管测试和电子枪测试中分别取得了超过500 A/cm²和218.5 A/cm²的脉冲发射电流密度。在二极管直流测试条件下,阴极的寿命测试进行了10500 h后仍未出现发射电流下降的现象;而在电子枪中的大工作比(5%)脉冲测试条件下,阴极在工作了2010 h后仍维持了超过50 A/cm²的较大发射电流密度。借助深紫外—光/热发射电子显微镜(DUV-PEEM/TEEM)分析发现,相较传统的钪系阴极,新制备的大电流密度阴极表面的热电子发射位点数量增加,微区发射面积显著增大。最后,提出一种“二叉树”发射模型,以期阐释钪系阴极采用新活性物质后获得高发射特性的物理机制。     

锌-钬共掺杂无机抗菌材料的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了一种新型无机抗菌材料--锌-钬抗菌白炭黑。通过单因素实验和响应曲面法优化,得到了最优制备条件为:锌浓度0.711 mol·L^-1,钬浓度0.5 mmol·L^-1及反应时间65 min。获得了分散性好、粒度较小、抗菌性能良好的复合抗菌材料。通过SEM,EDS,FTIR,粒径检测和抗菌检测等手段对锌-钬抗菌白炭黑进行了表征。结果表明:锌-钬抗菌白炭黑结构蓬松,平均粒径为28.948μm,且锌离子和钬离子的添加对载体白炭黑的结构基本没有影响,其抗菌率可达83.41%。