导弹发射装置滑轨表面MoS2干膜防护高温高速两相燃气流应用研究

选用多种MoS2干膜润滑材料，对滑轨式武器发射系统的高能有烟发动机两相燃气流高温烧蚀、熔融残渣的高速热冲蚀以及粘渣-烧蚀耦合破坏作用进行有效的润滑和防护试验，分析了烧粘现象和残渣组成，采用发动机试车台模拟试验及国军标环境条件试验评估了多种MoS2干膜润滑材料的防护特性．结果表明：国产MoS2干膜防护涂层兼有一定的润滑及防腐蚀功能，能显著改善滑轨表面的润滑性能和抑制高温高速燃气流的烧粘-腐蚀破坏作用；滑轨表面烧粘-腐蚀程度与发动机推进剂的铝粉性质及含量(残渣量)直接相关，各种防护涂层的主要破坏形式为烧蚀、热冲蚀以及粘渣破坏，由于残渣含腐蚀物，有必要在烧粘后及时清洗并施行二次防护，其中热固型MoS2干膜的防护性能优于常温固化型MoS2干膜，但由于燃气严重的热冲蚀，还需采用常温快速固化的MoS2干膜进行现场修补．     

磁性高分子微球

对磁性高分子微球的研究现状进行了综述,详细探讨了目前常用的各种合成制备方法,并对各种方法的优缺点进行了分析。在此基础上,对磁性高分子微球在细胞分离、有机合成、环境/食品微生物检测等领域的最新应用进展及存在的问题进行了分析,指出了该领域今后的研究方向。     

一种用于自稳零放大器的伪随机信号发生器

提出了一种用于自稳零运算放大器的伪随机信号发生器电路.该电路结合了线性反馈移位寄存器和多级计数器,实现了输出信号的频率在一定范围内随机变化的功能.利用7级线性反馈移位寄存器生成的7位伪随机码对多级计数器进行置位,计数器以置位后的状态开始计数.当计数器计满时,输出信号跳变一次.同时,线性反馈移位寄存器生成新的伪随机码对计数器电路进行重新置位,计数器再重新计数.最终产生频率在一定范围内随机变化的输出信号.该输出信号作为自稳零放大器失调校准电路的开关时序信号,使自稳零运放的失调电压校准电路（开关电容结构）的开关动作具有随机化特征,产生的开关毛刺类似随机噪声,改善了自稳零放大器失调电压的校准效果.该伪随机信号发生器电路采用0.5μm CMOS工艺实现.仿真结果表明,该信号发生器电路实现产生的输出信号的频率在2 kHz到4 kHz范围内随机变化.将其用于自稳零运算放大器的失调电压校准中,自稳零运放输出信号中的谐波显著降低.     

喹啉不溶物对煤沥青热聚合改质影响的研究

采用软化点相同但喹啉不溶物（QI）含量不同的中温沥青为原料，进行了几类煤沥青的热聚合改质试验。研究表明，煤沥青原料QI含量对热聚合改质过程和产物改质沥青的性能指标影响很大，并且热聚合期间改质沥青的次生QI转变速率与原料煤沥青的QI含量成正比关系，通过对不同类型QI组分的分析，探讨了QI组分影响煤沥青热聚合改质的机理，认为原料煤沥青所含原生QI炭微粒促进了热聚合改质过程中煤沥青芳烃分子的聚合。     

一种电阻串加内插结构的16位D/A转换器

设计了一种10位电阻串分压加6位内插结构的16位电压输出型D/A转换器。高10位采用1 024个电阻串分压网络,低6位采用64个运放输入级内插结构,均采用温度计的方式进行线性叠加,从结构上保证了16位D/A转换器的单调性。该D/A转换器的输出运放采用了PMOS输入折叠式共源共栅加Class AB输出缓冲结构、多级嵌套式密勒补偿(NMCNR),实现了高直流增益和大电容负载下的稳定性。该16位D/A转换器基于0.6 μm CMOS工艺设计,在5 V电源电压下,仿真结果表明,微分非线性误差为0.35 LSB,积分非线性误差为3.05 LSB,建立时间为6.12 μs,无杂散度动态范围(SFDR)为93.41 dB,功耗为1.84 mW。在接470 pF电容负载的条件下,输出运放直流增益为150.63 dB,单位增益带宽为1.59 MHz,相位裕度为65.84°。     

一种改进的测定水中亚硝酸盐的FIA停流-分光光度法研究

本文用预装的功能流路(块),以对氨基苯磺酸+α-苯胺为显色剂的流动注射停流-分光光度法测定了水样中的亚硝酸盐,获得良好的分析性能.提出了一种固定化和标准化流路硬件,主要依靠软件程序来选择流路参数的优化方法.NO-2的浓度在0.1～10 μg/mL范围内与吸收信号呈线性关系,相关系数为0.995.方法的检出限(3σ)为0.012 μg/mL,RSD为1.0%(3 μg/mL,n=9),样品分析速率为45/h.     

一种改进的测定水中亚硝酸盐的FIA停流一分光光度法研究

本文用预装的功能流路(块),以对氨基苯磺酸 α-苯胺为显色剂的流动注射停流-分光光度法测定了水样中的亚硝酸盐,获得良好的分析性能。提出了一种固定化和标准化流路硬件,主要依靠软件程序来选择流路参数的优化方法。NO2^-的浓度在0．1～10μg／mL范围内与吸收信号呈线性关系,相关系数为0．995。方法的检出限(3σ)为0．012μg／mL,RSD为1．0％(3μg／mL,n=9),样品分析速率为45／h。     

一种基于0.6μm BCD工艺的40V高压输出自稳零运算放大器北大核心

设计实现了一种基于0.6μm BCD工艺的40 V高压输出自稳零运算放大器。该运算放大器采用了时间交织自稳零结构，实现了对输入失调电压的连续校准，同时使用40 V耐压PDMOS管和NDMOS管，实现了ClassAB结构的高压输出。运算放大器的输入级和自稳零校准电路采用0.6μm普通MOS管实现，均工作在5 V电源电压下；放大级和输出级中部分晶体管采用非对称结构的40 V DMOS管，实现了高压输出。整体电路中只有DMOS管的漏源电压承受40 V的耐压，其余MOS管的各端电压均在正常的工作范围内，没有耐压超限风险。前仿真结果表明，该运算放大器在5 V和40 V双电源电压下工作正常，输入失调电压为0.78μV,输出电压范围为3.0～37.7 V,等效直流增益为142.7 dB,单位增益带宽为1.9 MHz,共模抑制比为154.8 dB,40 V电源抑制比为152.3 dB,5 V电源抑制比为134.9 dB。