硅基芯片金锡共晶焊工艺中金硅扩散机理研究

金锡合金焊料(Au⁸⁰Sn²⁰)具有良好的导热、导电性,广泛用于高可靠集成电路共晶贴片工艺。研究了硅基芯片AuSn共晶焊工艺中工艺参数对硅原子向AuSn焊料扩散的影响,当共晶温度从310 ℃增加到340 ℃时,AuSn焊料中硅原子质量百分比增加1个数量级。分析了硅原子向AuSn焊料的扩散机理,讨论了硅原子向焊料扩散后对产品可靠性的影响及控制措施。     

利用周期型正交二元相位板产生正方阵列涡旋和螺旋光场

设计了一种周期型正交二元相位板,其具有周期型矩形调制单元,各单元的相位调制量为0或π。该相位板的空间频谱具有中心直流分量为0的特点,分别对该频谱中心区域的4个一级频谱点和8个二级频谱点进行相位调制,可得到正方阵列光斑和正方阵列涡旋。阵列涡旋中各涡旋光束的拓扑荷数l=±1,在空间交错分布。由于两个正方阵列光场在垂直传播方向的横向周期恰好重合,且两个光场沿光轴方向的波数不同,因此叠加之后可以形成强度分布随传输距离旋转的正方阵列螺旋,阵列中存在两种具有相反螺旋方向的螺旋光束,同样在空间呈交错分布。此外,讨论了产生最佳螺旋光束的相位板设计条件,并给出理想情况下系统的能量利用率,所得实验结果验证了该方法的可行性。     

TiSiN/Ag纳米多层涂层海水环境磨蚀性能研究

本文中采用多弧离子镀系统在Ti-6Al-4V合金(TC4)上沉积TiSiN/Ag纳米多层涂层. 使用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和扫描型电子显微镜(SEM)表征涂层的成分和结构,并使用纳米压痕测试其硬度. 用Rtec MFT500摩擦磨损试验机对涂层在海水环境中的摩擦磨损性能进行测试. 结果表明:涂层具有致密的结构和清晰的多层界面,TiSiN层与Ag层交替沉积,涂层中包含TiN、Ag和Si₃N₄相,非晶Si₃N₄包裹纳米晶TiN. 相比TC4合金基体,沉积TiSiN/Ag纳米多层涂层后,摩擦系数在大气环境和海水环境均能下降0.15以上,磨损率降低两个数量级. 人工海水中摩擦状态下材料出现腐蚀摩擦交互作用,主要损耗形式为腐蚀对磨损的促进,TiSiN/Ag纳米多层涂层的耐磨蚀性能远优于基体材料.      

Cr掺杂对GLC薄膜结构及其摩擦学性能的影响

采用磁控溅射方法制备类石墨碳膜(GLC)及掺杂金属Cr的类石墨碳膜(GLC-Cr),利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)、纳米压痕仪等测试技术对比分析两薄膜样品的结构及机械性能,利用UMT-3多功能摩擦磨损试验机考察其在大气、去离子水、发动机油3种环境下的摩擦学性能.结果表明:本实验参数下制备的类石墨碳膜中,Cr的掺杂促使了类石墨碳膜中sp2杂化键的形成,降低了GLC薄膜的硬度及弹性模量,但在3种不同环境下均使得类石墨碳膜的摩擦学性能得到明显改善.其中水介质的存在可明显降低类石墨碳膜的摩擦系数,而油润滑介质虽未使得其摩擦系数明显降低,但其摩擦曲线波动性及磨损率均最小.     

基于改进超分辨率生成对抗网络的图像重建算法

针对现有基于像素损失的超分辨率图像重建算法对纹理等高频细节的重建效果差问题,提出了一种基于改进超分辨率生成对抗网络(SRGAN)的图像重建算法.首先,去除了生成器中的批归一化层,并结合多级残差网络和密集连接,用残差套残差密集块提高了网络提取特征的能力.然后,结合均方误差与感知损失作为指导生成器训练的损失函数,既保留了图...     

电子元器件面向整机应用的联合研究

国产电子产品的开发、生产中,在整机技术和元器件制造技术之间有一个相对薄弱的衔接环节。探讨整机生产和元器件生产企业之间进行电子元器件面向整机应用联合研究的可行性和必要性,并提出了在市场经济条件下联合研究的形成条件和研究模式,即：（１）以整机厂为主的开发型研究;（２）以元器件厂为主的国产化研究;（３）质量控制与质量改进研究;（４）元器件厂的售前服务和售后服务。这是在市场经济形势下企业联合发展思路的一种探索     

Ba1-1.5yLayZrxTi1-xO3固溶体的合成、结构与介电特性

用软化学合成方法在100℃以下制备了一系列Ba_1-1.5yLa_yZr_xTi_1-xO₃(0<x<0.3, 0≤y≤0.08)固溶体纳米粉末。XRD物相分析及晶间距-组成图表明，产品为完全互溶取代固溶体。用TEM观察可知其粒子为均匀球形，平均粒径为60纳米。通过制陶实验，对该系列固溶体的介电特性分别进行了测试。结果表明：采用化学掺杂方法在BaTiO₃中掺入适量锆、镧后，样品的室温介电常数可提高到30，000以上，并呈现出规律性。     

基于超声相控阵的轮辋探伤实证分析

基于相控阵超声探伤技术,采用直射声束法对轮辋轴向缺陷试块中横孔的径向深度和轴向深度进行了检测,精确定位了横孔的位置,并通过AVG曲线法对缺陷的尺寸进行了定量评定和分析。实验结果表明,缺陷较浅则检测的误差波动较小、干扰波较少;缺陷较深则可能出现轮廓回波等非缺陷波,对缺陷回波的分析有较大影响;远场区的缺陷可以通过AVG曲线进行精确评定。     

基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。     

双工件台光刻机中的焦面控制技术

面对可用焦深日益缩短的趋势,高精度的焦面控制技术显得尤为重要。针对双工件台光刻机中采用的焦面控制技术,介绍了基于偏振调制的光栅检焦技术及其测量原理,研究了双工件台光刻机中的调平调焦技术。基于平面拟合、最小二乘法及坐标变换公式推导了曝光狭缝内离焦量计算公式;研究了一种离焦量解耦算法,该算法将曝光狭缝内离焦量解耦为调平调焦机构三个压电陶瓷的独立控制量,并使狭缝曝光场中心在调平调焦运动过程中不发生平移。经仿真分析表明,该算法可用于调平调焦精度优于10 nm 的高精度调焦调平系统, 能满足线宽小于100 nm 投影步进扫描光刻机的需要。