基于MSP430的低频信号分析仪设计

介绍了一种基于MSP430单片机的低频信号分析方法,在此方法的基础上设计了低频信号分析仪。系统通过硬件电路将电压值调理至适当范围,再分别通过整形电路、峰值检测电路,以及有效值检测电路,将信号输入MSP430149单片机中。利用单片机内部的定时器及A/D转换器,测出信号的频率、幅值和有效值,再通过有效值与幅值的关系判断出波形。介绍了系统的硬件电路设计及相应的软件流程,实测结果表明,系统方案简单,成本较低,达到了良好的测量结果。     

基于MC464控制器的两轴伺服示教软件设计

采用了翠欧MC464控制器、松下A4N伺服驱动器和伺服电机组合的系统方案,利用Motion Perfect2平台进行编程操作,实现了伺服示教与再现功能的软件设计。通过对直接示教和间接示教的设计,利用仪器的伺服闭环功能实时记录编码器的位置信息,完成示教功能;再通过高速脉冲的输出控制电机运转,再现已设定的运动轨迹。实验表明,间接示教能忠实的再现运动轨迹,直接示教具有很高的再现精度,两种示教方法的结构设计简洁,系统运行稳定,其定位运动具有较好的重复性。     

引线键合在温度循环下的键合强度衰减研究

研究了18、25、30μm三种金丝和25、32、45μm三种硅铝丝键合引线在不同温度循环次数下的键合强度衰减规律,并研究了拉断模式的比例。结果表明,所有试验样品,无论是否经历温度循环,均达到了GJB548B-2005方法2011.1中的最小键合强度要求,均未出现焊点拉脱的现象。随着温度循环次数的增加,金丝键合强度先略微增大,后缓慢减小并趋于平缓。硅铝丝键合强度先较快减小,后缓慢减小,并趋于平缓。相比于金丝,硅铝丝在0～50次的温度循环下键合强度衰减较快。通过曲线拟合,获得不同丝径下的键合强度衰减变化方程。     

硅基芯片金锡共晶焊工艺中金硅扩散机理研究

金锡合金焊料(Au⁸⁰Sn²⁰)具有良好的导热、导电性,广泛用于高可靠集成电路共晶贴片工艺。研究了硅基芯片AuSn共晶焊工艺中工艺参数对硅原子向AuSn焊料扩散的影响,当共晶温度从310 ℃增加到340 ℃时,AuSn焊料中硅原子质量百分比增加1个数量级。分析了硅原子向AuSn焊料的扩散机理,讨论了硅原子向焊料扩散后对产品可靠性的影响及控制措施。     

大气氧化性定量表征方法的建立及其应用

从大气化学反应动力学的基本原理出发，推导出还原性污染物在大气中总的准一级氧化去除速率常数（Kpor,T），用以定量表征大气氧化性，为与大气氧化性有关问题的深入探讨提供了量化参数．并以珠江三角洲为例，以CBM-IV机理的氧化反应为基础，利用Kpor.T对该区域大气氧化性进行了数值模拟研究．结果表明，在珠江三角洲地区，大气氧化性具有明显的日变化规律和空间分布特征；OH自由基引发的氧化反应，二氧化硫的非均相氧化反应、醛类的光解反应是影响大气氧化性的主要氧化过程．     

基于内容的图像检索方法

综述了基于内容检索技术的进展,并对其主要方法如基于颜色、形状、纹理等图像检索技术进行了论述,介绍了几个典型的基于内容的图像检索系统.通过综述指出了今后的研究方向.     

螺旋线焊接技术研究

本文主要介绍了螺旋线焊接结构在X波段大功率螺旋线脉冲行波管中应用的必要性及实现方案,给出了采用焊接结构的螺旋线行波管慢波系统的热仿真数据。整管试验结果表明,在与600 W行波管相同的传导冷却的条件下输出功率能力大幅度提高,获得了大于900W的平均功率。     

基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。     

Cr掺杂对GLC薄膜结构及其摩擦学性能的影响

采用磁控溅射方法制备类石墨碳膜(GLC)及掺杂金属Cr的类石墨碳膜(GLC-Cr),利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)、纳米压痕仪等测试技术对比分析两薄膜样品的结构及机械性能,利用UMT-3多功能摩擦磨损试验机考察其在大气、去离子水、发动机油3种环境下的摩擦学性能.结果表明:本实验参数下制备的类石墨碳膜中,Cr的掺杂促使了类石墨碳膜中sp2杂化键的形成,降低了GLC薄膜的硬度及弹性模量,但在3种不同环境下均使得类石墨碳膜的摩擦学性能得到明显改善.其中水介质的存在可明显降低类石墨碳膜的摩擦系数,而油润滑介质虽未使得其摩擦系数明显降低,但其摩擦曲线波动性及磨损率均最小.     

K1-5型外壳共晶贴片热应力研究北大核心

针对采用10号钢为基材的K1-5型外壳的芯片裂纹问题，对其共晶应力进行了仿真，并尝试对工艺过程进行仿真优化。结果表明，无论采用何种缓慢或快速的散热方式，都不能从根本上改变10号钢与Si芯片因热膨胀系数的巨大差异而导致的热应力。通过比较三种不同的管壳材料可知，以可伐材料为基体的K1-5管壳的共晶热应力最低，为316 MPa,而以10号钢为基体的热应力最高，为19 800 MPa,远远超出了硅芯片的极限断裂强度544 MPa。根据应力的基本理论，可伐与Si芯片的热膨胀系数的差异最小，无氧铜次之，而10号钢为最大，这也是以10号钢为基体的K1-5管壳在共晶时芯片开裂的根本原因。将管壳基材更换为可伐材料，仿真分析和实际试验结果均证明该管壳能够有效解决芯片开裂的问题。