相移点衍射干涉仪用衍射板结构设计

相移点衍射干涉仪(PS/PDI)的检测精度取决于衍射板中针孔衍射产生的参考球面波质量,而针孔的直径是影响参考球面波质量的一个重要因素。基于矢量衍射理论,以会聚光束作为入射光,分析了针孔厚度和直径、加工误差以及入射光源单项像差和综合像差对衍射波面质量的影响。仿真数据表明,为了获得数值孔径为0.2,波前误差均方根(RMS)值不大于1.4×10-3λ的理想球面波,在针孔的实际加工制作中,应选200nm厚度铬膜,直径为1.5μm的针孔,并且满足仿真误差要求;对衍射板上窗口尺寸进行了仿真,结果表明窗口边长取60μm时,仿真结果最优。用实验验证了设计结果的可行性。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定铅锭中10种杂质元素

铅广泛应用于汽车、电子、通讯等工业领域。不同领域对铅含量要求不同。按照GB/T 469—2005《铅锭》要求,铅锭分为5个牌号:Pb 99.994、Pb99.990、Pb 99.985、Pb 99.970和Pb 99.940。目前,铅化学成分仲裁分析方法按照GB/T 4103—2000《铅及铅合金化学分析方法》检测,各种杂质元素的检测分别采用不同方法前处理和检测,过程繁琐。电感耦合等离子体原子发射光谱法测定样品,     

掩模衍射频谱轴向分量对光刻成像性能的影响EI北大核心CSCD

传统三维光刻矢量成像模型中将投影系统物方电磁场表示为二维形式,实现方式分为两种:采用局部坐标和忽略掩模衍射频谱的轴向分量。后者在浸没式光刻系统仿真中的适用性需要进一步分析。简述了忽略掩模频谱轴向分量的矢量成像模型和引入该分量的全光路三维光刻矢量成像模型,利用这两种模型和商业仿真软件,研究了掩模衍射频谱轴向分量对光刻胶中成像特征尺寸的影响并对结果进行了讨论。研究结果表明,相干照明和部分相干照明条件下,掩模衍射频谱轴向分量对光刻成像的影响随着数值孔径的变化趋势存在较大差异。这说明相干照明下的分析结论并不适用于部分相干照明条件,且只有全光路三维矢量成像模型才能满足浸没式高分辨光刻仿真的要求。     

分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大。而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小。因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移。     

高数值孔径光刻成像中顶层抗反膜的优化

高数值孔径光学光刻中,成像光分布在较大的入射角范围内,传统顶层抗反膜优化方法只对垂直光来减小光刻胶上表面反射率,难以保证光在整个入射角范围实现反射率最小。提出全入射角范围顶层抗反膜优化方法,即在入射角范围内实现光刻胶-顶层抗反膜-空气(或浸没液体)界面的最小平均反射率,并优化顶层抗反膜参量。结果表明,该方法能减小薄膜干涉引起的成像线宽(CD)变化,有效控制成像摆效应,增大顶层抗反膜透射率,提高横电和横磁偏振光透射率之比,从而提高扫描曝光系统的生产率,进一步改善成像衬比度。     

DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计

基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高.采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布.高精度的场分布有利于高级像差.为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差.动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2 am;偏转场大小为1 mm×1 mm时,束斑分辨率约为29.8 nm.结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求.     

高速调幅光束的光折变四波混频的理论研究

对高速调幅光束的光折变四波混频进行了理论研究。在无泵浦非耗竭近似下，给出了复耦合系数为任意值时稳态四波混频耦合波方程组的解析解。对方波调制光束情况进行了模拟计算。     

马尾松毛虫CPV基因组第7片段的cDNA克隆及序列分析

利用琼脂糖凝胶电泳分离马尾松毛虫质型多角体病毒(DpCPV)基因组dsRNA,并回收纯化第7片段(S7).经逆转录和PCR扩增,获得2个亚克隆片段并测序.再根据已测序列设计引物,利用RNA连接酶介导的RACE法得到S7两端克隆并测序.通过拼接可得到DpCPVS7全序列.经过序列分析发现,S7全长1502bp,5′端具有CPV 1型末端保守序列AGTAA,3′端具有保守序列GTTAGCC.起始密码子ATG位于25～27残基,终止密码子TAG位于1373～1375残基,推测S7片段编码448个氨基酸多肽,分子量约为5.0×107.与舞毒蛾质型多角体病毒(LdCPV 1)和家蚕质型多角体病毒(BmCPV)第7片段相比较,核苷酸同源性分别为99%和86%.     

MEMS器件中电极制作工艺的研究

研究了常用的国产BP212正型紫外光刻胶和光学曝光机在利用剥离工艺制备电极中的适用性.结果表明,采用国产的光刻胶和曝光设备完全可以得到实用性的带有凹面的光刻胶剖面和线条均匀性达到微米级的金属线条,简化了lift-off工艺,降低了成本,改进了金属电极的制备方法.