对数周期天线时域特性分析

应用FDTD分析对数周期天线的时域辐射特性和馈电端反射特性，通过FFT得到频域辐射方向图及馈电端输入驻波比，计算结果和测试结果相当吻合，证明方法的有效性。     

电磁辐射：3G运营之忧？

手机给我们带来通话方便的同时，它的电磁波辐射对人体健康的影响问题也引起了人们的广泛关注和担心。自上个世纪80年代人们开始使用模拟手机到现在GSM、CDMA等数字手机，手机的电磁波辐射对人身健康的影响问题就一直摆在世界医学界面前，也偶尔传出有人因使用手机影响健康问题控告手机制造商的报道。国外一些著名大学、研究结构对这个问题进行了深入研究，至今仍没有明确的结论。但令人欣慰的是酝酿9年的手机电磁波辐射标准有望今年出台。     

Volterra算子及其伴随算子线性组合的数值域

经典Volterra算子$V$及其伴随算子$V^*$在复空间$L^2[0,1]$中起着关键作用. 关于$V$和$V^*$的线性组合的性质, 我们给出了确保$z_1V+z_2V^*(z_1,z_2\in\mathbb{C})$满足增生性质的等价条件. 本文描述了$(u+iv)I+mV+nV^*(u,v,m,n\in\mathbb{R},m+n\geq0)$数值域的精确表示.     

非线性光学超构表面：基础与应用

光学超构表面是一种由亚波长尺度的超构单元在面内排布而构成的准二维人工结构材料。研究人员可以通过选择超构单元的材料组成、几何形状对光的振幅、偏振、相位和频率等光场自由度进行灵活调控。聚焦于超构表面在非线性光场调控领域的原理与应用。首先,概述了非线性晶体到非线性超构表面的发展历程。然后,讨论了对称性和几何相位在非线性光学超构表面中的重要作用。最后,介绍了非线性光学超构表面在波前调控、量子信息处理和太赫兹波的产生与调控等领域中的应用。     

抗扭刚度自动测定仪的研究

本文详细介绍了基于电磁涡流比拟理论运用微电脑和辅助机构，研究制造的抗扭刚度自动测定仪的基本原理，系统的误差分析等。对工程轴类以及几种特殊面杆件的抗扭刚度进行了测试研究。     

纤维增强复合材料界面强度的细观测试方法

本文对纤维增强复合材料界面强度细观试验方法的发展及现状进行了评述，分析了各种试验方法的优点和不足。着重对纤维压入试验方法从试验的装置，试件的制备，试验的过程以及试验的理论分析方法等各方面进行了详细介绍。应用纤维压入试验测试了碳纤维增强环氧树脂复合材料的界面强度     

含苯并咪唑和异噁唑结构席夫碱的合成及其抑菌活性

根据活性亚结构拼接原理,以取代苯甲醛、盐酸羟胺、N-氯代丁二酰亚胺和2-苯并咪唑基乙腈等为原料,经肟化、氯代、环化及缩合反应,合成了一系列新型的含苯并咪唑和异噁唑结构的席夫碱化合物(5a~5h),收率60%~75%,其结构经~1H NMR,~(13)C NMR,IR和HR-MS表征。采用菌丝生长速率法测试了化合物对番茄灰霉菌和生菜菌核菌的抑菌活性。结果表明:在用药量为100μg·m ~(-1)时,苯环上含有氟原子或甲氧基的席夫碱(5c,5d和5e)对生菜菌核菌显示出较好的活性,抑制率为71.3%~76.1%。     

固相萃取-高效液相色谱法同时测定牛组织中三氮脒和氯化氮氨菲啶残留

建立了固相萃取-高效液相色谱同时检测牛组织中三氮脒(DIM)和氯化氮氨菲啶(ISM)残留的分析方法。针对不同的组织样品采用不同比例的水-乙腈溶液提取药物,结合Oasis WCX固相萃取小柱净化富集。采用Spherisorb CN柱(250 mm×4.6 mm,5μm)对药物进行分离,以乙腈和0.05 mol/L甲酸铵溶液(pH 2.4)为流动相,梯度洗脱,紫外检测波长为380 nm。牛组织中DIM和ISM的检出限(S/N≥3)为0.01 mg/kg,定量限(S/N≥10)为0.025 mg/kg。牛组织中DIM和ISM在各自的线性范围内线性关系良好(r≥0.999 3)。DIM和ISM在低、中、高添加水平下的回收率为82.2%~97.6%,日内精密度和日间精密度分别为0.3%~5.2%(n=5)和1.3%~5.2%(n=15)。结果表明,建立的方法重复性好,灵敏度高,操作简便,适用于牛组织中DIM和ISM的残留检测。     

顶点代数V_(l,0)的极小生成问题

设g是有限维单李代数,是相应于g的无扭仿型Kac-Moody代数的导代数.讨论了相应于的顶点代数V_(l,0)的极小生成问题,证明了V_(l,0)作为顶点代数由a,h两个元素生成,其中a,h∈g.     

高能电子辐照绝缘厚样品的表面电位动态特性

采用数值计算和实验测量相结合的方法, 阐明了高能电子束照射下绝缘厚样品的表面电位和电子产额动态特性. 结果表明: 由于电子在样品内部的散射和输运, 沿着深度方向, 空间电位先缓慢下降到最小值, 然后逐渐升高并趋近于零; 随着电子束照射, 样品的表面电位逐渐下降, 可至负千伏量级, 电子总产额逐渐增大至一个接近于1的稳定值; 电子束停止照射后, 长时间放置下, 表面电位将逐渐升高, 但带电并不会消除; 表面电位随电子束能量的升高近似线性下降, 随入射角的增大而升高, 而随样品厚度的增大仅略有下降.