硅上液晶(LCoS)显示器件

什么是LCoS液晶显示LCoS是硅上液晶的工艺(LiguidCrystal on Silicon)的缩写，它是直接将LCD件做到单晶硅基片上。LCoS可以将LCD件的有源矩阵TFT及外围驱动电路和控制电路等全部制作在上面，并作为显示器件的一个基板，与另一块作为公共极的有透明导电层的玻璃基板共同封接成一个薄盒，灌入液晶，即可制成一个硅片上的LCD件(LCoS)，如图1所示。我们知道，液晶显示已经经过了TN型，STN型，TFT型几代更新。它们都是在LCD本身上作文章。现在的LCoS则是将LCD与集成电路结合在一起，因而对LCD来说是一个全新的突破，是TFT液…     

HL-2M 装置供电系统研制

为满足 HL-2M 装置的供电需求,须配套建设相应的供电系统。通过仿真计算 HL-2M 装置的总体供 电需求,考虑到 HL-2A 装置现有的供电系统设备,提出了兼顾 HL-2A 和 HL-2M 装置供电需求的总体配置方案。介绍了国内首台 300MVA 立式交流脉冲发电机组、磁体电源、高压电源和电源控制系统的研制情况。     

磁场电源在 HL-2M 装置初始等离子体放电中的应用

磁场电源是 HL-2M 装置初始等离子体放电的重要组成部分,它关系到 HL-2M 装置零场的建立,等 离子体的击穿和维持及位形控制。为实现初始等离子体放电所需的供电电压和电流,对磁场电源从主回路、控制、 测量和保护分别作了相应的调整。在此基础上进行了大量的工程调试,确保了磁场电源的控制和保护等性能达到 初始等离子体放电的需求。在磁场电源运行中,电源控制性能和输出参数的一致性、纹波质量等都有显著提高。 介绍了磁场电源在调试及 HL-2M 装置初始放电中的应用。     

HL-2M 装置初始等离子体放电磁场电源实时控制系统设计

为满足 HL-2M 装置初始等离子体放电参数的需求,根据磁场电源的主回路拓扑结构设计了一套实 时控制系统。系统硬件架构基于 NI PXI 与 CompactRIO 控制器,采用基于共享内存网络的千兆光纤网络传输数据, 并在本地将中控传输的控制数据处理为对应的触发脉冲,具备很强的实时性与准确性。经过首次等离子体放电实 验的验证,磁场电源实时控制系统可完全满足首次等离子体放电的需求。     

200 V高压SOI PLDMOS研究

提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层、10μmSOI层材料上设计得到了关态耐压248V、开态饱和电流2.5×10-4A/μm、导通电阻2.1（105Ω＊μm的SOI PLDMOS,该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求。     

基于MSP430单片机的电子名片开发

当今社会发展形势下,节能环保是一个永久的话题。作为商业上最为重要的媒质名片,纸质耗材问题值得关注,以免造成不必要的浪费。文中介绍一种基于MSP430F2274超低功耗,超小体积的单片机为主控芯片,加以Chipcon公司的无线收发CC2500芯片,构成了一种新型的电子商务名片,代替原有的纸质名片进行商业交往。首先讨论了电子商务名片的研究的必要性和可行性,给出合适的设计方案,然后完成系统的硬件构成和软件设计,通过调试,基本满足用户的要求。     

莫比乌斯变换及其物理应用

北京科技大学陈难先教授把数论中的一条古老定理:莫比乌斯变换推广到普通函数并创造性地用之于物理学中许多反问题,取得了巨大成功。在此以更直观和易于理解的方式导出陈氏定理,并通过一些具体实例展示其应用前景。     

江都全台网非编系统的方案设计

从江都台实际需求出发,对构建一个基于全台网的非编系统进行了整体规划。从组网、转码、网络带宽、系统编辑站的容量、存储容量、网管等方面进行了详细的方案设计和论述,并阐述了当前全台网较新的安全防范技术。