高速掩埋半导体激光器设计与实验

本文介绍了一种新型高速调制半导体激光器的设计思想、理论依据及实验结果。在掩埋新月型激光器的基础上,对如何增加其调制带宽进行了深入研究。探讨了影响激光器调制带宽的主要因素,综合分析了减小器件分布电容和增加输出功率之间的矛盾和解决的方法,据此设计并研制出高速调制1.3μm InGaAsP/InP多层限制掩埋新月型激光器,器件的3dB调制带宽大于3GHz。     

GaAs技术在移动通信中的应用

首先介绍了当前移动通信的发展概况，进而阐述了移动通信对半导体器件的要求、ＧａＡｓ技术在移动通信领域中的应用，最后主要介绍了开发应用的具体实例。     

弯曲双锥单模光纤的研究

本文从理论上确定弯曲双锥单模光纤的模耦合区域,分析了光纤芯和光纤包层的光功率传输。在弯曲角大于6°时,理论结果和实验结果也能很好地一致。     

固体磷酸催化剂中活性相的晶体结构与形貌的电镜研究

1.利用电子衍射几何构图法确定固体磷酸催化剂中活性相的晶格常数。(1)正磷酸硅(Si_3(PO_4)_4)属于三角晶系,其晶格参数a_r=b_r=c_r=9.26A,α=50。(2)焦磷酸硅(SiP_2O_7)属于单斜晶系,其晶格参数a=4.7,b=12.0,c=7.6A,β=91。2.在TEM和SEM上观察了两种活性相的结晶形态特征。正磷酸硅呈规则六边形,片晶面法线为Ch轴方向。焦磷酸硅具有棱柱状外形。棱平行于a方向,而b与c在棱柱的横截面内。     

半导体Q-开关激发器

本文全面论述了近十几年来半导体Q-开关激光器的研究工作,对Q-开关过程的作用机理作了定性的或定量的分析,指出了它们所依据的四种基本效应,即饱和吸收效应,电光效应,声光效应和Franz-Keldysh效应,并阐明了利用这些效应所设计的种各Q-开关激光器的结构特点和工艺过程,详细地介绍和推导了描述Q-开关动力学过程的两种模型及其相应的速率方程,给出了某些重要的理论结果和实验数据。     

9MeV电子直线加速器X射线测量

 高能工业CT采用9MeV电子加速器产生轫致辐射，利用高能X射线能够有效地穿透物质以及同物质对射线吸收和散射不同这一原理来检查物体内部缺陷或内部结构。加速器电子束的焦点、X射线的最高能量、X射线剂量及均匀性与工业CT成像的质量和速度密切相关；对探测器的电子线路部分进行的X射线屏蔽关系到探测器的使用寿命。X射线测量结果表明，所用9MeV电子直线加速器满足高能工业CT检测的要求。