微波功率异质结双极晶体管

本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。     

半导体激光器稳态特性的数值分析

用差分法对描述半导体激光器稳态特性的方程组作了数值计算,建立了适用于TQ-16计算机运算的快速程序.通过和实验结果及其他作者的计算结果比较,利用我们的计算方法可以方便地、迅速地对条形注入式半导体激光器的阈值特性,波导特性和侧向模式稳定性进行定量的理论分析。此外,该方法还可方便地分析器件的结构参数和材料参数对上述特性的影响.     

半导体Q-开关激光器

光在波导中传播时,在波导侧向会产生辐射,使得波导内的埸强减弱,即存在侧向埸辐射损耗,其值取决于辐射埸的强度。另一方面,利用侧向辅射埸,可以将一个波导中的光埸耦合到另外一个波导中,而此时又存在一个由耦合系数决定的耦合损耗。所谓侧向埸控制,即指用适当的方法对上述两种损耗     

极坐标法证平面几何题

极坐标法证平面几何题４３６５００黄梅实验中学何省三平面几何题的证明方法颇多，除自身的几何证法外，还可采用三角法、复数法、解析法等多种证法．选择证法时要因题而异，具体情况具体分析．本文介绍解析法中的极坐标法，既可巩固极坐标有关知识，又可以用强思维训练．...     

原子光譜与分子光譜

原子和分子在某些特定的條件下可以發射出各种不同波長的電磁波,这些電磁波的波長範圍是很廣阔的,光学光譜所討論的範圍是紅外線、可見光及紫外線。波長从幾個毫米到7.5×10~(-4)毫米的間隔內属於紅外線;从7.5×10~(-4)毫米到4×10~(-4)毫米是可見光;波長比可見光短的就是紫外線,紫外線的波長可以短到2×10~(-6)毫米。如果使各個區域內的電磁波通过適当的光譜儀器,我們就可以得到各個区域的光譜。假如我們是在可見光区域內工作,便可以直接用眼睛观察到光譜,例如使一個金属电弧所发出來的光通过一個稜鏡攝譜仪之后,在一個距離放得合適的屏上,我們就     

1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器

我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30％.     

ZnSe单晶的生长及其激子光谱

本文描述了甩升华法生长ZnSe单晶的生长情况和晶体品质。为了获得高纯高完整性单晶,由高纯Zn和Se反应合成了ZnSe,设计了特殊形状的成核室,保证了在一个晶核上单晶的生长;同时在生长过程中控制组分分压,减小了化学计量比的偏差。通过偏光显微镜的观察和He-Ne激光散射的形貌分析表明,在生长速率小于0.5(毫米/天)情况下,在块状单晶体中观察不到生长带纹的条纹,但观察到位错缺陷。在液氦温度的光致发光光谱中首次观察到强的自由激子光谱和激子激发态的光谱;观察到典型的反射光谱和精细的束缚激子谱线,没有观察到2.4eV以下的深能级发光谱带。这些结果表明单晶的纯度和完整性是良好的。     

利用少数试样的电子管寿命推定法

在使用中的电子管的残存率,从使用开始,或者从经过一定时间后开始,是近似地随着指数函数而减少的。即从开始使用后的τ_0小时起,以后的残存率可以表示为     

顶面集电极接触的微波功率晶体管(第一部分)

本合同研究的宗旨在于设计、制造和评价一种全顶面接触的微波功率晶体管。该器件在1～1.5千兆赫的频段具有30瓦的脉冲输出,增益大于7分贝。本合同是制造射频功率晶体管三个组成部分中的第一部分,该器件采用了消除键合引线的匹配网络。TRW 公司目前拥有在2.0千兆赫下具有连续波输出25瓦的微波功率晶体管。该器件在1.5千兆赫下能输出35瓦的连续波功率,增益为8.0～8.5分贝,器件设计的主体是采用全顶面接触的器件结构。本报告涉及这项研究工作的设计、制造程序和进展情况。在第一个季度报告中讨论了全顶面接触的功率品体管的设计进展情况及其研制结果。还讨论了研制全顶面接触结构的工艺技术及新设计。二、顶面集电极接触的晶体管研制     

空位位错环的形成

本文研究了淬火面心立方金属内位错环和空洞的形核和长大问题。两种核都能形成,但是位错环的长大速度比空洞的长大速度大很多倍,故电子显微镜能看清的大缺陷都是位错环,而不是空洞。