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研制出的PHEMT采用一种新的0.1μmT型栅制备方法,将薄膜纵向可控变为横向可控,应用这一原理,对时间等参量进行控制,获得0.1~0.3μm微细金属栅条,此工艺应用于3mm器件研制,器件的直流跨导大于400mS/mm,微波性能在40GHz时,Gmax达5.67dB。特征频率fT可外推至74GHz,最高振荡频率fmax可达130GHz。 相似文献
82.
数字移动通信技术的发展和计算机业的最新成就使个人通信的前景更加广阔。本文针对个人通信的特点提出了以PDA加多媒体加CDMA这一模式实现个人通信的构想。 相似文献
83.
金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法-水滴试验法,来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用引方法测量时,发现Pd-Ag导体的迁移率最大,Pt-Au导体的金属迁移率最小。 相似文献
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本文在Weibull分布下对飞机的某关键部件的金属材料的疲劳寿命进行可靠性估计。并给出了部分可靠度和可靠寿命的估计结果. 相似文献
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89.
文章系统地介绍了RTS8511系列专用集成电路的主要特性、引脚功能、内部结构、电气参数、信号时序和典型应用电路。 相似文献
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