N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响

从模拟和试验二方面对N-区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究.考虑到工艺条件,主要讨论N-区的掺杂浓度(NN-)的变化对器件可靠性的影响.通过模拟和从实际工作中得到的结果,对于0.35—1.2μm器件,我们将N-区的掺杂浓度优化为7×1017—1×1018/cm3.利用优化结果进行试验生产,并对器件寿命进行测量的结果表明,沟道长度0.8μm以上的均可以在5V的电源电压下可靠地工作10年(工业标准);0.4μm的器件,可以在4V的电源电压下达到10年的工作寿命(热载流子寿命).     

氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量

通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足的实验数据.     

PCM参数的多元回归模型及其应用

介绍了建立工艺监控模块(PCM)参数数值模型的多元回归方法．多元回归是一种多元统计的处理方法，由该方法得到的一组数值模型中的每一个，都能够与数据源良好拟合。利用单值模拟器，取得了统计性的模拟结果，应用多元回归法得到了回归模型，它在一定范围内能有效地替代耗时的数值模拟。该方法可广泛应用于IC工艺开发、优化、诊断和电子制造自动化等方面。     

ERA系统——概念和关键技术

提出ERA系统(Electronic Realization Automation)的概念。该系统的目标是实现微细结构，特别是VLSIC的全自动化制造。对于微细结构制造来说，以下四个问题是根本性的，同时也是最为重要的，即：微细结构的表达及相关运算；加工流程的确定；生产安排及作业调度；工艺的控制、分析、诊断。以上四者构成了ERA系统的关键模块，并讨论了实现这些模块的关键技术。     

一个集成电路工艺诊断实例

介绍了一种计算机自动PCM(process control module)工艺参数分析系统,可用于集成电路制造过程中的工艺诊断和分析.在具体处理上应用了主成分分析方法,能够从大量数据中提取其统计特征,根据这一特征可找出造成工艺波动的关键因素.从所给出的具体诊断实例来看,该方法能够得出一般人工诊断所不能得出的诊断结论,效果较好,是实施严格生产控制的有效工具.     

一种ESD保护结构的集总参数模拟方法

文章提出了一种通过集总参数电路对ESD保护结构进行模拟的方法。利用HSPICE电路模拟软件，对ESD保护结构进行了集总参数模拟，获得了保护结构在ESD事件中的功率和温度分布。     

漏雪崩应力热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究

本对亚微米ＭＯＳＦＥＴ在漏雪崩恒流应力（ＤＡＳ）条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究，实验结果表明：在一般的恒流应力条件下，栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特起主要影响作用，恒流应力过程中，任何附加的电子注入都可使器件退变特性发生明显变化。实验结果还证实，漏雪崩应力期间形成的空穴陷阱电荷可明显降低器件栅氧化层的介质击穿特性。     

集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.     

集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.     

反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用

本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件的反向关态电流（Ｉｏｆｒ）特性．我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｒ呈现一个突然的增高，而在随后的一段时间里（我们定义其为弛豫时间）又呈指数下降，这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的．所以我们认为Ｉｏｆｒ不但可以作为热空穴注入的有力证据，而且可以作为热空穴研究的有效手段．