基于Redis内存数据库的RADIUS镜像系统研究

正1引言智能提速又称DACS(差异化应用控制系统),它是一个基于精细化管控的动态实时业务控制系统。该系统承载全省宽带提速用户,对网络层、应用层设备资源进行整合,对关键设备进行协同控制,较好地为用户提供智能化、差异化和端到端的优质QoS保证。在福建省现网运行中,随着业务量的进一     

气相质子交换LiTaO3光波导及其特性

本文利用苯甲酸气相质子交换技术制备了LiTaO3光波导，测量了Z-切LiTaO3光波导的参数（交换深度d和表面折射率增量△nc）和X-切LiTaO3光波导的红外吸收谱，给出了光波导层的折射率分布，并与液相质子交换热退火光波导的结果进行了比较。实验结果表明：非寻常折射率分布与热退火液相质子交换方法制备的LiTaO3光波导基本相近，但表面非寻常折射率增量（△nc）更大，其折射率分布更接近于高斯型。     

隧道结AlGaInP发光二极管

报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种结构改善了电流扩展层的作用,从而提高了发光二极管的光提取效率.对3μm GaP电流扩展层的发光二极管,实验结果表明,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比,20mA时发光功率提高了50%,100mA时提高了66.7%.     

超短超强激光与液体的相互作用研究

超短超强激光与液体靶相互作用时表现出许多有趣的特点，这明显区别于激光脉冲与固体或气体靶的相互作用情况．文章分别介绍了激光诱发等离子体所产生的高压冲击波、激光空泡、X射线、高能超热电子以及白光，对它们的产生机制及其各自的显著特征进行了综合描述．文章最后对超短超强激光脉冲与各种不同形态的液体靶相互作用的应用前景作了简单介绍。     

空气中激光等离子体通道导电性能的研究

超强飞秒激光在大气中传输时，可以形成很长的等离子体通道.对通道电阻率和测量电极与等离子体通道间的接触电阻进行了测量，并对影响等离子体通道电阻率的主要因素进行了研究分析.提出减小等离子体通道电阻的方案. 关键词： 等离子体通道 电阻率 接触电阻     

不同偏振态下的飞秒激光脉冲与铝靶相互作用中超热电子的产生

研究了P偏振、S偏振和圆(C)偏振态下亚相对论强度飞秒激光脉冲与铝靶相互作用时产生的超热电子的能谱和靶背向角分布，并对S偏振产生的超热电子的特殊角分布通过引入表面磁场的概念进行了定性解释. 关键词： 超短超强激光 等离子体 超热电子 表面磁场     

AlGaInP橙色发光二极管的研制

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。     

High power AlGaInP laser diodes with zinc-diffused window mirror structure

The technology of zinc-diffusion to improve catastrophic optical damage (COD) threshold of compressively strained GaInP/A1GaInP quantum well laser diodes has been introduced. After zinc-diffusion, about 20-μm-long region at each facet of laser diode has been formed to serve as the window of the lasing light. As a result, the COD threshold has been significantly improved due to the enlargement of bandgap by the zinc-diffusion induced quantum well intermixing, compared with that of the conventional non-window structure. 40-mW continuous wave output power with the fundamental transverse mode has been realized under room temperature for the 3.5-μm-wide ridge waveguide diode. The operation current is 84 mA and the slope efficiency is 0.74 W/A at 40 mW. The lasing wavelength is 656 nm.     

DVD用半导体激光器规模化生产中的关键问题

总结了DVD用半导体激光器规模化生产的关键问题：外延结构设计问题；前工艺问题；后工艺问题和规模化生产中的产品性能检测和老化筛选问题。     

硅加速度传感器芯片的优化设计研究

介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺。通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度，即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。