中国建筑产业链两阶段综合效率、纯技术效率、规模效率及其影响因素

目前从建筑产业链角度对建筑产业效率问题的研究并不多。据此,本研究通过梳理相关文献,识别出建筑产业链的两个关键环节:工程咨询阶段和工程施工阶段;根据筛选的建筑产业链投入、产出指标,利用链式关联网络DEA模型测算2014~2015年中国各省份建筑产业链两阶段的综合效率、纯技术效率与规模效率;利用Tobit模型确定影响三种效率的关键因素,以此实现对建筑产业链两阶段生产资源的优化与整合,更期待为客观度量产业链两阶段生产效率的研究提供新思路与方法。研究发现,综合效率普遍偏低且各省份之间差距较大,其主要原因是纯技术效率偏低且省份之间差异大;三种效率的主要影响因素及其作用程度不尽相同。在此基础上提出相应的对策建议以促进中国建筑业生产效率的提高。     

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的/比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAsQD的形状及尺寸.通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的InxGa1-xAs/GaAsQD(x=0.3)     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

“屏”定未来

移动互联网时代,三“屏”分天下——智能手机、PC电脑和电视机。本次,我们就来摆一摆这些“屏”的龙门阵。     

A boundary Schwarz lemma for pluriharmonic mappings from the unit polydisk to the unit ball

In this article, we present a Schwarz lemma at the boundary for pluriharmonic mappings from the unit polydisk to the unit ball, which generalizes classical Schwarz lemma for bounded harmonic functions to higher dimensions. It is proved that if the pluriharmonic mapping f ∈ P(D~n, B~N) is C~(1+α) at z0 ∈ E_rD~n with f(0) = 0 and f(z_0) = ω_0∈B~N for any n,N ≥ 1, then there exist a nonnegative vector λ_f =(λ_1,0,…,λ_r,0,…,0)~T∈R~(2 n)satisfying λ_i≥1/(2~(2 n-1)) for 1 ≤ i ≤ r such that where z'_0 and w'_0 are real versions of z_0 and w_0, respectively.     

基于LabVIEW的车位管理系统实训设计方案

本文基于NI-cRIPO 9025可编程控制器,通过反射式红外光电传感器和触发按钮模拟停车场车辆的出入和泊位信息,利用LabVIEW可视化程序对整个过程进行数据采集和状态监控.整体设计简洁明了,可作为传感器和电子技术课程的综合实验实训项目应用于高职专业课程的实践教学.     

低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率,研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释．     

MBE生长温度对InGaAs／GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。     

新型的雷达车辆检测器

已开发出的2.4GHz入侵式和非入侵式雷达车辆检测器,与现有的电感回路检测器兼容。入侵式检测器基于简单的CW雷达技术,而非入侵式检测器则基于FMCW高度表和多普勒速度表技术。这两种检测器均可以检测出车辆的长度和速度。与ILD相比,入侵式检测器在车辆长度精确度方面改善了7.1%,在速度精确度方面改善了4.8%,非入侵式雷达车辆检测器对长度和速度的精确度大约提高了8%。已经证实雷达技术在检测空 中、海上和地面的邻近物体的距离和速度是十分有用的,这种技术还可以应用于车辆检测器,收集经过道路的车辆的长度和速度信息。即使在最坏…     

Modeling,simulations,and optimizations of gallium oxide on gallium-nitride Schottky barrier diodes

With technology computer-aided design(TCAD)simulation software,we design a new structure of gallium oxide on gallium-nitride Schottky barrier diode(SBD).The parameters of gallium oxide are defined as new material parameters in the material library,and the SBD turn-on and breakdown behavior are simulated.The simulation results reveal that this new structure has a larger turn-on current than Ga2O3 SBD and a larger breakdown voltage than Ga N SBD.Also,to solve the lattice mismatch problem in the real epitaxy,we add a Zn O layer as a transition layer.The simulations show that the device still has good properties after adding this layer.